Struktur Fotodiod PIN 1550nm

Struktur Fotodiod PIN 1550nm

Wafer fotodiod Epitaxial InGaAsP / InP ditawarkan untuk membuat peranti optoelektronik berasaskan InP. Untuk peranti sedemikian, bahan kuaternari InGaAsP biasanya ditanamSubstrat InPsebagai lapisan sentuhan ohmik. Epitaxial filem nipis InGaAsP Kuaternari pada InP adalah sensitif kepada pendaran InP. Struktur fotodiod PIN InGaAsP / InP boleh menjadikan peranti dengan arus bocor yang rendah. Butiran struktur fotodiod heterojunction GaInAsP / InP daripada PAM-XIAMEN adalah seperti berikut:

wafer Struktur Fotodiod PIN

1. Struktur Fotodiod InGaAsP

Struktur Epi 1550nm Fotodiod Berdasarkan GaInAsP / InP untuk PIN (PAM211119-1550PIN)
lapisan Bahan Ketebalan (nm) Dopant Kepekatan Dopan (cm-3) Jenis
4 GaxDalam1-xSebagaiyP1-y – Si – N
3 Dalam p – Si – N
2 GaxDalam1-xSebagai – Undoped – N
1 Dalam p 0.5-1 Si – N
Substrat N+ InP

 

Kenyataan:

1) Sebatian padanan kekisi InGaAsP membenarkan komposisi lapisan penyerap dan lutsinar;

2) Ciri-ciri InGaAsP / InP termasuk variasi celah jalur antara 1.65 μm dan 0.92 μm, bergantung pada komposisi InGaAsP dan pemalar penyerapan In0.53Ga0.47Pada 1.55 μm kira-kira 7,000 cm-1.

2. Penentuan Indeks Biasan InGaAsP / InP Structure Epitaxial Layer

Untuk peranti yang direka pada struktur fotodiod salji kuaterner InGaAsP / InP, parameter lapisan epitaxial bukan sahaja ditentukan oleh nisbah setiap komponen sebelum epitaksi tetapi juga berkait rapat dengan proses epitaxial. Oleh itu, adalah perlu untuk memastikan bahawa peranti memenuhi keperluan reka bentuk yang telah ditetapkan daripada proses dan meningkatkan ketekalan proses, dan ia juga perlu untuk mencuba parameter lapisan epitaxial untuk tempoh masa tertentu.

Penentuan langsung indeks biasan lapisan epitaxial InGaAsP / InP heterostructure PIN fotodiod adalah untuk menggandingkan laser Ar+ ke dalam lapisan epitaxial melalui grating terukir pada lapisan epitaxial, dan pendarfluor yang dipancarkan oleh Ar+ fluorida kemudiannya digandingkan keluar. oleh parut. Kelemahan utama kaedah bahawa indeks biasan dan ketebalan lapisan epitaxial boleh diperoleh dengan pengiraan ialah kisi terukir perlu dibuat pada lapisan epitaxial, dan pengiraan diperoleh dengan andaian bahawa kedalaman alur parut. adalah 0.1 μm lebih awal, jadi ketepatan indeks biasan yang diperolehi bagi struktur InGaAs / InGaAsP / InP adalah rendah, hanya sekitar ±0.01.

3. FAQ for PIN Photodiode Wafer

Q: May I know if you have the data of the refractive index of the MQW layer in 1550nm PIN photodiode structure?

A: The refractive index of this PIN photodiode wafer is around XX between 1000nm-1600nm, and it has small fluctuation. Please contact our sales team victorchan@powerwaywafer.com for specific value.

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.

2022-04-15

Kongsi catatan ini

Berkaitan Catatan

4″ Silicon EPI Wafer-2

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon EPI Wafers. Substrate EPI Comment Size Type Res Ωcm Surf. Thick μm Type Res Ωcm 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.0010-0.0035 P/E 37 p- Si:B 35±10% P/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.0010-0.0035 P/E 16.5 n- Si:P 12.5±10% P/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.0010-0.0035 P/E 45 p- Si:B 13±10% P/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.0010-0.0035 P/E 7±1 n- Si:P 12±10% P/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.0010-0.0035 P/E 45 p- Si:B 14.5±10% P/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.0010-0.0035 P/E 7 n- Si:P 12±10% P/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.002-0.005 P/E 88 p- Si:B 80.5±10% P/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.002-0.005 P/E 88 n- Si:P 27±10% P/N/N+ 4″Øx380μm n- Si:As[111] 0.002-0.005 P/E 105 p- Si:B 0.0035±10% P/N/N+ 4″Øx380μm n- Si:As[111] 0.002-0.005 P/E 26 n- Si:P 5±10% P/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.0010-0.0035 P/E 10.15 n- Si:P 3.8±0.5 N/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.0010-0.0035 P/E 6.8±0.8 n- Si:P 0.55±0.15 N/N/N+ 4″Øx380μm n- Si:As[111] 0.004-0.008 P/EOx 16.5 n- Si:P 35 ±10% N/N+ 4″Øx508μm n- Si:As[111] 0.002-0.005 P/E 19±1.3 n- Si:P 25±5 N/N/N+ 4″Øx508μm n- Si:As[111] 0.002-0.005 P/E 54.5±3.6 n- Si:P 4.4 N/N/N+ 4″Øx380μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/EOx 20 n- Si:P 270 ±10% N/N+ 4″Øx400μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 20 n- Si:P 0.09 ±10% N/N+ 4″Øx400μm n- [...]

2019-03-08pengarang meta
Silicon Filter

With the development of miniaturization and single-chip devices, the integration of active and passive circuits is the trend. Conventional filters have become the bottleneck for miniaturization and single-chip of microwave and millimeter wave devices due to their large size (especially in the millimeter wave [...]

2024-01-08pengarang meta
Pertumbuhan epitaksi SiC menggunakan CVD berasaskan klorida

Abstrak Pertumbuhan lapisan SiC epitaxial tebal yang diperlukan untuk peranti voltan tinggi, berkuasa tinggi disiasat dengan pemendapan wap kimia berasaskan klorida. Kadar pertumbuhan yang tinggi melebihi 100 μm/j boleh diperolehi, namun untuk mendapatkan epilayers kualiti peranti, pelarasan parameter proses perlu dilakukan dengan sewajarnya [...]

2017-09-05pengarang meta
4″ Silicon Wafer-5

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment Intrinsic Si:- [100] 4″ 500 P/E FZ 13,000-20,000 SEMI Prime, TTV<5μm, Front-side Prime polish, Back-side light polish Intrinsic Si:- [100] 4″ 615 ±10 C/C FZ >10,000 SEMI Prime Intrinsic Si:- [100] 4″ 800 C/C FZ >10,000 SEMI Prime Intrinsic Si:- [111] ±0.5° 4″ 525 P/E FZ >22,000 SEMI Prime Intrinsic Si:- [111] ±0.5° 4″ 300 P/E FZ 20,000-40,000 SEMI, TTV<5μm Intrinsic Si:- [111] ±0.5° 4″ 450 P/P FZ >20,000 SEMI Prime Intrinsic Si:- [111] ±0.5° 4″ 500 P/E FZ >20,000 SEMI Prime, Extra 3 free non-prime wafers included with 4 prime wafers Intrinsic Si:- [111] ±1.0° 4″ 500 P/P FZ >15,000 SEMI Prime, TTV<5μm p-type Si:B [110] ±0.25° 4″ 525 P/E 5-10 SEMI [...]

2019-03-05pengarang meta
3″ Silicon Wafer-5

PAM XIAMEN offers 3″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment p-type Si:B [100] 3″ 5000 P/E 1-30 Prime, NO Flats, Individual cst p-type Si:B [100] 3″ 300 P/P 0.5-10.0 SEMI Prime, TTV<2μm, Empak cst p-type Si:B [100] 3″ 315 P/P 0.5-10.0 SEMI Prime, TTV<3μm p-type Si:B [100] 3″ 3,050 ±50 C/C >0.5 1Flat, Individual cst (can be ordered singly) p-type Si:B [100] 3″ 250 P/E 0.15-0.20 SEMI TEST (Scratches), in sealed Empak cassettes of 3 wafers p-type Si:B [100] 3″ 250 BROKEN 0.15-0.20 Broken wafers, in Epak cst p-type Si:B [100] 3″ 356 P/P 0.015-0.020 SEMI p-type Si:B [100-4° towards[110]] ±0.5° 3″ 230 P/E 0.01-0.02 SEMI Prime, TTV<5μm p-type Si:B [100] 3″ 300 P/E 0.01-0.02 SEMI Prime p-type [...]

2019-03-06pengarang meta
How Silicon Carbide (SiC) Chips Are Made?

How is silicon carbide (SiC) chip made? Generally speaking, chips are semi-finished products that have been cut from wafers. PAM-XIAMEN can offer SiC wafers for making chips, more specifications please refer to https://www.powerwaywafer.com/sic-wafer. Each wafer integrates hundreds of chips, and each chip consists of [...]

2022-07-27pengarang meta