PAM-XIAMEN boleh tawarkanWafer epitaksi LEDdan mampu menawarkan perkhidmatan & bekalan faundri GaN untuk LED. Perkhidmatan faundri GaN termasuk perkhidmatan pertumbuhan OEM, proses COW dan pelbagai perkhidmatan ujian. Secara khusus seperti berikut:
1. Perkhidmatan OEM – Struktur Epi Filem Nipis berasaskan AlGaN Tersuai
Kami membekalkan hidangan tersuai wafer epitaxial 2, 4 inci DUV-LED. Dan panjang gelombang wafer epitaxial GaN dari faundri GaN kami adalah dari 265nm hingga 280nm.
Selain itu, servis tersuai bagi struktur LED epitaxial berasaskan AlGaN 2&4 inci tersedia. Di dalamnya, komposisi Al lapisan epi AlGaN boleh laras antara 0~100%
2. Perkhidmatan Faundri Cip GaN – Proses LEMBU untuk Peranti LED Biru, UVA dan UVC
Perkhidmatan GaN: Proses COW dan perkhidmatan OEM tunggal dalam faundri kami untuk peranti LED biru, UVA dan UVC termasuk fotolitografi, etsa ion reaktif (untuk GaN, AlN dan AlGaN), etsa ion reaktif (SiO2, Si3N4), PECVD (SiO2, Si3N4). ), penyejatan rasuk elektron (Au, Ni, Cr, Al, Ti), penyejatan rasuk elektron (ITO), penyepuhlindapan pantas, CMP (penipisan, pengisaran, penggilap) dan lain-lain.
2.1 Fotolitografi untuk LED GaN
Kami boleh melakukan fotolitografi ketepatan 1μm untuk wafer LED GaN 4 inci dan ke bawah, yang boleh dikawal dengan tepat mengikut keperluan pelanggan.
2.2 Goresan Plasma Berganding Secara Induktif (ICP) untuk Epi LED berasaskan GaN
Kami dapat melakukan etsa corak untuk bahan GaN, AlN dan AlGaN.
2.3 Etching Ion Reaktif (RIE) untuk Wafer Semikonduktor GaN
Untuk filem nipis SiO2 dan SiNx, pengelasan corak dilakukan pada wafer GaN.
2.4 Pemendapan Wap Kimia Dipertingkat Plasma (PECVD) untuk Epiwafer GaN
Untuk Wafer 6 inci dan ke bawah, pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma dilakukan untuk membentuk filem SiO2 atau SiNx yang seragam, padat dan boleh dikawal ketebalan pada permukaan epitaksi GaN.
2.5 Salutan penyejatan rasuk elektron (E-Beam) pada Wafer Epitaxial GaN
Dengan mengebom sasaran dengan pancaran elektron dari pistol elektron, penyejatan filem nipis ITO dilakukan pada permukaan GaN, bahannya ialah Au, Ni, Cr, Al, Ti dan sebagainya.
Pemendapan wap filem nipis logam seperti Ag dan Pt.
2.6 Penyepuhlindapan Pantas (RTA) Filem Nipis GaN
Berdasarkan keperluan proses anda, penyepuhlindapan pantas kami boleh menggunakan gas berbeza seperti N2 dan O2 untuk memadankan proses yang berbeza, dan menetapkan kadar pemanasan dan penyejukan yang berbeza, suhu penyepuhlindapan, dan masa penyepuhlindapan untuk mengaloi dan menggabungkan elektrod logam untuk memenuhi keperluan elektrik produk.
3. Perkhidmatan Ujian GaN
Kami membekalkan perkhidmatan ujian untuk wafer GaN seperti di bawah:
3.1 Ujian XRD Bahan Filem Nipis Semikonduktor
ω-imbasan satah kristal berbeza bahan filem nipis semikonduktor 2-4 inci: ujian lengkung goyang boleh menggunakan prinsip pengimejan ruang terbalik untuk merealisasikan pengukuran Pemetaan ruang terbalik, mendapatkan komposisi dan tegasan bahan aloi ternary seperti AlGaN, dan juga mempunyai fungsi pengukuran ketebalan filem.
3.2 Ujian AFM untuk Epiwafer
Ujian AFM mempunyai dua mod: Tapping dan Contact, yang boleh mengesan topografi permukaan bahan, dilengkapi dengan modul C-AFM yang mampu menyelidik saluran semasa dalam bahan. Menggunakan fungsi KPFM, fungsi kerja bahan logam dan potensi permukaan bahan semikonduktor boleh diuji. Menggunakan fungsi LFM, daya geseran domain mikro pada permukaan bahan organik boleh diuji. Menggunakan MFM, taburan domain magnetik sampel boleh diukur.
3.3 Pengimbas Pengimbasan Spektrum PL Wafer Epitaxial
Pengimbas pengimbasan spektrum wafer epitaxial boleh serasi di bawah 6 inci Wafer epitaxial, kandungan ujian termasuk: panjang gelombang puncak wafer epitaxial LED biru (WLP), panjang gelombang dominan (WLD), separuh lebar spektrum (HW), keamatan cahaya bersepadu (INT) , keamatan puncak (PI); ketebalan dan pemantulan filem epitaxial (PR); memaparkan dan mengeluarkan nilai purata bagi setiap parameter yang diukur (Min), ralat min kuasa dua (Std), kadar sisihan piawai (CV) dan keputusan statistik lain, dan memaparkan secara grafik taburan pemetaan bagi setiap parameter; mengukur lengkungan wafer epitaxial.
3.4 Mikroskop Daya Probe Kelvin
Mikroskop daya atom mempunyai fungsi ujian KPFM, yang boleh menguji fungsi kerja bahan logam dan potensi permukaan bahan semikonduktor.
Pada masa yang sama, sistem ujian bantuan cahaya boleh dipasang untuk menguji perubahan potensi permukaan peranti semikonduktor di bawah keadaan pencahayaan.
3.5 Ujian Kesan Dewan Suhu Tinggi dan Rendah
Kami menyediakan pengukuran Dewan suhu tinggi bahan filem nipis semikonduktor, suhu ujian ialah 90-700K, dan kekuatan medan magnet magnet ialah 0.5 T, rintangan lembaran diukur maksimum ialah 10^11 ohm/sq, arus ujian minimum ialah 1μA, julat DC adalah dari 1μA hingga 20 mA, dan mod AC juga tersedia (sampel rintangan tinggi tidak boleh diukur dalam mod AC).
3.6 Spektrum Transien Tahap Dalam
Spektroskopi sementara tahap dalam suhu tinggi dan ujian spektroskopi sementara tahap dalam berbantukan cahaya disediakan untuk mengesan tahap tenaga dalam semikonduktor dan keadaan antara muka sederhana dan mengesan kekotoran dan kecacatan. Spektrum sementara tahap dalam boleh diberikan untuk mencirikan jurang jalur semikonduktor Spektrum kekotoran DLTS, tahap kecacatan dalam dan keadaan antara muka dalam taburan dengan suhu (iaitu tenaga).
3.7 Ujian Pengangkutan Kuantum
Kami menyediakan ujian pengangkutan kuantum medan magnet suhu rendah dan kuat, ujian rintangan magnet talian dan ujian Dewan. Biasanya sampel adalah Mula-mula mengukur suhu pembolehubah IV, dan kemudian mengukur rintangan magnet. Julat pengukur magnetoresistif ialah 0.1ohm-100ohm.
Bagi semikonduktor III-V, Ujian Dewan Suhu rendah dan medan magnet yang kuat boleh mendapatkan mobiliti sampel dan perubahan kepekatan elektron dengan suhu. Untuk sampel kuantiti kesan sub-kurung seperti gas elektron dua dimensi, medan magnet panas rendah dan kuat boleh membawa kepada pembelahan Zeeman, dengan itu kesan kuantum seperti ayunan SdH diperhatikan, dan sifat pengangkutan sub jalur yang berbeza (kepekatan elektron mobiliti Belanja ) boleh diperolehi.
3.8 Analisis Parameter Elektrik Bahan dan Struktur Filem Nipis Semikonduktor
Menyediakan analisis parameter elektrik bahan dan struktur filem nipis semikonduktor, penunjuk unit ukuran Sumber DC: voltan maksimum 210V, arus maksimum 100mA, kuasa maksimum 2W; penunjuk unit pengukuran nadi: frekuensi penjana nadi sistem: 50MHz-1Hz; lebar nadi minimum: 10ns; voltan nadi maksimum: 80V, -40V-40V.
3.9 Spektrometer Raman Dipertingkat Tip
Menyediakan ujian Raman kawasan mikro, memiliki spektrometer Raman (TERS) yang dipertingkatkan tip Neaspec, dengan resolusi spatial 10nm dan peningkatan keamatan Raman.
Ia lebih daripada 1000 kali lebih kuat, dan boleh mengukur kekuatan medan hampir dan keyakinan bit bagi urutan ketiga atau lebih.
3.10 Ujian Optik
Platform ujian optik mempunyai laser 213, 266, 325, 532 dan 633nm dan boleh digunakan untuk mengukur bahan dengan panjang gelombang pelepasan yang berbeza. Spektrometer menggunakan peralatan iHR550, resolusi mencapai 0.33nm, dan julat panjang gelombang koleksi meliputi bahagian ultraungu, kelihatan dan inframerah
Ujian opitcal boleh mengukur bahan pukal dan sampel bersaiz mikron. Peranti spektroskopi platform tidak bersepadu dan bebas boleh menggabungkan komponen dengan fungsi yang berbeza untuk memenuhi pelbagai keperluan ujian, seperti pengukuran polarisasi optik, spektroskopi tekanan, suhu rendah dan kuasa berubah-ubah. Menyediakan ujian spektrum penyelesaian masa bagi bahan dan struktur filem nipis semikonduktor. Dengan merekodkan perubahan dalam spektrum dari semasa ke semasa, kita boleh memahami peristiwa dan proses yang berlaku dalam proses serta-merta, supaya mendapatkan maklumat yang tidak boleh diperolehi dalam spektrum keadaan mantap (spektrum bersepadu). Pengukuran jangka hayat sinaran pembawa digunakan untuk mendapatkan maklumat yang berkaitan seperti hayat keadaan teruja, kebarangkalian peralihan, keratan rentas perlanggaran, kadar tindak balas dan pemindahan tenaga.
Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Bermula dari 1 Ogos 2023, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman dan kerjasama anda!
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.