La heteroestructura de GaAsSb/InGaAs/InP es proporcionada por el productor de epi-estructura MBE PAM-XIAMEN para la fabricación de sensores ópticos. La constante de red de antimoniuro de arseniuro de galio (GaAsSb) coincide completamente con la constante de red de Sustrato de InP, por lo que es fácil para el crecimiento epitaxial en sustrato InP con buena uniformidad. La longitud de onda de respuesta del detector de superred de tipo II InGaAs/GaAsSb se puede ajustar cambiando el espesor de la capa y la estructura de cada material en la superred. Las superredes de GaAsSb/InGaAs son el sistema de material preferido para un nuevo tipo de detectores infrarrojos de onda corta. Aquí se enumeran las especificaciones de PAM-XIAMEN:

1. Especificación de Superredes GaAsSb / InGaAs en sustrato InP

PAM161124 – SLS

2. Fabricación de oblea epitaxial de GaAsSb/InP

El InGaAs no deseado es de tipo n, la concentración de fondo de i-InGaAs para la tecnología MBE es mucho menor que la de MOCVD. Nuestra tecnología puede llegar a 7-9E14cm³. Si necesita una concentración de portador más baja, compensaremos i-InGaAs dopando Be.

El GaAsSb no deseado es de tipo p, la concentración de fondo de i-InGaAs para la tecnología MBE es de casi 1-5E15cm³, que es mucho más bajo que el de MOCVD. Y es fácil lograr una concentración de fondo más baja dopando Si.

La capa de i-InGaAs puede ser de tipo p leve, cuya concentración es de 1-5E15cm³ dopando a Be. Normalmente, para el dispositivo de microondas basado en InP, solo cultivamos InAlAs de 200 nm para la capa de amortiguamiento, y es suficiente para eliminar la dislocación, el defecto, la mancha y la rugosidad de la superficie, etc. Por lo tanto, creemos que el InGaAs de 500 nm es suficiente para la capa de amortiguamiento, y proporcionaremos EPD< Sustrato de 500 InP para ti. Su espesor de oblea EPI es más de 4.5um, especialmente aleación ternaria. Necesita habilidades sobresalientes para crecer.

En cuanto al contacto óhmico con la especificación anterior, el contacto óhmico del InGaAs tipo p es mejor que el InAlAs tipo p. Y el metal Ti/Pt/Au es el mejor para la metalización. Además, el contacto óhmico del InGaAs de tipo n es mejor que el del InAlAs de tipo n. El metal AuGeNi/Au es el mejor para la metalización, al igual que el contacto óhmico n-GaAs. Para un buen contacto óhmico con el InGaAs de tipo p, el grabado de la mesa debe detenerse más o menos en el medio de la capa. Cuanto más gruesa sea la capa de InGaAs, más fácil se podrá hacer.

3. Efectos del dopaje Be en las propiedades de las epicapas de InGaAs/GaAsSb

Existe una relación directa entre la concentración de portadores en la región de absorción de los detectores fotovoltaicos y el rendimiento del detector. La concentración de portadores en la región de absorción determina la vida útil y la duración de la difusión de los portadores minoritarios, lo que afecta la eficiencia cuántica y la tasa de detección del detector. En el detector de superred de tipo InGaAs / GaAsSb II, la superred se utiliza como región de absorción, y los portadores de fondo en la superred intrínseca son conductores de tipo n, lo que significa que los portadores minoritarios del detector son agujeros, y la difusión de agujeros . La longitud es menor que la longitud de difusión de los electrones. Si los portadores minoritarios en la región de absorción son electrones, se puede aumentar la longitud de difusión de los portadores minoritarios. Por lo tanto, utilizamos Be tipo p para compensar el material de superred y estudiamos la relación entre las diferentes temperaturas de dopaje de Be y las propiedades del pozo cuántico InGaAs/GaAsSb. Descubrimos que la concentración de dopaje de la superred es sensible a la temperatura Be.

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