Pada masa ini, wafer epitaxial silikon P-P+ (boron doped) digunakan secara meluas dalam pembuatan litar bersepadu berskala besar dan peranti diskret. Keperluan untuk ketebalan wafer epitaxial silikon P-P+ berbeza mengikut jenis peranti. Untuk membuat litar digital berkelajuan tinggi, hanya kira-kira 0.5μm epilayer diperlukan. Untuk peranti berkuasa tinggi, ia adalah 10-100μm. Ketebalan tipikal filem nipis silikon dop boron untuk proses CMOS ialah 3-10μm.PAM-XIAMEN boleh berkembangwafer silikon epitaxialuntuk memenuhi keperluan aplikasi anda.Ambil filem silikon dop boron pada substrat silikon dop boron sebagai contoh, parameter ditunjukkan seperti dalam jadual di bawah. Kami menggunakan teknologi pengedap belakang untuk menjadikan kerintangan lapisan epitaxial dikawal dengan tepat.
1. Spesifikasi untuk Wafer Epitaxial Silicon Doped Boron
PAMP17407 – SI
| No. | parameter | Unit | nilai |
| 1. | Kaedah Tumbuh Kristal | CZ | |
| 2. | Jenis Kekonduksian | P | |
| 3. | Crystal Orientation | (100) ± 0.5о | |
| 4. | Dopan Substrat | Boron | |
| 5. | Kerintangan substrat | Ω · cm | 0.015±0.005 |
| 6. | Variasi Kerintangan Jejari Substrat | % | <10 |
| 7. | diameter | mm | 100.0±0.5 |
| 8. | Negara Flat utama | mm | 32.5±2.5 |
| 9. | Orientation Flat utama | (110)±1о | |
| 10. | Flat menengah | tiada | |
| 11. | Ketebalan Substrat di Titik Tengah | mikron | 525 ± 15 |
| 12. | |||
| 13. | Kemasan Bahagian Belakang | Terukir | |
| 14. | Proses Pengambil Bahagian Belakang | Polisilikon | |
| 15. | Ketebalan Bahagian Belakang Poli | mikron | 1.20±0.40 |
| 16. | Proses Pengedap Bahagian Belakang | LPCVD oksida | |
| 17. | Ketebalan Oksida | Å | 3500±1000 |
| 18. | TTV Max (selepas Epi Deposition) | mikron | 7 |
| 19. | Variasi Ketebalan Tempatan (LTV, SBID), di tapak 20×20 mm | mikron | <2.0 |
| 20. | Bow Max (selepas Epi Deposition) | mikron | 30 |
| 21. | Warp Max (selepas Epi Deposition) | mikron | 35 |
| 22. | Jenis Kekonduksian Lapisan Epi | P | |
| 23. | Dopan Lapisan Epi | Boron | |
| 24. | Kerintangan Lapisan Epi | Ω · cm | 12.0±1.2 |
| 25. | Variasi Jejari Kerintangan Epi | % | <10 |
| 26. | Ketebalan Lapisan Epi di Tengah | mikron | 20±2 |
| 27. | Variasi Jejari Ketebalan Lapisan Epi | % | <10 |
| 28. | Zon Peralihan Epi | mikron | <2 |
| 29. | Zon Rata Epi | mikron | >16 |
| 30. | Kehelan | Tiada | |
| 31. | Tergelincir | Tiada | |
| 32. | Jerebu | Tiada | |
| 33. | calar | Tiada | |
| 34. | Cip Tepi | Tiada | |
| 35. | Lesung pipit | Tiada | |
| 36. | Orange Peel | Tiada | |
| 37. | Retak/Patah | Tiada | |
| 38. | Kaki Gagak | Tiada | |
| 39. | Perkara Asing | Tiada | |
| 40. | Pencemaran Permukaan Belakang | Tiada | |
| 41. | Penyebaran Cahaya Setempat (LLS) dengan saiz >0.3μm | pcs/wfr | ≤20 |
| 42. | Lubang Gores Cetek | cm-2 | <1·102 |
| 43. | Logam Permukaan (Na, K, Zn, Al, Fe, Cr, Ni, Cu) | pada/cm-2 | <1·1011 |
2. Boron Doping dalam Silicon Dikembangkan oleh CZ
Boron (B) ialah kekotoran aktif elektrik yang penting dalam silikon Czochralski jenis-p, yang didop dengan sengaja. Khususnya, wafer silikon doped boron berat biasanya digunakan sebagai bahan substrat untuk wafer epitaxial p/p+. Pengenalan sejumlah besar atom boron boleh meningkatkan kekonduksian wafer silikon monohabluran.
Mengapakah B merupakan bendasing aktif elektrik yang paling penting dalam silikon monohablur jenis p? Sebabnya ialah:
Pertama sekali, apabila atom B diperkenalkan, lubang akan dijana dalam kristal silikon pada masa yang sama, dan bilangan lubang akan meningkat dengan peningkatan kepekatan atom B.
Kedua, Kumpulan IIIAunsur B, Al, Ga dan In adalah semua kekotoran penerima, yang boleh memberikan lubang untuk kristal Si. Walau bagaimanapun, kerana pekali pengasingan Al, Ga dan In adalah terlalu kecil, adalah sukar untuk mengawal kerintangan kristal apabila doping jika ia digunakan sebagai dopan. Pekali pengasingan doping boron dalam Si adalah kira-kira 0.8, iaitu hampir 1, supaya kerintangan silikon doped boron mempunyai ketekalan yang baik di bahagian kepala dan ekor, dan penggunaan keseluruhan kristal tunggal dipertingkatkan.
Ketiga, takat lebur dan takat didih boron adalah lebih tinggi daripada silikon. B hampir tidak meruap semasa pertumbuhan kristal silikon, yang memastikan padanan kepekatan doping sasaran dan kepekatan sebenar semasa pertumbuhan kristal.
Keempat, B mempunyai keterlarutan pepejal yang besar (2.2X 1030/ cm3) dalam kristal tunggal silikon pada suhu bilik. Oleh itu, julat kerintangan dikawal bagi wafer Si jenis p adalah agak besar dengan melaraskan kepekatan B, dan kerintangan minimum boleh mencapai 0.1m Ω·cm -1.
Kelima, resapan B dalam Si tergolong dalam resapan atom pengganti, yang sukar dicapai melalui penjanaan dan pergerakan kecacatan haba kristal. Ini memastikan kestabilan bilangan dan kedudukan B dalam silikon, iaitu kestabilan bahan semikonduktor jenis-p yang didopkan oleh B.
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.