Kristal Benih 4H-SiC

Kristal Benih 4H-SiC

Oleh kerana kelebihan kekonduksian haba yang tinggi, kekuatan medan pecahan tinggi, kadar hanyutan elektron tepu yang tinggi dan tenaga ikatan yang tinggi, bahan SiC boleh memenuhi keperluan baharu teknologi elektronik moden untuk suhu tinggi, frekuensi tinggi, kuasa tinggi, voltan tinggi dan rintangan sinaran. , jadi ia dianggap sebagai salah satu bahan yang paling menjanjikan dalam bidang bahan semikonduktor.PAM-XIAMENboleh membekalkan wafer kristal biji 4H-SiC, yang digunakan untuk pertumbuhan kristal SiC 4 atau 6 inci. Sila rujuk jadual berikut untuk parameter tertentu.

Kristal biji SiC

1. Spesifikasi Wafer Biji SiC

Aplikasi Wafer Biji SiC: mengembangkan kristal tunggal SiC dalam 4 atau 6 inci

1.1 Wafer Kristal Biji 4H-SiC setebal 800um

Parameter Wafer Biji 4H-SiC

No. ltems Pengeluaran Research Unit
1 Parameter Kristal
1.1 Polytype 4H 4H
2 Parameter Mekanikal
2.1 diameter 104/150/153±0.5mm 104/150/153±0.5mm mm
2.2 ketebalan 800±50um 800±50um um
2.3 rata Tiada Tiada um
2.4 TTV ≤10um ≤20um um
2.5 LTV ≤5um(5mm*5mm) ≤10um(5mm*5mm) um
2.6 Bow -35um-35um -45um~45um um
2.7 Warp ≤40um ≤50um um
2.8 Depan (Si-muka) Kekasaran Ra≤0.2nm(5um*5um) Ra≤0.2nm (5um*5um) nm
3 struktur
3.1 Micropipe Ketumpatan ≤1ea/cm2 ≤5ea/cm2 ea/cm2
3.2 Kekosongan heksagon Tiada Tiada
3.3 BPD ≤2000 NA ea/cm2
3.4 TSD ≤500 NA ea/cm2
4 Kualiti Depan
4.1 Front Si Si
4.2 Kemasan permukaan CMP muka Si CMP muka Si
4.3 calar ≤5pcs,≤2*Diameter
(Panjang Terkumpul)
NA ea/mm
4.4 Lubang kulit oren/noda/lubang-retak/kontaminasi Tiada Tiada mm
4.5 Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex Tiada Tiada
4.6 Kawasan politaip Tiada ≤30%(Kawasan kumulatif)
4.7 Penandaan laser hadapan Tiada Tiada
5 Kualiti Belakang
5.1 Kemasan belakang C-muka CMP C-muka CMP
5.2 calar ≤2pcs,≤Diameter
(Panjang Terkumpul)
NA ea/mm
5.3 Kecacatan belakang (cip tepi/inden) Tiada Tiada
5.4 Kekasaran belakang Ra≤0.2nm (5um*5um) Ra≤0.2nm (5um*5um) nm
5.5 Penandaan laser belakang 1mm (dari tepi atas) 1mm (dari tepi atas)
6 Hujung
6.1 Hujung Chamfer Chamfer
7 Pembungkusan
7.1 Pembungkusan Kaset berbilang wafer Kaset berbilang wafer

 

1.2 Wafer Biji 4H-SiC setebal 430~570um

Parameter Crytal Benih SI 4H-SiC 6 inci

No. Perkara parameter
1 Parameter Kristal
1.1 Polytype 4H
2 Parameter Mekanikal
2.1 diameter 150+0.1mm/-0.3mm
2.2 ketebalan 430um~570um
2.3 Orientasi permukaan 1+0.4°/2±0.5°
2.4 Orientasi rata utama {10-10}±0.5°
2.5 panjang rata utama 0-25mm atau takuk
2.6 Flat sekunder tiada
2.7 kerintangan NA
3 Kualiti Wafer
3.1 Ketumpatan mikropaip* <1cm-2
3.2 Kawasan padat mikropaip* ≤3 tempat
3.3 Calar depan tiada
3.4 Kerepek* NA
3.5 Retak* NA
3.6 Lubang-lubang* tiada
3.7 Kulit oren* tiada
3.8 Pencemaran tiada
3.9 Kawasan Politaip* 0%(kawasan penyingkiran tepi 180° bertentangan dengan flat sekunder)
3.10 Polihablur* tiada
4 laser Marking
4.1 laser Marking Di atas rata utama pada muka-Si
5 Hujung
5.1 Kawasan penyingkiran tepi 3mm
Note:”*” data does not contain edge removal areas

1.3 4Inch Seed Crystal of SiC

4Inch SiC Seed Crystal

gred Pengeluaran Research
diameter 100/105±0.5mm
ketebalan 400±100um 400±150um
orientasi 4±1°(0±1°)
Primary flat orientation {1010}±0.5°
panjang rata utama 32.5mm±2.0mm
Secondary flat length 18.0mm±2.0mm
Kawasan penyingkiran tepi 2mm 3mm
TTV ≤10um ≤15um
Surface roughness C: Ra≤1nm
Si: Ra≤1nm
Kawasan Politaip* Tiada
Polihablur* Tiada
Hexagonal void* Tiada
Micropipe Density* ≤1cm-2 ≤5cm-2
Inclusion ≤1% ≤5%
Cracks Tiada edge≤10mm, cental≤5mm
Chips Tiada  –
Macro scratches Tiada  –
Orange peel Tiada  –
Pits Tiada  –
Surface contamination Tiada  Tiada
Note : “*” defects in the edge removal area are excluded.

2. Apa Itu Kristal Benih?

Kristal benih adalah kristal kecil dengan orientasi kristal yang sama dengan kristal yang dikehendaki, dan merupakan benih untuk menumbuhkan kristal tunggal. Menggunakan kristal benih dengan orientasi kristal berbeza sebagai benih, kristal tunggal dengan orientasi kristal berbeza akan diperolehi. Mengikut penggunaan, terdapat kristal benih kristal tunggal Czochralski, kristal benih lebur zon, kristal benih nilam dan kristal benih SiC.

Di dalamnya, wafer SiC digunakan sebagai sejenis kristal benih untuk pertumbuhan kristal SiC, dan bentuk wafer benih SiC terutamanya dalam bentuk filem nipis. Dilaporkan bahawa aplikasi kristal benih memainkan peranan penting dalam pertumbuhan kristal SiC. Bentuk kristal dan sifat permukaan wafer benih SiC sangat mempengaruhi jenis pertumbuhan, struktur kecacatan dan sifat elektrik kristal SiC.

Antaranya, faktor terpenting yang menentukan politip kristal tunggal ialah orientasi kristal wafer biji SiC. Jongkong 6H-SiC ditanam pada muka SiC (0001, Si) dengan kaedah PVT, walaupun wafer benih ialah 4H-SiC (0001). Sebaliknya, jongkong 4H-SiC ditanam pada muka SiC (0001, C) dengan kaedah PVT, yang tidak ada kaitan dengan politaip kristal benih.

3. Bagaimana Membuat Kristal Benih?

Untuk membuat kristal benih, mula-mula potong kristal tunggal SiC pukal ke dalam filem nipis, kemudian kisar, gilap dan goreskan filem nipis untuk mengeluarkan lubang dan calar yang dihasilkan oleh pemotongan. Pengisaran menghilangkan lapisan lubang yang memotong permukaan wafer, meninggalkan calar nipis dan jarang pada permukaan wafer. Menggilap boleh menghilangkan calar yang dihasilkan semasa pengisaran, tetapi tidak sepenuhnya menghilangkan lapisan kemerosotan pengisaran atau lapisan kerosakan mekanikal nipis yang dihasilkan oleh penggilap. Etsa bukan sahaja boleh mendedahkan kecacatan struktur dalam wafer, tetapi juga menghilangkan lapisan kerosakan mekanikal permukaan yang dihasilkan semasa pengisaran dan penggilap. Wafer terukir digunakan sebagai wafer benih, dan kristal pertumbuhan boleh meniru struktur kristal benih, dan permukaan kristal licin.

4. Mengapa Menggunakan Substrat Benih SiC untuk Menumbuhkan Kristal Tunggal?

Kebanyakan kristal tunggal semikonduktor boleh ditanam dari keadaan cair atau larutan, tetapi sifat SiC sendiri menjadikannya mustahil untuk menumbuhkan kristal tunggal dengan kedua-dua kaedah ini.

Pada masa ini, kaedah pengangkutan wap fizikal (PVT) adalah kaedah yang paling matang antara semua teknik pertumbuhan SiC untuk pertumbuhan kristal SiC. Kaedahnya adalah untuk meletakkan substrat benih SiC dalam mangkuk pijar yang mengandungi bahan mentah serbuk SiC, kemudian pijar dipanaskan oleh aruhan frekuensi sederhana atau relau rintangan untuk menjadikan suhu mencapai melebihi 2000 ℃, dan molekul gas yang mengandungi Si dan C diaruh oleh kecerunan suhu antara bahan mentah dan benih SiC, dipindahkan ke wafer benih untuk menumbuhkan kristal SiC. Perbezaan ketara antara kaedah PVT dan kaedah Lely awal ialah kaedah PVT memperkenalkan kristal benih, yang meningkatkan kebolehkawalan proses pertumbuhan penghabluran benih dan sesuai untuk mengembangkan kristal tunggal SiC bersaiz besar.

Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel di[email protected] dan [email protected].

Kongsi catatan ini