Chất nền AlN đơn tinh thể có thể được cung cấp với các thông số kỹ thuật như tronghttps://www.powerwaywafer.com/aln-substrate.html.

Tinh thể đơn AlN là vật liệu bán dẫn vùng cấm trực tiếp có độ rộng vùng cấm lớn nhất (6,2 eV), có các đặc tính tuyệt vời như cường độ trường phân hủy cực cao, độ dẫn nhiệt tuyệt vời, tính chất vật lý và hóa học ổn định. Hơn nữa, tinh thể đơn AlN có mạng rất nhỏ và không khớp nhiệt với GaN và AlGaN, và được coi là chất nền tốt nhất cho vật liệu epiticular III-V. Nó có triển vọng ứng dụng rộng rãi trong các máy dò tia cực tím sâu, đèn LED cực tím sâu, LD cực tím sâu và trường năng lượng vi sóng cao.

Hiện nay, phương pháp Vận chuyển khí vật lý (PVT) là phương pháp chủ đạo để điều chế các tinh thể đơn số lượng lớn AlN. Tuy nhiên, yếu tố chính hạn chế sự phát triển của công nghệ tăng trưởng đơn tinh thể AlN dựa trên PVT là thu được tinh thể hạt AlN chất lượng cao, cũng như mối tương quan giữa điều kiện tăng trưởng và chế độ tăng trưởng khi tinh thể hạt AlN phát triển đồng nhất.

Các nhà nghiên cứu đã sử dụng phương pháp PVT để phát triển các tinh thể đơn AlN chất lượng cao trên các tinh thể hạt AlN tự tạo. Hình thái bề mặt của các tinh thể đơn AlN dưới các chế độ tăng trưởng khác nhau (đảo ba chiều và trung tâm tăng trưởng xoắn đơn) đã được quan sát. Trên cơ sở tối ưu hóa cấu trúc trường nhiệt, người ta thấy rằng nhiệt độ bề mặt của tinh thể hạt AlN đóng vai trò quan trọng trong sự phát triển của tinh thể và điều kiện phát triển quyết định trực tiếp đến chế độ phát triển của tinh thể. Điều đáng chú ý là nửa chiều rộng (FWHM) của các đỉnh nhiễu xạ (002) và (102) của các tinh thể đơn AlN phát triển ở chế độ trung tâm tăng trưởng xoắn đơn lần lượt là 65 và 36 arcsec. Lớp đệm AlN và màng mỏng AlxGa1-xN thành phần Al cao được phát triển tuần tự epiticular trên đế đơn tinh thể AlN chất lượng cao bằng MOCVD. Bề mặt của lớp đệm AlN thể hiện chất lượng kết tinh bề mặt tốt. Thành phần Al của màng mỏng epiticular AlxGa1-xN là 0,54 và nửa chiều rộng ở mức tối đa một nửa (FWHM) của (002) và (102) phản xạ của Al x Ga1-xN lần lượt là 202 và 496 giây cung. Các kết quả nghiên cứu trên chỉ ra rằng so với chất nền SiC hoặc sapphire, chất nền đơn tinh thể AlN thể hiện ưu điểm vượt trội trong sự phát triển epiticular đồng nhất của màng AlN và màng AlGaN thành phần Al cao.

Hình 1 Hình thái bề mặt của tinh thể đơn AlN

Nghiên cứu này sẽ hướng dẫn thêm việc điều chế các tinh thể đơn AlN chất lượng cao và thúc đẩy sự phát triển của epitaxy AlGaN và các thiết bị liên quan.

Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạivictorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.