フロートゾーン単結晶シリコン

PAM-XIAMENは、フロートゾーン法で得られるフロートゾーンシリコンウェーハを提供できます。 単結晶シリコンロッドはフロートゾーンの成長を経て、単結晶シリコンロッドをフロートゾーンシリコンウェーハと呼ばれるシリコンウェーハに加工します。 フローティングゾーンシリコンプロセス中、ゾーン溶融シリコンウェーハは石英るつぼと接触していないため、シリコン材料は懸濁状態にあります。 これにより、シリコンのフローティングゾーンメルト法の過程での汚染が少なくなります。 炭素含有量と酸素含有量が低く、不純物が少なく、抵抗率が高くなっています。 パワーデバイスや特定の高電圧電子デバイスの製造に適しています。

  • 説明

製品の説明

PAM-XIAMENは、フロートゾーン法で得られるフロートゾーンシリコンウェーハを提供できます。 単結晶シリコンロッドはフロートゾーンの成長を経て、単結晶シリコンロッドをフロートゾーンシリコンウェーハと呼ばれるシリコンウェーハに加工します。 フローティングゾーンシリコンプロセス中、ゾーン溶融シリコンウェーハは石英るつぼと接触していないため、シリコン材料は懸濁状態にあります。 これにより、シリコンのフローティングゾーンメルト法の過程での汚染が少なくなります。 炭素含有量と酸素含有量が低く、不純物が少なく、抵抗率が高くなっています。 パワーデバイスや特定の高電圧電子デバイスの製造に適しています。

1. Float zone silicon wafer specification 

ype 伝導型 方向付け 直径(mm) 導電率(Ω。•CM)
高抵抗 N&P <100>&<111> 76.2-200 >1000
NTD N <100>&<111> 76.2-200 30-800
CFZ N&P <100>&<111> 76.2-200 1-50
GD N&P <100>&<111> 76.2-200 0.001から300

1.1 Floating zone silicon wafer specification

インゴットパラメータ 項目 説明
成長する方法 FZ
方向付け <111>
オフオリエンテーション 最寄りの4±0.5度<110>
タイプ/ドーパント P /ホウ素
抵抗率 10-20 W.cm
RRV ≤15%(最大エッジセン)/セン

 

1.2 FZ silicon wafer specification

meter 項目 説明
直径 150±0.5ミリメートル
厚さ 675±15ええと
プライマリフラット長 57.5±2.5ミリメートル
プライマリオリエンテーションフラット <011>±1度
セカンダリフラット長 なし
二次オリエンテーションフラット なし
TTV ≤5ええと
≤40ええと
ワープ ≤40ええと
エッジプロファイル SEMI規格
前面 化学-Mechenical研磨
LPD ≥0.3ええと@≤15個
裏面 酸エッチング
エッジチップ なし
パッケージ 真空包装; 内側のプラスチック、外側のアルミ

 

2. Float-zone mono-crystalline silicon classifications

2.1 FZ-Silicon

The mono-crystalline silicon with the characteristics of low foreign-material content, low defect density and perfect crystal structure is produced with the float zone silicon process; no foreign material is introduced during the float zone silicon crystal growth. The FZ-シリコン conductivity is usually above 1000 Ω-cm, and such a high resistivity float zone silicon is mainly used to produce the high inverse-voltage elements and photoelectronic devices. It also can be used for dry etching process. 

2.2 NTDFZ-Silicon

The mono-crystalline silicon with high-resistivity and uniformity can be achieved by neutron irradiation of FZ-silicon, to ensure the yield and uniformity of produced elements, and is mainly used to produce the silicon rectifier (SR), silicon control (SCR), giant transistor (GTR), gate-turn-off thyristor (GTO), static induction thyristor (SITH), insulate-gate bipolar transistor (IGBT), extra HV diode (PIN), smart power and power IC, etc; it is the main functional material for various frequency converters, rectifiers, large-power control elements, new power electronic devices, detectors, sensors, photoelectronic devices and special power devices.

FZ NTD Silicon Wafer with a Uniform Doping Concentration

2.3 GDFZ-Silicon

Utilizing the foreign-material diffusion mechanism, add the gas-phase foreign-material during the floating zone monocrystalline silicon process, to solve the doping problem of float-zone process from the root, and to get the GDFZ-silicon which is N-type or P-type, has the resistivity 0.001-300 Ω.cm, relative good resistivity uniformity and neutron irradiation. It is applicable for producing various semi-conductor power elements, insulate-gate bipolar transistor (IGBT) and high-efficiency solar cell, etc.

2.4 CFZ-Silicon

単結晶シリコンは、チョクラルスキー法の組み合わせを用いて製造し、フロートゾーン法を、およびCZ単結晶シリコンとFZ単結晶シリコンとの間の品質を有しています。 特別な要素は、Gaの、Geおよび他のように、ドープすることができます。 新世代のCFZシリコン太陽ウェーハは、各性能指標のグローバル太陽光発電産業における様々なシリコンウェーハよりも優れています。 太陽電池パネルの変換効率は24から26パーセントまでです。 製品は主に特殊な構造、バックコンタクト、HITおよび他の特別なプロセスと高効率太陽電池に適用され、より広くLED、パワー素子、自動車、衛星及び他の様々な製品や分野で使用されています。

一目で私たちの利点

1.Advancedエピタキシャル成長装置および試験装置。

2.Offer the highest quality with low defect density and good float zone silicon surface roughness.

当社の顧客のための研究チームのサポートと技術サポートを3.Strong

Si MEMS Wafer Grown by FZ
4″ FZ Prime Silicon Wafer

4″ FZ Prime Silicon Wafer

4″ FZ Prime Silicon Wafer-2

4″ FZ Prime Silicon Wafer-3

4″ FZ Prime Silicon Wafer-4

4″ FZ Prime Silicon Wafer-5

4″ FZ Prime Silicon Wafer-6

4″ FZ Prime Silicon Wafer-7

4″ FZ Prime Silicon Wafer-8

4″FZ Prime Silicon Wafer-9

2″ FZ Prime Silicon Wafer

3″ FZ Prime Silicon Wafer

6″ FZ Prime Silicon Wafer

6″ FZ Prime Silicon Wafer

6″FZ Prime Silicon Wafer-1

6″FZ Prime Silicon Wafer-2

6″FZ Prime Silicon Wafer-3

5″ FZ Silicon wafers

6″ FZ Silicon Wafer

6″FZ Silicon Wafer-1

6″ FZ Silicon Wafer-4

6″ FZ Silicon Wafer-5

6″ FZ Silicon Wafer-6

6″ FZ Silicon Wafer-7

6″ FZ Silicon Wafer-8

8″ FZ Prime Silicon Wafer

3インチFZプライムシリコンウェーハの厚さ:350±15um

4″ FZ Prime Silicon Wafer Thickness: 400µm +/-25µm

4″FZ Prime Silicon Wafer Thickness: 400µm +/-25µm-2

4″ FZ Silicon Ingot with Diameter 100.7±0.3mm

3″ FZ Silicon Wafer Thickness:229-249μm -1

3″ FZ Silicon Wafer Thickness:229-249μm -2

FZ Intrinsic undoped Silicon wafers

80+1mm FZ Si Ingot

80+1mm FZ Si Ingot-1

80+1mm FZ Si Ingot-2

80+1mm FZ Si Ingot-3

80+1mm FZ Si Ingot-4

80+1mm FZ Si Ingot-5

60+1mm FZ Si Ingot -1

60+1mm FZ Si Ingot -2

60+1mm FZ Si Ingot -3

60+1mm FZ Si Ingot -4

60+1mm FZ Si Ingot -5

60+1mm FZ Si Ingot -6

Silicon Block size 5x20mm

1″ FZ Silicon Ingot with Diameter 25mm

2″ FZ Silicon Ingot with Diameter 50mm

2″ FZ Si wafer with SSP

2″ FZ Intrinsic Silicon Wafer

2″ FZ Intrinsic Si Wafer SSP

2″ FZ Intrinsic Si Wafer DSP

4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer SSP

4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer DSP

4″ FZ Intrinsic Si wafer

4″ FZ N type Si wafer

3″ FZ Silicon Ingot with Diameter 76mm

6″ FZ Silicon Wafer with Diameter 150mm, Both Side Etched

6″ FZ Silicon Ingot with Diameter 150.7±0.3mmØ

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