Photomask Middium dan Saiz Kecil

Photomask Middium dan Saiz Kecil

PAM XIAMEN menawarkan Middium dan Photomask Saiz Kecil.

Ketepatan Plat Chromium (Saiz Standard: Kuarza 6 inci)

Ketepatan / Gred Ketepatan Maksimum Berketepatan tinggi Ketepatan sederhana Ketepatan am
Lebar Garisan / Ruang Minimum 0.75μm / 0.75μm 3μm / 3μm 5μm / 5μm 10μm / 10μm
Kawalan CD ± 0.1μm ± 0.3μm ± 0.5μm ± 1.0μm
Ketepatan Pitch Total ± 0.25μm ± 0.5μm ± 0.75μm ± 1.0μm
Ketepatan Pendaftaran ± 0.25μm ± 0.5μm ± 0.75μm ± 1.0μm
Ketepatan Overlay ± 0.25μm ± 0.5μm ± 0.75μm ± 1.0μm
Orthogonality ± 0.5μrad ± 0.75μrad ± 1.0μrad ± 2.0μrad

 

Bahan Plat Chrome (Plat Kosong Photomask)

Bahan Kaca Soda Limau 、 Kuarza
Maks. Saiz 3006,4009,5009,6012,6025,7012,9012,12 ″ x12 ″, 14 ″ x14 ″
Saiz Biasa 1.5 ± 0.2mm, 2.3 ± 0.2mm, 3.0 ± 0.2mm, 4.8 ± 0.2mm
ketebalan 6.35 ± 0.2mm (QZ)
Jenis Filem Chrome Refleksi Rendah
Ketumpatan Optik (λ = 450nm) Antara Plat3.0 ± 0.3 Dalam Plat ± 0.3
Reflektifiti (λ = 436nm) Antara Plat 10 ± 5% Dalam Plat ± 2%

 

Kawasan aplikasi utama:
1. IC Bumping, IC board, IC Lead Frame dan industri lain yang berkaitan;
2. LED (PSS), MEMS, SENSOR dan ENCODER dan industri komponen elektronik yang lain.

 

For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com,
send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

Mendapati pada tahun 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) adalah sebuah pengeluar terkemuka bagi bahan semikonduktor di China.PAM-XIAMEN membangunkan pertumbuhan maju kristal dan teknologi epitaxy, proses pembuatan, substrat kejuruteraan dan peranti semikonduktor.teknologi PAM-XIAMEN ini membolehkan prestasi yang lebih tinggi dan pembuatan kos yang lebih rendah daripada wafer semikonduktor.

Kualiti adalah keutamaan kami. PAM-XIAMEN telah ISO9001: 2008, memiliki dan saham empat facories moden yang boleh memberikan agak pelbagai besar produk-produk berkualiti untuk memenuhi keperluan yang berbeza dari pelanggan kami, dan tiap-tiap perintah perlu dikendalikan melalui laporan kualiti yang ketat kami system.Test disediakan bagi setiap penghantaran, dan setiap wafer adalah dijamin.

2019-07-04

Kongsi catatan ini

Berkaitan Catatan

GaAs Epiwafer with AlGaAs Multilayers for VCSEL Laser Application

PAM-XIAMEN can offer GaAs epiwafer (gallium arsenide epiwafer) with p-type & n-type AlGaAs multilayer for VCSEL laser application. The specifications of GaAs epiwafer are as follow: 1. Specifications of GaAs Epiwafer with AlGaAs Multilayers VCSEL, 980nm, GaAs epiwafer, 4″size PAM210208 Layer No. Material Group Repeat Mole Fraction(x) Strain(ppm) PL(nm) Thickness(nm) Dopant 32 GaAs  –  –  –  –  – 156 C 31 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 50.5 C 30 Al(x)GaAs  –  – 0.87->0.04  –  – 20 C 29 Al(x)GaAs  –  – 0.87  –  – 59.7 C 28 Al(x)GaAs  – 16 0.04->0.87  –  – 20 C 27 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 C 26 Al(x)GaAs  – 0.87->0.04  –  – 20 C 25 Al(x)GaAs  – 0.87  –  – 59.7 C 24 Al(x)GaAs  –  – 0.04->0.87  –  – 20 C 23 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 32.9 C 22 Al(x)GaAs  –  – 0.80->0.04  –  – 20 C 21 Al(x)GaAs  –  – 0.98  –  – 20 C 20 Al(x)GaAs  –  – 0.8  –  – 61.6 C 19 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 18 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 17 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 16 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 15 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 14 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 13 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 12 Al(x)GaAs  –  – 0.87  –  – 59.7 Si 11 Al(x)GaAs  –  – 0.04->0.87  –  – 20 Si 10 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 51.5 Si 9 Al(x)GaAs  –  – 0.87->0.04  –  – 20 Si 8 Al(x)GaAs  – 6 0.87  –  – 59.7 Si 7 Al(x)GaAs  – 0.04->0.87  –  – 20 Si 6 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 Si 5 Al(x)GaAs  – 30 0.92->0.04  –  – 20 Si 4 Al(x)GaAs  – 0.92  –  – 59.8 Si 3 Al(x)GaAs  – 0.04->0.92  –  – 20 Si 2 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 Si 1 GaAs  –  –  –  –  – 500 Si 4 inch GaAs substrate Si doped; [...]

2021-04-02meta-penulis
(10-11) Satah N-GaN Substrat GaN Berdiri Bebas

PAM-XIAMEN menawarkan (10-11) Satah N-GaN Berdiri Bebas GaN Substrat: Item PAM-FS-GAN(10-11)-N Dimensi 5 x 10 mm2 atau 5 x 20 mm2 Tebal 380+/-50um Orientasi (10- 11) satah luar sudut ke arah paksi A 0 ±0.5° (10-11) satah luar sudut ke arah paksi C -1 ±0.2° Jenis Pengaliran Jenis N / Kerintangan Si Doped (300K) < 0.05 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Kekasaran Permukaan Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-ready; Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap. Ketumpatan Dislokasi ≤ 5 x 10 6cm-2 Ketumpatan Kecacatan Makro 0 cm-2 Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi) Bungkus setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100 Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel di victorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com

2020-08-20meta-penulis
4″ Silicon Wafer-3

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment n-type Si:P [111] ±0.5° 4″ 630 P/G FZ >7,000 SEMI Prime, Lifetime>1,000μs, Back-side Fine Ground n-type Si:P [111] ±0.5° 4″ 675 P/E FZ >7,000 SEMI, Lifetime>1,600μs,settes of 6 and 8 wafers n-type Si:P [111] ±0.5° 4″ 675 P/E FZ >7,000 SEMI, Lifetime>1,600μs n-type Si:P [111] ±0.5° 4″ 675 P/E FZ >7,000 SEMI TEST (Scratches, Lifetime>1,600μs n-type Si:P [111] ±0.25° 4″ 675 P/E FZ 7,000-10,000 SEMI Prime, Lifetime>1,000μs, Light scratches n-type Si:P [111] ±0.5° 4″ 525 P/E FZ >5,000 SEMI Prime, Lifetime>1,000μs n-type Si:P [111-1° towards[110]] ±0.5° 4″ 525 P/E FZ >5,000 SEMI TEST (scratches on back-side) n-type Si:P [111] ±0.25° 4″ 675 P/E FZ 5,000-7,000 SEMI Prime, [...]

2019-03-05meta-penulis
Why Do Semiconductor Devices Need Epitaxial Layer?

Some news indicates that a high-tech company in a certain country has developed a new type of substrate material that matches the GaN lattice and can grow GaN well. (Note: It is very difficult to prepare GaN bulk single crystals, so the GaN mentioned [...]

2021-04-01meta-penulis
Photoluminescence-based material quality diagnostics in the manufacturing of CdZnTe ionizing radiation sensors

Photoluminescence-based material quality diagnostics in the manufacturing of CdZnTe ionizing radiation sensors A photoluminescence method was used for characterization of crystalline perfection of CdZnTe single crystals in the different stages of an up-to-date process of ionizing radiation sensor production. It was shown that the point [...]

2013-10-29pengarang meta , ,
3″ Prime EPI Wafer

PAM XIAMEN offers 3″ Prime EPI Wafer. Details of Prime 3″ Silicon Wafer Specification CZ SUBSTRATE: Orientation : 111 OFF orientation : 3° – 4° Type/Dopant : n/Sb Resistivity Ω cm : <0.018 Diameter mm : 76.2 +/- 0.5 Flats : SEMI Flat, location [...]

2019-07-03meta-penulis