diametro massimo 12 "
Height≤17 "
Alta density≤2.19 g / cm3
Elevata purezza> 99,99%
elevata resistenza fessurazione (eccellente coefficiente di espansione termica)

Diametro massimo 8 "
Height≤18 "
purezza Garanzia> 99,99%
Può essere usato per molte volte (Excellent struttura tra gli strati)
Alta formazione dei cristalli tasso. (Si può garantire un'alta formazione dei cristalli tasso regolando anisotropia)

diametro massimo 12 "
Height≤17 "
Alta density≤2.19 g / cm3
Elevata purezza> 99,99%
elevata resistenza fessurazione (eccellente coefficiente di espansione termica)

Height≤17 "
Alta density≤2.19 g / cm3
Elevata purezza> 99,99%
elevata resistenza fessurazione (eccellente coefficiente di espansione termica)
Nessuna deformazione ad alta temperatura (può resistere alla temperatura elevata di 2300 ℃ nel vuoto)
Lunga durata di vita

può resistere alla temperatura elevata di 2300 ℃ in ambiente sotto vuoto ei 2700 ℃ in atmosfera di ammoniaca;
Elevata purezza (> 99,99%). E non rilascerà le impurità del gas quando i servizi ad alta temperatura;
Buona tenacità. È simile alla struttura esagonale di grafite;
Un buon isolamento ad alta temperatura. La resistività di volume è 3.11 × 1011Ω · cm;
inerzia chimica. Buona resistenza alla corrosione di solvente acido, alcali e organico;
Si può ridurre lo spreco di calore impedendo conduzione di calore

materiale PBN può resistere alla temperatura elevata di 2300 ℃ nel vuoto e 2700 ℃ in atmosfera di ammoniaca;
Elevata purezza (> 99,99%). E non rilascerà le impurità gas ad alta temperatura;
Buona tenacità. È simile alla struttura esagonale di grafite;
Un buon isolamento ad alte temperature;
inerzia chimica. Buona resistenza alla corrosione di solvente acido, alcali e biologici

Forte adesione, non sia facile cadere;
Per proteggere la grafite dalla corrosione;
Per impedire la grafite di rilasciare carbonio;
Isolamento

riscaldamento superficiale e buona distribuzione della temperatura;
Non influenzato dal campo magnetico;
Di elevata purezza, rilascia poco gas a grande calore;
Può essere adattato per il riscaldamento di contatto;
velocità di riscaldamento di alta;
Lunga durata;
Buona resistenza alla corrosione di solvente acido, alcali e biologici

MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) è un processo speciale per crescere film sottili di semiconduttore sulla matrice. È stato sviluppato sulla base della fase vapore epitassiale (VPE) della crescita, ed è diventata una nuova tecnologia in VPE. I materiali di base di cristalli cresciuti per MOCVD sono composto organico metallo idruro. Il metallo generalmente da gruppo Ⅱ o Ⅲ quando successivamente è costituito dagli elementi del gruppo V, Ⅵ. La crescita epitassiale in fase vapore su substrati segue il metodo della reazione di decomposizione termica, e ottiene composti chimici semiconduttivi del gruppo Ⅲ-V, Ⅱ-Ⅵ, e loro materiali di cristallo sottile strato di soluzione solida multipla.