Struktur Fotodiod PIN 1550nm

Struktur Fotodiod PIN 1550nm

Wafer fotodiod Epitaxial InGaAsP / InP ditawarkan untuk membuat peranti optoelektronik berasaskan InP. Untuk peranti sedemikian, bahan kuaternari InGaAsP biasanya ditanamSubstrat InPsebagai lapisan sentuhan ohmik. Epitaxial filem nipis InGaAsP Kuaternari pada InP adalah sensitif kepada pendaran InP. Struktur fotodiod PIN InGaAsP / InP boleh menjadikan peranti dengan arus bocor yang rendah. Butiran struktur fotodiod heterojunction GaInAsP / InP daripada PAM-XIAMEN adalah seperti berikut:

wafer Struktur Fotodiod PIN

1. Struktur Fotodiod InGaAsP

Struktur Epi 1550nm Fotodiod Berdasarkan GaInAsP / InP untuk PIN (PAM211119-1550PIN)
lapisan Bahan Ketebalan (nm) Dopant Kepekatan Dopan (cm-3) Jenis
4 GaxDalam1-xSebagaiyP1-y Si N
3 Dalam p Si N
2 GaxDalam1-xSebagai Undoped N
1 Dalam p 0.5-1 Si N
  Substrat N+ InP        

 

Kenyataan:

1) Sebatian padanan kekisi InGaAsP membenarkan komposisi lapisan penyerap dan lutsinar;

2) Ciri-ciri InGaAsP / InP termasuk variasi celah jalur antara 1.65 μm dan 0.92 μm, bergantung pada komposisi InGaAsP dan pemalar penyerapan In0.53Ga0.47Pada 1.55 μm kira-kira 7,000 cm-1.

2. Penentuan Indeks Biasan InGaAsP / InP Structure Epitaxial Layer

Untuk peranti yang direka pada struktur fotodiod salji kuaterner InGaAsP / InP, parameter lapisan epitaxial bukan sahaja ditentukan oleh nisbah setiap komponen sebelum epitaksi tetapi juga berkait rapat dengan proses epitaxial. Oleh itu, adalah perlu untuk memastikan bahawa peranti memenuhi keperluan reka bentuk yang telah ditetapkan daripada proses dan meningkatkan ketekalan proses, dan ia juga perlu untuk mencuba parameter lapisan epitaxial untuk tempoh masa tertentu.

Penentuan langsung indeks biasan lapisan epitaxial InGaAsP / InP heterostructure PIN fotodiod adalah untuk menggandingkan laser Ar+ ke dalam lapisan epitaxial melalui grating terukir pada lapisan epitaxial, dan pendarfluor yang dipancarkan oleh Ar+ fluorida kemudiannya digandingkan keluar. oleh parut. Kelemahan utama kaedah bahawa indeks biasan dan ketebalan lapisan epitaxial boleh diperoleh dengan pengiraan ialah kisi terukir perlu dibuat pada lapisan epitaxial, dan pengiraan diperoleh dengan andaian bahawa kedalaman alur parut. adalah 0.1 μm lebih awal, jadi ketepatan indeks biasan yang diperolehi bagi struktur InGaAs / InGaAsP / InP adalah rendah, hanya sekitar ±0.01.

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di [email protected] dan [email protected].

Kongsi catatan ini