Tin tức

Tấm wafer Laser FP (Fabry-Perot)

Fabry-Perot laser (FP-LD) is the most common semiconductor laser. At present, the fabrication technology of FP-LD used in optical fiber communication has been quite mature, and the structure of double heterojunction multiple quantum wells active layer, carrier and light limited structure is widely used. PAM-XIAMEN, one of leading epitaxy [...]

Tăng trưởng epiticular của cấu trúc dị thể GaAs MESFET

PAM-XIAMEN cung cấp GaAs epiwafer cho các thiết bị MESFET, đây là một cấu trúc epiticular FET với pha tạp được điều chế. Cấu trúc dị thể tăng trưởng epiticular chi tiết được liệt kê dưới đây để bạn tham khảo. Tốc độ di chuyển điện tử của GaAs cao hơn 5,7 lần so với silicon, rất phù hợp với các mạch tần số cao. Điện […]

Loại P Boron pha tạp silicon Epiticular wafer

Hiện tại, các tấm wafer epiticular silicon P-P+ (pha tạp boron) được sử dụng rộng rãi trong sản xuất các mạch tích hợp quy mô lớn và các thiết bị rời rạc. Các yêu cầu về độ dày của các tấm epiticular P-P+ silicon khác nhau tùy theo loại thiết bị. Để tạo ra các mạch kỹ thuật số tốc độ cao, chỉ cần khoảng 0,5μm lớp biểu bì. Vì [...]

Chất nền bán dẫn Indium Phosphide loại P

Indium phosphide (InP) là một trong những chất bán dẫn hợp chất III-V. Nó là một thế hệ vật liệu chức năng điện tử mới sau silicon và gallium arsenide. Vật liệu bán dẫn indi photphua có nhiều đặc tính ưu việt: cấu trúc dải chuyển tiếp trực tiếp, hiệu suất chuyển đổi quang điện cao, độ linh động điện tử cao, dễ chế tạo vật liệu bán cách điện, […]

Tấm wafer điốt laze 405nm GaN

Vật liệu nitrua nhóm III là một loại vật liệu có dải cấm trực tiếp, có ưu điểm là dải rộng, ổn định hóa học mạnh, điện trường phân hủy cao và độ dẫn nhiệt cao. Chúng có triển vọng ứng dụng rộng rãi trong các lĩnh vực thiết bị phát sáng hiệu quả và thiết bị điện tử công suất. Trong đó, bằng […]

Dịch vụ chế tạo GaN cho thiết bị HEMT

PAM-XIAMEN supplies GaN HEMT epitaxial wafers and GaN fabrication services. Our GaN fabrication services supplied include front-end process and back-end process. More details about GaN fabrication process for HEMTs please see below: 1. OEM Service – Si-based GaN Epitaxial Wafers for Power and RF Electronic Devices Our GaN fab can epitaxy [...]

Dịch vụ đúc GaN cho chế tạo đèn LED

PAM-XIAMEN can offer LED epitaxy wafers and is able to offer GaN foundry services & supplies for LEDs. The GaN foundry services include OEM growth service, COW process and various test services. Specifically as follows: 1. OEM Service – Customized AlGaN-based Thin Film Epi Structure We supply 2, 4 inch DUV-LED [...]

Wafer Laser công suất cao 1060nm

Giếng lượng tử InGaAs (QW), là vật liệu hai chiều thường được sử dụng trong dải hồng ngoại gần, có ứng dụng quan trọng trong laser bán dẫn, pin mặt trời và các thiết bị khác. Trong lĩnh vực laser bán dẫn, lượng tử InGaAs/GaAs mở rộng tốt bước sóng phát sáng của GaAs (0,85~1,1 μm) và được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị quang điện tử khác nhau [...]

Cấu trúc điốt quang InGaAs

Ternary compound semiconductor material InxGa1-xAs is a mixed solid solution formed by GaAs and InAs. It is a sphalerite structure and belongs to direct bandgap semiconductor. Its energy band changes with the change of alloy and can be used to make various photoelectric devices, such as HBT, HEMTs, FET, [...]

AlGaN UV LED Wafer

AlGaN is a direct wide band gap semiconductor material. By changing the composition of AlGaN material, the band gap size can be continuously adjusted from 3.39 eV to 6.1 eV, covering the UV band range from 210 nm to 360 nm, so it is an ideal material for the [...]