Ge (Gecmani) Crystal Độc thân và Quế
- Sự miêu tả
Mô Tả Sản Phẩm
Single Crystal Germanium Wafer
PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.
1. Properties of Germanium Wafer
1.1 General Properties of Germanium Wafer
Cấu trúc chung Thuộc tính | Cubic, a = 5.6754 Å | ||
Mật độ: 5,765 g / cm3 | |||
Melting Point: 937.4 oC | |||
Dẫn nhiệt: 640 | |||
Công nghệ tinh thể tăng trưởng | Czochralski | ||
doping sẵn | Undoped | Sb Doping | Doping nhập hoặc Ga |
Loại dẫn | / | N | P |
Điện trở suất, ohm.cm | >35 | <0,05 | 0,05-0,1 |
EPD | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 |
< 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 |
1.2 Grades and Application of Germanium wafer
Lớp điện tử | Sử dụng cho các điốt và transistor, |
Lớp hồng ngoại hoặc opitical | Sử dụng cho cửa sổ quang IR hoặc đĩa, linh kiện opitical |
Lớp tế bào | Used for substrates of solar cell |
1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer
Định hướng tinh | <111>,<100> and <110> ± 0.5o or custom orientation | |||
Tinh boule như đã trưởng thành | 1 "~ 6" đường kính x 200 mm Chiều dài | |||
trống tiêu chuẩn như cắt | 1 "x 0.5mm | 2 "x0.6mm | 4 "x0.7mm | 5 "& 6" x0.8mm |
Chuẩn wafer đánh bóng (Một / Hai bên đánh bóng) | 1 "x 0.30 mm | 2 "x0.5mm | 4 "x0.5mm | 5″&6″x0.6mm |
- Special size and orientation are available upon requested Wafers
2. Specification of Germanium Wafer
2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size
Mục | Đặc tính kỹ thuật | Các chú thích |
Phương pháp phát triển | VGF | — |
Loại dẫn | n-type, p loại, undoped | |
dopant | Gallium hoặc Antimon | — |
wafer Diamter | 2, 3,4 & 6 | inch |
Định hướng tinh | (100), (111), (110) | — |
Độ dày | 200 ~ 550 | um |
HÀNH | EJ hoặc Mỹ | — |
Carrier Nồng độ | yêu cầu khi khách hàng | |
Điện trở tại RT | (0,001 ~ 80) | Ohm.cm |
Etch Pit Mật độ | <5000 | / cm2 |
Laser Marking | theo yêu cầu | — |
Kết thúc bề mặt | P / E hay P / P | — |
Epi sẵn sàng | Vâng | — |
gói | Độc wafer container hoặc băng cassette | — |
2.2 Germanium Wafer for Solar Cell
4 inch Ge wafer Thông số kỹ thuật | cho tế bào năng lượng mặt trời | — |
doping | P | — |
doping chất | Ge-Ga | — |
Đường kính | 100 ± 0,25 mm | — |
Sự định hướng | (100) 9 ° tắt hướng <111> +/- 0,5 | |
góc nghiêng off-định hướng | N / A | — |
Định hướng Flat chính | N / A | — |
Tiểu Chiều dài phẳng | 32 ± 1 | mm |
Định hướng Flat Secondary | N / A | — |
Chiều dài phẳng THCS | N / A | mm |
cc | (0,26-2,24) E18 | / cc |
Điện trở | (0,74-2,81) E-2 | ohm.cm |
electron Mobility | 382-865 | cm2 / vs |
EPD | <300 | / cm2 |
Laser Đánh dấu | N / A | — |
Độ dày | 175 ± 10 | mm |
TTV | <15 | mm |
TIR | N / A | mm |
CÂY CUNG | <10 | mm |
Làm cong | <10 | mm |
Đối mặt | đánh bóng | — |
Mặt sau | Đất | — |
2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)
PAM180212-GE
Mục | DSP Ge Wafer |
Dia | 4” |
Độ dày | 1.50mm +/- 0.10mm |
Sự định hướng | N / A |
Conductivity | N / A |
Điện trở | N / A |
Surface Process | Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture |
Other Parameters | 60-40 scratch-dig or better |
Less than 2 arc minutes parallelism | |
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture |
2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)
4″ Germanium wafer with low plasma frequency, undoped ,175µm+/-25um. (100), single side polished.
3. Germanium Wafer Process
With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) độ tinh khiết cao germanium thu được trong quá trình lọc dầu khu vực.
2) Một tinh thể germanium được sản xuất thông qua quá trình Czochralski.
3) Các wafer germanium được sản xuất thông qua một số cắt, mài, và các bước khắc.
4) Các tấm được làm sạch và kiểm tra. Trong quá trình này, các tấm là một mặt bên đánh bóng hoặc đánh bóng đôi theo yêu cầu tùy chỉnh, wafer epi-ready đến.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
4. Application of Germanium:
Gecmani trống hoặc cửa sổ được sử dụng trong tầm nhìn ban đêm và các giải pháp hình ảnh nhiệt để cho an ninh thương mại, phòng chống cháy nổ và thiết bị giám sát công nghiệp. Ngoài ra, chúng được sử dụng như các bộ lọc cho các thiết bị phân tích và đo lường, cửa sổ để đo nhiệt độ từ xa, và gương cho laser.
Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.
5. Test of Germanium Wafer:
The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.
Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tại[email protected]và[email protected]
P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell
Germanium Substrate for Optics and Epi-growth
Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth
Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward<111>
Test Method for Dislocation Density of Monocrystal Germanium