4H N type SiC wafer with Nitrogen doped is available, size from 2” to 4”. Dummy wafer and prime wafer are available. High quality single crystal SiC wafer are available for MBE growth research, electronics and optoelectronics industries. SiC wafer is a next-generation semiconductor material with unique electrical properties and excellent thermal properties. Compared with silicon wafer and GaAs wafer, n doped silicon carbide wafer is more suitable for high temperature and high power devices.
1. Specifications of 4H N Type SiC Wafer
1.1 4H N-TYPE SIC, 2″WAFER SPECIFICATION
| SUBSTRATE 재산 | S4H-51-N-S4H PWAM - 250 - 51 - N-PWAM-S4H 330 - 51 - N-430-PWAM |
| 설명 | A/B Production Grade C/D Research Grade D Dummy Grade 4H SiC Substrate |
| 폴리 타입 | 4H |
| 직경 | (50.8 ± 0.38) mm |
| 두께 | (250 ± 25) ㎛의 (330 ± 25) ㎛의 (430 ± 25) ㎛의 |
| 캐리어 유형 | n 형 |
| 도펀트 | 질소 |
| 저항 (RT) | A / B : 0.012-0.028 Ω · cm, C : 0.012-0.1 Ω · cm, D : 0.02-0.3 Ω · cm |
| 표면 거칠기 | <0.5 나노 미터 (SI 얼굴 CMP 에피 준비); <(1 개) 내지 (광학 광택제 얼굴 C-) |
| FWHM | 은 <30 초각의 B / C / D <50 초각 |
| 마이크로 파이프 밀도 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| 표면 방향 | |
| 축에 | <0001> ± 0.5 ° |
| 축 해제 | 또는 39 ° <11-20> 방향으로 8 ° 0.5 °, ± |
| 기본 평면 오리엔테이션 | 병렬 {1-100} ± 5 ° |
| 기본 평면 길이 | (16 ± 1.7) mm |
| 보조 오리엔테이션 플랫 | SI-면 : 90 CW. ± 5 ° 평면 방향에서 |
| C-면 : 90 CCW. ± 5 ° 평면 방향에서 | |
| 차 평면 길이 | (8 ± 1.7) mm |
| 표면 처리 | 싱글 또는 더블 얼굴 연마 |
| 포장 | 단일 웨이퍼 상자 또는 멀티 웨이퍼 상자 |
| 사용 가능 지역 | A : ≥ 90 %, B : ≥ 85 %, C : ≥ 80 %; D : ≥ 70 % |
| 에지 제외 | 1mm |
1.2 4H-SIC Wafer, N-TYPE , 3″WAFER SPECIFICATION
| SUBSTRATE 재산 | S4H-76-N-S4H PWAM - 330 - 76 - N-430-PWAM |
| 설명 | A/B Production Grade C/D Research Grade D Dummy Grade 4H SiC Substrate |
| 폴리 타입 | 4H |
| 직경 | (76.2 ± 0.38) mm |
| 두께 | (350 ± 25) ㎛의 (430 ± 25) ㎛의 |
| 캐리어 유형 | n 형 |
| 도펀트 | 질소 |
| 저항 (RT) | 0.015 - 0.028Ω · cm |
| 표면 거칠기 | <0.5 나노 미터 (SI 얼굴 CMP 에피 준비); <(1 개) 내지 (광학 광택제 얼굴 C-) |
| FWHM | 은 <30 초각의 B / C / D <50 초각 |
| 마이크로 파이프 밀도 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV / 활 / 워프 | <25μm 인 |
| 표면 방향 | |
| 축에 | <0001> ± 0.5 ° |
| 축 해제 | 또는 39 ° <11-20> 방향으로 8 ° 0.5 °, ± |
| 기본 평면 오리엔테이션 | <11-20> 5.0 °, ± |
| 기본 평면 길이 | 3.17mm ± 22.22 mm 0.875″±0.125″ |
| 보조 오리엔테이션 플랫 | SI-면 : 90 CW. ± 5 ° 평면 방향에서 |
| C-면 : 90 CCW. ± 5 ° 평면 방향에서 | |
| 차 평면 길이 | 11.00 ± 1.70 mm |
| 표면 처리 | 싱글 또는 더블 얼굴 연마 |
| 포장 | 단일 웨이퍼 상자 또는 멀티 웨이퍼 상자 |
| 할퀴다 | 없음 |
| 사용 가능 지역 | ≥ 90 % |
| 에지 제외 | 2mm |
1.3 4H N TYPE SIC 4″ WAFER SPECIFICATION
| SUBSTRATE 재산 | S4H-76-N-S4H PWAM - 330 - 76 - N-430-PWAM |
| 설명 | A/B Production Grade C/D Research Grade D Dummy Grade 4H SiCSubstrate |
| 폴리 타입 | 4H |
| 직경 | (76.2 ± 0.38) mm |
| 두께 | (350 ± 25) ㎛의 (430 ± 25) ㎛의 |
| 캐리어 유형 | n 형 |
| 도펀트 | 질소 |
| 저항 (RT) | 0.015 - 0.028Ω · cm |
| 표면 거칠기 | <0.5 나노 미터 (SI 얼굴 CMP 에피 준비); <(1 개) 내지 (광학 광택제 얼굴 C-) |
| FWHM | 은 <30 초각의 B / C / D <50 초각 |
| 마이크로 파이프 밀도 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV / 활 / 워프 | <45μm |
| 표면 방향 | |
| 축에 | <0001> ± 0.5 ° |
| 축 해제 | 또는 39 ° <11-20> 방향으로 8 ° 0.5 °, ± |
| 기본 평면 오리엔테이션 | <11-20> 5.0 °, ± |
| 기본 평면 길이 | 2.00mm ± 32.50 mm |
| 보조 오리엔테이션 플랫 | SI-면 : 90 CW. ± 5 ° 평면 방향에서 |
| C-면 : 90 CCW. ± 5 ° 평면 방향에서 | |
| 차 평면 길이 | 18.00 ± 2.00 mm |
| 표면 처리 | 싱글 또는 더블 얼굴 연마 |
| 포장 | 단일 웨이퍼 상자 또는 멀티 웨이퍼 상자 |
| 할퀴다 | 없음 |
| 사용 가능 지역 | ≥ 90 % |
| 에지 제외 | 2mm |
PAM-XIAMEN also can offer the following specifications:
4H N type SiC Substrate,5mm*5mm, 10mm*10mm WAFER SPECIFICATION : Thickness:330μm/430μm
4H N-type SiC Thin Film,15mm*15mm, 20mm*20mm WAFER SPECIFICATION: Thickness:330μm/430μm
a면의 SiC 웨이퍼의 크기 : 40mm * 10mm의에, 30 밀리 *의 10mm, 20mm의 *를 10mm, 10mm의 * 10mm의 아래 사양 :
4H N type SiC Wafer Thickness:330μm/430μm or custom
2. About 4H-SiC Properties
2.1 4H-SiC Properties VS. 6H-SiC Properties
| 폴리 타입 | 단결정 4H | 단결정 6H |
| 격자 매개 변수 | A = 3.076 Å | A = 3.073 Å |
| C = 10.053 Å | C = 15.117 Å | |
| 스태킹 순서 | ABCB | ABCACB |
| 밴드 갭 | 3.26 eV의 | 3.03 eV의 |
| 밀도 | 3.21 · 103 kg/m3 | 3.21 · 103 kg/m3 |
| 영국 열량 단위. 확장 계수 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 굴절 지수 | 없음 = 2.719 | 없음 = 2.707 |
| NE = 2.777 | NE = 2.755 | |
| 유전 상수 | 9.6 | 9.66 |
| 열 전도성 | 490 W / mK의 | 490 W / mK의 |
| 브레이크 다운 전기 필드 | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| 포화 드리프트 속도 | 2.0 · 105 m/s | 2.0 · 105 m/s |
| 전자 이동도 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 정공 이동 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| 모스 경도 | ~9 | ~9 |
2.2 Optical Property of 4H N Type SiC Wafer
4H SiC refractive index decreases with the increasing of wavelength:
The 4H SiC bandgap is declining when the temperature goes up:
2.3 4H SiC Substarte Thermal Property
4H SiC thermal conductivity is changing along with the temperature. When the temperature is low(about 40℃), the the thermal conductivity of 4H N type SiC wafer is climbing up; however, when the temperature is high over 40℃, it begins down slowly:
자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.