¿Cómo cultiva PAM-XIAMEN las obleas epitaxiales LED de GaN?

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¿Cómo cultiva PAM-XIAMEN las obleas epitaxiales LED de GaN?

El nitruro de galio (GaN) es el material básico del LED azul y tiene importantes aplicaciones en LED y láser ultravioleta.

PAM-XIAMEN puede hacer crecer epitaxialmente obleas de GaN para LED y LD. Para obtener más especificaciones de obleas, visite:https://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/epitaxial-wafer.html. ¿Cómo hacemos crecer la epiwafer LED de GaN en zafiro?

Por favor, haga clic en el enlacehttps://youtu.be/uu0tCdmAA10para ver el proceso de crecimiento de la oblea LED GaN de PAM-XIAMEN.

La tecnología de epitaxia que adoptamos es MOCVD.

En primer lugar, el sustrato se somete a un tratamiento a alta temperatura para limpiar la superficie.

En segundo lugar, haga crecer una capa amortiguadora de aproximadamente 20-30 nm a bajas temperaturas debido a la gran falta de coincidencia entre el zafiro y el GaN.

En tercer lugar, hacer crecer una capa de GaN de tipo N de aproximadamente 4 um de espesor principalmente como una capa activa, proporcionando electrones de recombinación radiativa.

Luego, crece un conjunto de pozos cuánticos múltiples (MQW), cuya composición está determinada por una capa de InGaN.

Ajuste la composición del indio en MQW para lograr la longitud de onda que desee.

La eficiencia de generación se puede mejorar optimizando los parámetros de MQW, como el número de pozos, el espesor periódico de los pozos moleculares del grupo de materiales y la concentración de dopaje.

Después de eso, crece una capa de AlGaN tipo P. Un componente de Al más alto puede limitar el portador y mejorar significativamente la eficiencia luminosa.

Finalmente, la epicapa de GaN de tipo P se cultiva para proporcionar electrones de recombinación de radiación para el MQW.

Después del crecimiento epitaxial, se requiere el recocido para activar la capa P, lo que reduce el voltaje.

 

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico avictorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.

2023-04-26

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