chất nền GaN freestanding

chất nền GaN freestanding

PAM-Hạ Môn đã thành lập các công nghệ sản xuất cho freestanding (gallium nitride) GaN chất nền wafer, mà là cho UHB-LED và LD. Phát triển bằng công nghệ hydride pha hơi epitaxy (HVPE), bề mặt GaN chúng tôi có mật độ khuyết tật thấp.

  • Sự miêu tả

Mô Tả Sản Phẩm

chất nền GaN freestanding

As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrate wafer  which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN chất nền for III-nitride devices has  low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.

In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.

Đặc điểm kỹ thuật của Đơn Lập GaN chất nền

 Ở đây cho thấy đặc điểm kỹ thuật chi tiết:

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Mục PAM-FS-GaN100-N+
Loại dẫn N type/Si doped
Kích thước 4″(100)+/-1mm
Độ dày 480+/-50
Sự định hướng C-trục (0001) +/- 0.5o
Tiểu Flat Location (10-10)+/-0.5o
Tiểu Chiều dài phẳng 32+/-1mm
Secondary Flat Location (1-210)+/-3o
Chiều dài phẳng THCS 18+/-1mm
Điện trở suất (300K) <0.05Ω·cm
Mật độ xáo trộn <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
CÂY CUNG <=+/-30um
Kết thúc bề mặt Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Trở lại bề mặt: 1.Fine đất
2.Polished.
Diện tích sử dụng được ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Mục PAM-FS-GaN100-N-
Loại dẫn N type/undoped
Kích thước 4″(100)+/-1mm
Độ dày 480+/-50
Sự định hướng C-trục (0001) +/- 0.5o
Tiểu Flat Location (10-10)+/-0.5o
Tiểu Chiều dài phẳng 32+/-1mm
Secondary Flat Location (1-210)+/-3o
Chiều dài phẳng THCS 18+/-1mm
Điện trở suất (300K) <0.5Ω · cm
Mật độ xáo trộn <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
CÂY CUNG <=+/-30um
Kết thúc bề mặt Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Trở lại bề mặt: 1.Fine đất
2.Polished.
Diện tích sử dụng được ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Mục PAM-FS-GaN100-SI
Loại dẫn Semi-Insulating
Kích thước 4″(100)+/-1mm
Độ dày 480+/-50
Sự định hướng C-trục (0001) +/- 0.5o
Tiểu Flat Location (10-10)+/-0.5o
Tiểu Chiều dài phẳng 32+/-1mm
Secondary Flat Location (1-210)+/-3o
Chiều dài phẳng THCS 18+/-1mm
Điện trở suất (300K) >10^6Ω·cm
Mật độ xáo trộn <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
CÂY CUNG <=+/-30um
Kết thúc bề mặt Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Trở lại bề mặt: 1.Fine đất
2.Polished.
Diện tích sử dụng được ≥ 90 %

 

2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Mục PAM-FS-GaN50-N+
Loại dẫn N type/Si doped
Kích thước 2 "(50,8) +/- 1mm
Độ dày 400+/-50
Sự định hướng C-trục (0001) +/- 0.5o
Tiểu Flat Location (10-10)+/-0.5o
Tiểu Chiều dài phẳng 16 +/- 1mm
Secondary Flat Location (1-210)+/-3o
Chiều dài phẳng THCS 8 +/- 1mm
Điện trở suất (300K) <0.05Ω·cm
Mật độ xáo trộn <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
CÂY CUNG <=+/-20um
Kết thúc bề mặt Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                    2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Mục PAM-FS-GaN50-N-
Loại dẫn N type/undoped
Kích thước 2 "(50,8) +/- 1mm
Độ dày 400+/-50
Sự định hướng C-trục (0001) +/- 0.5o
Tiểu Flat Location (10-10)+/-0.5o
Tiểu Chiều dài phẳng 16 +/- 1mm
Secondary Flat Location (1-210)+/-3o
Chiều dài phẳng THCS 8 +/- 1mm
Điện trở suất (300K) <0.5Ω · cm
Mật độ xáo trộn <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
CÂY CUNG <=+/-20um
Kết thúc bề mặt Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Mục PAM-FS-GaN50-SI
Loại dẫn Semi-Insulating
Kích thước 2 "(50,8) +/- 1mm
Độ dày 400+/-50
Sự định hướng C-trục (0001) +/- 0.5o
Tiểu Flat Location (10-10)+/-0.5o
Tiểu Chiều dài phẳng 16 +/- 1mm
Secondary Flat Location (1-210)+/-3o
Chiều dài phẳng THCS 8 +/- 1mm
Điện trở suất (300K) >10^6Ω·cm
Mật độ xáo trộn <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
CÂY CUNG <=+/-20um
Kết thúc bề mặt Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 

15mm, 10mm, 5mmMiễn phí-đứngGaN Substrate

Mục PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
Loại dẫn N-type Semi-cách điện
Kích thước 14.0mm*15mm   10.0mm*10.5mm   5.0*5.5mm
Độ dày 330-450um
Sự định hướng C-trục (0001) +/- 0.5o
Tiểu Flat Location  
Tiểu Chiều dài phẳng  
Secondary Flat Location  
Chiều dài phẳng THCS  
Điện trở suất (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
Mật độ xáo trộn <5x106cm-2
Marco Defect Mật độ 0cm-2
TTV <= 15um
CÂY CUNG <= 20um
Kết thúc bề mặt Bề mặt phía trước: Ra <0.2nm.Epi sẵn sàng đánh bóng
  Trở lại bề mặt: 1.Fine đất
    2.Rough nghiền
Diện tích sử dụng được ≥ 90%


            

Lưu ý:

Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate

Áp dụng GaN Substrate

Rắn chiếu sáng Nhà nước: các thiết bị GaN được sử dụng như siêu sáng độ sáng cao điốt phát quang (LED), TV, xe ô tô, và ánh sáng chung

DVD Storage: Blue laser diodes

Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites


Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth

Trạm cơ sở không dây: bóng bán dẫn điện RF

Wireless Access Broadband: MMICs tần số cao, RF-Mạch MMICs

Cảm biến áp: MEMS

Cảm biến nhiệt: máy dò Pyro-điện

Power độ: Mixed tín hiệu GaN / Integration Si

Đồ điện tử ô tô: thiết bị điện tử nhiệt độ cao

Các dòng điện truyền động: điện tử điện áp cao

Khung Cảm biến: máy dò UV

Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride

(InGaN) Hợp kim hoàn hảo cho việc tạo ra các tài liệu tế bào năng lượng mặt trời. Do lợi thế này, các tế bào năng lượng mặt trời InGaN trồng trên nền GaN đang sẵn sàng để trở thành một trong những ứng dụng mới quan trọng nhất và thị trường phát triển cho GaN tấm bề ​​mặt.

Rất lý tưởng cho HEMTs, FET

dự án diode Schottky GaN: Chúng tôi chấp nhận tùy chỉnh spec của điốt Schottky bịa đặt trên HVPE lá vườn, tự do đứng gallium nitride (GaN) lớp n và p-loại.
Cả hai địa chỉ liên lạc (ohmic và Schottky) được lắng đọng trên bề mặt sử dụng Al / Ti và Pd / Ti / Au.
Chúng tôi sẽ cung cấp báo cáo thử nghiệm, vui lòng xem dưới đây một ví dụ:

Bạn cũng có thể thích…