Độ ổn định môi trường của wafer germanium thụ động hóa học ướt cho pin mặt trời kết tinh

  • Quê hương
  • Tin tức
  • Độ ổn định môi trường của wafer germanium thụ động hóa học ướt cho pin mặt trời kết tinh

Độ ổn định môi trường của wafer germanium thụ động hóa học ướt cho pin mặt trời kết tinh

Độ ổn định môi trường của wafer germanium thụ động hóa học ướt cho pin mặt trời kết tinh
Sự thụ động hóa bề mặt đã được công nhận là một bước quan trọng trong việc đánh giá tuổi thọ của chất mang thiểu số của vật liệu quang điện cũng như trong chế tạo pin mặt trời hiệu quả cao. Các axit loãng của HF và HCl được sử dụng để thụ động hóa bề mặt gecmani (Ge). Tuổi thọ hiệu quả của thụ độngtấm Geđã được đánh giá bằng phép đo phân rã quang dẫn vi sóng (μ-PCD). vận tốc tái hợp bề mặt,S, của các bề mặt Ge kết thúc H- và Cl lần lượt là 23 và 37 cm/s. Độ ổn định của bề mặt Ge thụ động khi tiếp xúc với không khí cũng đã được kiểm tra. Các bề mặt Ge thụ động hóa HCl được phát hiện là bền hơn các bề mặt thụ động hóa HF.
Hình.1.(a) Tuổi thọ hiệu quả,τhiệu quảvà vận tốc tái hợp bề mặt,Svà (b) lập bản đồ vòng đời sóng mang thiểu số của các tấm Ge không thụ động, thụ động H và thụ động Cl.
Nguồn: Vật liệu năng lượng mặt trời và pin mặt trời
Nếu bạn cần thêm thông tin về tính ổn định Môi trường xung quanh của wafer germanium thụ động hóa học ướt cho pin mặt trời kết tinh, vui lòng truy cập trang web của chúng tôi:https://www.powerwaywafer.com/, gửi email cho chúng tôi tạisales@powerwaywafer.com hoặc powerwaymaterial@gmail.com.
2013-10-17 , ,

Chia sẻ bài đăng này

có liên quan Bài viết

Tấm epi-wafer InGaN

Epi-wafer InGaN (Indium Gallium Nitride) với MQW được cung cấp, đây là lớp phát sáng để chế tạo đèn LED màu xanh lam hoặc xanh lục. Indium gallium nitride là vật liệu hỗn hợp của gallium nitride và indium nitride và thường được trồng trên đệm GaN trên đế sapphire, silicon hoặc SiC. Các nghiên cứu tiến hành […]

2020-07-14siêu tác giả
YBCO Epi Film on SrTiO3, LaAlO3, Al2O3

PAM XIAMEN offers YBCO Epi Film on SrTiO3 , LaAlO3 or Al2O3,LSAT. One Side 100nm YBCO Film on both side polished SrTiO3(100) 10x10x0.5 mm substrate One Side 100nm YBCO Film on SrTiO3(100) 10x10x0.5 mm substrate One Side 400nm YBCO Film on SrTiO3(100) 10x10x0.5 mm [...]

2019-04-29siêu tác giả
Yellow and Green Luminescence in a Freestanding GaN Template

Yellow and Green Luminescence in a Freestanding GaN Template We have studied a broad photoluminescence band in high-mobility freestanding 200-μm-thick GaN template prepared by hydride vapor-phase epitaxy. Variable-excitation intensity and energy experiments showed two defect-related bands: a yellow luminescence (YL) band at about 2.15 eV [...]

2012-09-04siêu tác giả
In — Indium Foil

PAM XIAMEN offers Indium Foil. Indium ( In ) Foil: 100 mm (W) x 100 mm ( L） x 0.1 mm ( T) Polycrystal  In  Foil Purity:   > 99.995% Size:     0.10 mm thickness x 100mm width x 100 mm Length  Surface finish:  as cold rolling  [...]

2019-05-08siêu tác giả
4″ Silicon EPI Wafer-1

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon EPI Wafers. Substrate EPI Comment Size Type Res Ωcm Surf. Thick μm Type Res Ωcm 4″Øx400μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 21 n- Si:P 0.15 n/n+ 4″Øx360μm n- Si:Sb[111] 0.005-0.020 P/E 20 n- Si:P 360 – 440 n/n+ 4″Øx400μm p- Si:B[111] 0.01-0.10 P/E 6.5 p- Si:B 3.6±10% P/P/P+ 4″Øx400μm p- Si:B[111] 0.01-0.10 P/E 22±1.5 p- Si:B 300±50 P/P/P+ 4″Øx525μm p- Si:B[111] 0.01-0.02 P/E 8.1±1 p- Si:B 4.5±10% P/P/P+ 4″Øx525μm p- Si:B[111] 0.01-0.02 P/E 6.85±0.75 p- Si:B 0.75±0.15 P/P/P+ 4″Øx380μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/EOx 10.5 p- Si:B 570±10% p/p+ 4″Øx440μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/E 20 p- Si:B 0.25±10% P/P+ 4″Øx525μm p- Si:B[111] 0.001-0.005 P/E 20 p- Si:B 175±10% P/P+ 4″Øx440μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/E 21 p- Si:B 150 ±10% P/P+ 4″Øx380μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/EOx 23 p- Si:B 80±10% P/P+ 4″Øx380μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/EOx 23 p- Si:B 200±10% P/P+ 4″Øx440μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/E 32 p- Si:B 600 ±10% P/P+ 4″Øx440μm p- Si:B[111] 0.01-0.02 P/E 32.5 p- Si:B 100±10% P/P+ 4″Øx380μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/EOx 40 p- Si:B 550 ±10% P/P+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.0010-0.0035 P/E 20 p- Si:B 10±1.5 P/N/N+ 4″Øx525μm n- [...]

2019-03-08siêu tác giả
Non-Contact Optical Measurement for Detecting Film Thickness

For the produced thin film, among its many properties, the thickness and uniformity of the film are the most critical parameters. Therefore, monitoring and controlling the thickness and uniformity of thin films has become an important and indispensable part of industrial production. If you [...]

2022-09-09siêu tác giả