Q:Our application is for microwave annealing. Therefore, the silicon carbide must be able to absorb microwaves?
A:Since the dielectric constant of 6H and 4H are large, so if SiC wafer is as absorbing materials, mainly to achieve through the structure design of Electromagnetic match.I don’t [...]
2018-06-19метаавтор
Q:Can you supply 4″ AlGaAs epi wafers for IR LEDs?
A:Yes, we can offer 850nm or 620nm for 4” size.
The InGaAsP material epitaxially grown on the InP substrate is an important material for the fabrication of optoelectronic and microwave devices. The emission wavelength of InGaAsP / InP laser structure covers 1.0-1.7μm, covering two low-loss windows of 1.3μm and 1.55μm for silica fiber communication. [...]
В: Какой размер пластины вы предоставляете с плоской сапфировой подложкой? О: В настоящее время мы все еще можем предложить 2-дюймовую пластину на плоской сапфировой подложке.
2018-06-19метаавтор
Q:Dislocation density < 1E8 of GaN on sapphire from what kind of characterization?
A:Considering edge dislocation and mixing dislocation and then abtained by XRD
2018-06-19метаавтор
Q: Пожалуйста, дайте нам знать, если вы можете поставить пластину ниже, количество 25/50/300. Пластины арсенида галлия, P/P 150,00±0,25 мм) 6″Ø×650±25 мкм, VGF SI, нелегированный GaAs:-[100-2,0° в направлении [110]]]±0,5°, u > 4000 см²/Вс, обе стороны -полированная, 1 плоскость 57,5±2,5 мм при 110±°1, TTV<7 мкм, BOW<4 мкм, Warp<10 мкм, TIR<6 мкм, сертификат: обязателен, запечатан азотом в кассете с одной пластиной A: Да, проверим [ ...]
2018-09-13метаавтор
