Top 10 Publication en Microélectronique & Electronic Packaging par Citation
Poster: PAM-XIAMEN, Date: Jan 13,2020
PAM-XIAMEN a compilé top 10 les données de classement et le nom de la publication en Microélectronique & Electronic Packaging par la citation du facteur d'impact (h5-indice et médian h5, selon Google Scholar)
La publication de tête sont:
Publication | h5-index | h5-médiane | |
1. | IEEE Transactions on Electron Devices | 56 | 66 |
2. | Device Letters IEEE Electron | 53 | 69 |
3. | IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM | 44 | 62 |
4. | Electronics Letters | 39 | 50 |
5. | microélectronique Ingénierie | 34 | 46 |
6. | Fiabilité Microelectronics | 32 | 42 |
7. | IEEE Transactions sur les composants, l'emballage et des technologies de fabrication | 30 | 37 |
8. | IEEE / S MTT-International Microwave Symposium | 28 | 38 |
9. | Microelectronics Journal | 28 | 36 |
10. | Symposium IEEE sur la technologie VLSI | 27 | 46 |
Référence: Microelectronics & Electronic Packaging
Le top 1 est IEEE Transactions on Electron Devices, qui publie des contributions originales et importantes relatives à la théorie, la modélisation, la conception, la performance et la fiabilité des électrons et des dispositifs de circuits intégrés d'ions et des interconnexions. Dans cette publication, top 5 des articles a la plus grande contribution de h5-index:
Titre / Auteur | Cité par | Année |
Experimental Demonstration and Tolerancing of a Large-Scale Neural Network (165 000 Synapses) Using Phase-Change Memory as the Synaptic Weight Element
GW Burr, RM Shelby, S Sidler, C di Nolfo, J Jang, je Boybat, RS Shenoy, ... |
353 | 2015 |
GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications
KJ Chen, O Häberlen, A Lidow, C Tsai lin, T Ueda, Y Uemoto, Y Wu |
205 | 2017 |
Vertical Power pn Diodes Based on Bulk GaN
IC Kizilyalli, AP Edwards, O Aktas, T Prunty, D Bour |
170 | 2014 |
Basic Mechanisms of Threshold-Voltage Instability and Implications for Reliability Testing of SiC MOSFETs
AJ Lelis, R Green DB Habersat, M El |
155 | 2014 |
Crossbar RRAM Arrays: Selector Device Requirements During Read Operation
J Zhou, KH Kim, W Lu |
107 | 2014 |
Le système d'évaluation du facteur H a été initialement proposé par Jorge Hirsch, un physicien Californie, d'évaluer l'influence d'un savant. C'est-à-dire, une personne a cité au moins n papiers dans tous ses papiers académiques publiés, et son indice h est n. De même, Google utilise érudit pour évaluation de la revue et fixe un délai de cinq ans pour éviter le problème que le facteur H augmente et que ne diminue pas. Un autre concept lié est médiane H5, qui fait référence au nombre de citations de documents médians H-CORE. Il est également différent du concept de la moyenne lors du calcul des facteurs d'impact.
Par rapport aux facteurs d'impact de deux ans, il est plus difficile pour les gens de manipuler délibérément les indicateurs de métrologie de la revue sur la base H5. Le facteur n'augmente H5 pas de manière significative en raison du nombre de documents cités. Comme mentionné précédemment, ce qui réduit délibérément le nombre de postes aura non seulement aucun effet sur la promotion des facteurs H5, mais aussi avoir un impact négatif. Ici h5 est pour des articles publiés en 2014-2018
Définition: Microelectronics et Electronic Packaging: l'étude et la fabrication de la microélectronique, le module technologies multi-puces, l'emballage électronique, matériaux semi-conducteurs, montage en surface et d'autres technologies connexes, interconnexions, RF et micro-ondes, les communications sans fil, la fabrication, la conception, le test et la fiabilité sur la base de matériau semi-conducteur tel que plaquette de silicium, la plaquette de SiC et GaN plaquette. La chaîne de traitement complète sont substrat semi-conducteur, une épitaxie à semi-conducteur, semi-conducteur ou d'un module électronique et l'emballage.