Oleh kerana kelebihan kekonduksian haba yang tinggi, kekuatan medan pecahan tinggi, kadar hanyutan elektron tepu yang tinggi dan tenaga ikatan yang tinggi, bahan SiC boleh memenuhi keperluan baharu teknologi elektronik moden untuk suhu tinggi, frekuensi tinggi, kuasa tinggi, voltan tinggi dan rintangan sinaran. , jadi ia dianggap sebagai salah satu bahan yang paling menjanjikan dalam bidang bahan semikonduktor.PAM-XIAMENboleh membekalkan wafer kristal biji 4H-SiC, yang digunakan untuk pertumbuhan kristal SiC 4 atau 6 inci. Sila rujuk jadual berikut untuk parameter tertentu.
1. Spesifikasi Wafer Biji SiC
Aplikasi Wafer Biji SiC: mengembangkan kristal tunggal SiC dalam 4 atau 6 inci
1.1 Wafer Kristal Biji 4H-SiC setebal 800um
|
Parameter Wafer Biji 4H-SiC |
||||
| No. | ltems | Pengeluaran | Research | Unit |
| 1 | Parameter Kristal | |||
| 1.1 | Polytype | 4H | 4H | |
| 2 | Parameter Mekanikal | |||
| 2.1 | diameter | 104/150/153±0.5mm | 104/150/153±0.5mm | mm |
| 2.2 | ketebalan | 800±50um | 800±50um | um |
| 2.3 | rata | Tiada | Tiada | um |
| 2.4 | TTV | ≤10um | ≤20um | um |
| 2.5 | LTV | ≤5um(5mm*5mm) | ≤10um(5mm*5mm) | um |
| 2.6 | Bow | -35um-35um | -45um~45um | um |
| 2.7 | Warp | ≤40um | ≤50um | um |
| 2.8 | Depan (Si-muka) Kekasaran | Ra≤0.2nm(5um*5um) | Ra≤0.2nm (5um*5um) | nm |
| 3 | struktur | |||
| 3.1 | Micropipe Ketumpatan | ≤1ea/cm2 | ≤5ea/cm2 | ea/cm2 |
| 3.2 | Kekosongan heksagon | Tiada | Tiada | |
| 3.3 | BPD | ≤2000 | NA | ea/cm2 |
| 3.4 | TSD | ≤500 | NA | ea/cm2 |
| 4 | Kualiti Depan | |||
| 4.1 | Front | Si | Si | |
| 4.2 | Kemasan permukaan | CMP muka Si | CMP muka Si | |
| 4.3 | calar | ≤5pcs，≤2*Diameter (Panjang Terkumpul) |
NA | ea/mm |
| 4.4 | Lubang kulit oren/noda/lubang-retak/kontaminasi | Tiada | Tiada | mm |
| 4.5 | Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | Tiada | Tiada | |
| 4.6 | Kawasan politaip | Tiada | ≤30%(Kawasan kumulatif) | |
| 4.7 | Penandaan laser hadapan | Tiada | Tiada | |
| 5 | Kualiti Belakang | |||
| 5.1 | Kemasan belakang | C-muka CMP | C-muka CMP | |
| 5.2 | calar | ≤2pcs，≤Diameter (Panjang Terkumpul) |
NA | ea/mm |
| 5.3 | Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | Tiada | Tiada | |
| 5.4 | Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5um*5um) | Ra≤0.2nm (5um*5um) | nm |
| 5.5 | Penandaan laser belakang | 1mm (dari tepi atas) | 1mm (dari tepi atas) | |
| 6 | Hujung | |||
| 6.1 | Hujung | Chamfer | Chamfer | |
| 7 | Pembungkusan | |||
| 7.1 | Pembungkusan | Kaset berbilang wafer | Kaset berbilang wafer | |
1.2 Wafer Biji 4H-SiC setebal 430~570um
|
Parameter Crytal Benih SI 4H-SiC 6 inci |
||
| No. | Perkara | parameter |
| 1 | Parameter Kristal | |
| 1.1 | Polytype | 4H |
| 2 | Parameter Mekanikal | |
| 2.1 | diameter | 150+0.1mm/-0.3mm |
| 2.2 | ketebalan | 430um~570um |
| 2.3 | Orientasi permukaan | 1+0.4°/2±0.5° |
| 2.4 | Orientasi rata utama | {10-10}±0.5° |
| 2.5 | panjang rata utama | 0-25mm atau takuk |
| 2.6 | Flat sekunder | tiada |
| 2.7 | kerintangan | NA |
| 3 | Kualiti Wafer | |
| 3.1 | Ketumpatan mikropaip* | <1cm-2 |
| 3.2 | Kawasan padat mikropaip* | ≤3 tempat |
| 3.3 | Calar depan | tiada |
| 3.4 | Kerepek* | NA |
| 3.5 | Retak* | NA |
| 3.6 | Lubang-lubang* | tiada |
| 3.7 | Kulit oren* | tiada |
| 3.8 | Pencemaran | tiada |
| 3.9 | Kawasan Politaip* | 0%(kawasan penyingkiran tepi 180° bertentangan dengan flat sekunder) |
| 3.10 | Polihablur* | tiada |
| 4 | laser Marking | |
| 4.1 | laser Marking | Di atas rata utama pada muka-Si |
| 5 | Hujung | |
| 5.1 | Kawasan penyingkiran tepi | 3mm |
| Note:”*” data does not contain edge removal areas | ||
1.3 4Inch Seed Crystal of SiC
|
4Inch SiC Seed Crystal |
||
| Grade | Pengeluaran | Research |
| diameter | 100/105±0.5mm | |
| ketebalan | 400±100um | 400±150um |
| Orientation | 4±1°(0±1°) | |
| Primary flat orientation | {1010}±0.5° | |
| panjang rata utama | 32.5mm±2.0mm | |
| Secondary flat length | 18.0mm±2.0mm | |
| Kawasan penyingkiran tepi | 2mm | 3mm |
| TTV | ≤10um | ≤15um |
| Surface roughness | C: Ra≤1nm Si: Ra≤1nm |
|
| Kawasan Politaip* | Tiada | |
| Polihablur* | Tiada | |
| Hexagonal void* | Tiada | |
| Micropipe Density* | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 |
| Inclusion | ≤1% | ≤5% |
| Cracks | Tiada | edge≤10mm, cental≤5mm |
| Chips | Tiada | – |
| Macro scratches | Tiada | – |
| Orange peel | Tiada | – |
| Pits | Tiada | – |
| Surface contamination | Tiada | Tiada |
| Note : “*” defects in the edge removal area are excluded. | ||
2. Apa Itu Kristal Benih?
Kristal benih adalah kristal kecil dengan orientasi kristal yang sama dengan kristal yang dikehendaki, dan merupakan benih untuk menumbuhkan kristal tunggal. Menggunakan kristal benih dengan orientasi kristal berbeza sebagai benih, kristal tunggal dengan orientasi kristal berbeza akan diperolehi. Mengikut penggunaan, terdapat kristal benih kristal tunggal Czochralski, kristal benih lebur zon, kristal benih nilam dan kristal benih SiC.
Di dalamnya, wafer SiC digunakan sebagai sejenis kristal benih untuk pertumbuhan kristal SiC, dan bentuk wafer benih SiC terutamanya dalam bentuk filem nipis. Dilaporkan bahawa aplikasi kristal benih memainkan peranan penting dalam pertumbuhan kristal SiC. Bentuk kristal dan sifat permukaan wafer benih SiC sangat mempengaruhi jenis pertumbuhan, struktur kecacatan dan sifat elektrik kristal SiC.
Antaranya, faktor terpenting yang menentukan politip kristal tunggal ialah orientasi kristal wafer biji SiC. Jongkong 6H-SiC ditanam pada muka SiC (0001, Si) dengan kaedah PVT, walaupun wafer benih ialah 4H-SiC (0001). Sebaliknya, jongkong 4H-SiC ditanam pada muka SiC (0001, C) dengan kaedah PVT, yang tidak ada kaitan dengan politaip kristal benih.
3. Bagaimana Membuat Kristal Benih?
Untuk membuat kristal benih, mula-mula potong kristal tunggal SiC pukal ke dalam filem nipis, kemudian kisar, gilap dan goreskan filem nipis untuk mengeluarkan lubang dan calar yang dihasilkan oleh pemotongan. Pengisaran menghilangkan lapisan lubang yang memotong permukaan wafer, meninggalkan calar nipis dan jarang pada permukaan wafer. Menggilap boleh menghilangkan calar yang dihasilkan semasa pengisaran, tetapi tidak sepenuhnya menghilangkan lapisan kemerosotan pengisaran atau lapisan kerosakan mekanikal nipis yang dihasilkan oleh penggilap. Etsa bukan sahaja boleh mendedahkan kecacatan struktur dalam wafer, tetapi juga menghilangkan lapisan kerosakan mekanikal permukaan yang dihasilkan semasa pengisaran dan penggilap. Wafer terukir digunakan sebagai wafer benih, dan kristal pertumbuhan boleh meniru struktur kristal benih, dan permukaan kristal licin.
4. Mengapa Menggunakan Substrat Benih SiC untuk Menumbuhkan Kristal Tunggal?
Kebanyakan kristal tunggal semikonduktor boleh ditanam dari keadaan cair atau larutan, tetapi sifat SiC sendiri menjadikannya mustahil untuk menumbuhkan kristal tunggal dengan kedua-dua kaedah ini.
Pada masa ini, kaedah pengangkutan wap fizikal (PVT) adalah kaedah yang paling matang antara semua teknik pertumbuhan SiC untuk pertumbuhan kristal SiC. Kaedahnya adalah untuk meletakkan substrat benih SiC dalam mangkuk pijar yang mengandungi bahan mentah serbuk SiC, kemudian pijar dipanaskan oleh aruhan frekuensi sederhana atau relau rintangan untuk menjadikan suhu mencapai melebihi 2000 ℃, dan molekul gas yang mengandungi Si dan C diaruh oleh kecerunan suhu antara bahan mentah dan benih SiC, dipindahkan ke wafer benih untuk menumbuhkan kristal SiC. Perbezaan ketara antara kaedah PVT dan kaedah Lely awal ialah kaedah PVT memperkenalkan kristal benih, yang meningkatkan kebolehkawalan proses pertumbuhan penghabluran benih dan sesuai untuk mengembangkan kristal tunggal SiC bersaiz besar.
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.