PAM-XIAMEN bietet P-Typ-SiC-Substrate an. Weitere Informationen finden Sie unter:https://www.powerwaywafer.com/p-type-silicon-carbide-substrate-and-igbt-devices.html. Das durch das Flüssigphasenverfahren hergestellte p-Typ-Substrat kann zur Herstellung von IGBT-Geräten und bipolaren Geräten verwendet werden, wodurch das Problem fehlender p-Typ-Substrate in der SiC-Industrie gelöst wird.
Derzeit wurden auf diesem Gebiet sowohl im Inland als auch international bedeutende Durchbrüche erzielt. Die Qualität der mit dieser Methode gezüchteten 2-Zoll-SiC-Kristalle ist vergleichbar mit der mit der PVT-Methode gezüchteten, und es wurden auch einige Durchbrüche in Bereichen wie Vergrößerung, niedrige Versetzungsdichte und p-Typ-Dotierung erzielt. Charakterisieren Sie eine Reihe physikalischer Parameter wie Dotierungskonzentration, spezifischer Widerstand und Raman-Spektroskopie von Al-dotierten P-Typ-SiC-Einkristallen wie folgt:
1. Raman-Spektroskopie von Al-dotierten SiC-Einkristallen
Das Raman-Spektrum zeigt, dass der Peak bei etwa 838 cm erscheint-1ist der A1-Peak von 4H-SiC. Während es bei anderen SiC-Kristallformen keinen Raman-Peak in der Nähe von 838 cm gibt-1Das Auftreten dieses charakteristischen Raman-Peaks zeigt also an, dass es sich bei dem gewachsenen Kristall um eine 4H-Kristallform handelt.
Abb. 1 Raman-Spektren von SiC-Proben (S1, S2 und S3) mit unterschiedlichen Al-Dotierungskonzentrationen
2. Hall-Test einer P-Typ-SiC-Probe
Die Hall-Testergebnisse von Al-dotierten SiC-Proben lauten wie folgt:
| Probe | Al-Dotierungskonzentration (/cm3) | Konzentration freier Träger (/cm3) | Spezifischer Widerstand (Ω-cm) | Trägermobilität (cm2/Vs） |
| S1 | 9,62*1019 | 5,115*1019 | 0.22380 | 0.625 |
| S2 | 1,78*1020 | 4,791*1020 | 0.04745 | 0.366 |
| S3 | 2,03*1020 | 9,832*1020 | 0.02283 | 0.278 |
Die obigen Daten deuten darauf hin, dass es im p-SiC-Kristall noch andere Faktoren gibt, die freie Ladungsträger bereitstellen. Wir glauben, dass es sehr wahrscheinlich ist, dass die Al-Dotierung das Vorhandensein von Si- oder C-Leerstellen im Kristall ausgelöst hat, wodurch eine große Anzahl freier Ladungsträger im SiC-Kristall vom P-Typ bereitgestellt wurde. Darüber hinaus haben Literaturberichte experimentell und theoretisch bestätigt, dass sowohl Si- als auch C-Leerstellen Lochträger für SiC-Einkristalle darstellen können. Laut Raman-Daten ist der Raman-Peak der Probe S3 relativ schwach, was auch darauf hindeutet, dass sich im relativ minderwertigen S3-Kristall möglicherweise eine große Anzahl von Si- oder C-Leerstellen befindet.
3. Rocking-Kurve der Röntgenbeugung von P-Typ-SiC
Die Forscher führten einen Rocking-Curve-Test am Beugungspeak der Probe (0004) durch. Die Testergebnisse sind in der folgenden Abbildung dargestellt. Die Halbwertsbreite des Kristalls beträgt 72 Bogensekunden. Dies deutet darauf hin, dass die Qualität des gewachsenen Kristalls immer noch gut ist, aber im Vergleich zur Rocking-Kurve des Einkristalls ist seine Halbwertsbreite immer noch etwas höher. Es wird angenommen, dass dies auf die hohe Konzentration an Al-Atomdotierung im Kristall zurückzuführen ist, die die Kristallqualität beeinträchtigt.
Abb. 2 Rocking-Kurve der Röntgenbeugung des S3-Peaks (0004) der P-Typ-SiC-Probe
Referenz:
Zhang Zesheng
Studien zum Lösungswachstum und den Eigenschaften von SiC-Kristallen
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