PAM-XIAMEN bietet halbisolierende 4H-SiC-Wafer mit Vanadium-dotierter oder undotierter hochreiner, halbisolierender Größe von 2 Zoll bis 6 Zoll an. Die Übertragungsrate von halbisolierendem 4H-Siliziumkarbid mit einer Dicke von 353 um, beidseitig poliert, ist in der Abbildung dargestellt:

Übertragungsrate eines halbisolierenden 4H-SiC-Wafers

We also can offer transparent data of SiC substrate, for details please contact at victorchan@powerwaywafer.com.

1. Der Preis:

PAM-XIAMEN bietet den besten Preis auf dem Markt für hochwertige SiC-Wafer und SiC-Kristallsubstrate. Unsere Preisanpassungspolitik stellt sicher, dass Sie den besten Preis für SiC-Kristallprodukte mit vergleichbaren Spezifikationen erhalten.

2. Benutzerdefiniert:

SiC-Kristallprodukte können an die speziellen Anforderungen und Spezifikationen der Kunden angepasst werden. Zum Beispiel bieten wir einen Schneideservice für 10 mm x 10 mm große Scheiben an, siehe Beispiel unten:

4H halb–isolierendSiC, 5 mm x 5 mm, 10 mm x 10 mm mit 330 μm Dicke;

4H halbisolierendSiC, 15 mm x 15 mm, 20 mm x 20 mm, 330 μm Dicke;

4H-SiC-Substrat auf Achse C (0001), 180 um +/- 25 um Dicke.

3. Specification of 4H Semi Insulating SiC Substrate:

Nr.1:2" 4H halbisolierender SiC-Wafer, Klasse C
4H-SI 2″ Durchmesser,
Typ/Dotierung: Halbisolierend/V oder undotiert
Ausrichtung: <0001> +/- 0,5 Grad
Dicke: 330 ± 25 um
Klasse C, MPD＜50 cm-2
Klasse C, RT: ≥1E5 Ω•cm
Double face polished/Si face epi-ready with CMP, Surface Roughness : <0.5 nm

Nr.2:2" 4H halbisolierender SiC-Wafer, Klasse B
4H-SI 2″ Durchmesser,
Typ/Dotierung: Halbisolierend/V oder undotiert
Ausrichtung: <0001> +/- 0,5 Grad
Dicke: 330 ± 25 um
Klasse B, MPD＜15 cm-2
Klasse B, RT: ≥1E7 Ω•cm
Double face polished/Si face epi-ready with CMP, Surface Roughness : <0.5 nm

Nr. 3:Halbisolierender 3-Zoll-4H-SiC-Wafer, Klasse C
4H-SI 3″ Durchmesser,
Typ/Dotierung: Halbisolierend/V oder undotiert
Ausrichtung: <0001> +/- 0,5 Grad
Dicke: 350 ± 25 um
Klasse C, MPD＜50 cm-2
Klasse C, RT: ≥1E5 Ω•cm
Double face polished/Si face epi-ready with CMP, Surface Roughness : <0.5 nm

Nummer 4:Halbisolierender 3-Zoll-4H-SiC-Wafer, Klasse B
4H-SI 3″ Durchmesser,
Typ/Dotierung: Halbisolierend/V oder undotiert
Ausrichtung: <0001> +/- 0,5 Grad
Dicke: 350 ± 25 um
Klasse C, MPD＜15 cm-2
Klasse C, RT: ≥1E7 Ω•cm
Double face polished/Si face epi-ready with CMP, Surface Roughness : <0.5 nm

Nr. 5:4" 4H halbisolierender SiC-Wafer, Klasse C
4H-SI 4″ Durchmesser,
Typ/Dotierung: Halbisolierend/V oder undotiert
Ausrichtung: <0001> +/- 0,5 Grad
Dicke: 350 oder 500 ± 25 um
Klasse C, MPD＜50 cm-2
Klasse C, RT: ≥1E5 Ω•cm
Double face polished/Si face epi-ready with CMP, Surface Roughness : <0.5 nm

No.6: 4” 4H halbisolierender SiC-Wafer, Klasse B
4H-SI 4″ Durchmesser,
Typ/Dotierung: Halbisolierend/V oder undotiert
Ausrichtung: <0001> +/- 0,5 Grad
Dicke: 350 oder 500 ± 25 um
Klasse C, MPD＜15 cm-2
Klasse C, RT: ≥1E7 Ω•cm
Double face polished/Si face epi-ready with CMP, Surface Roughness : <0.5 nm

No.7: 6” 4H halbisolierender SiC-Wafer, Klasse C
4H-SI 6″ Durchmesser,
Typ/ Dotierung : Halbisolierend / V
Ausrichtung: <0001> +/- 0,5 Grad
Dicke: 500 ± 25 um
Klasse C, MPD＜50 cm-2
Klasse C, RT: ≥1E5 Ω•cm
Double face polished/Si face epi-ready with CMP, Surface Roughness : <0.5 nm

Nr.8:Halbisolierender 6-Zoll-4H-SiC-Wafer, Klasse B
4H-SI 6″ Durchmesser,
Typ/Dotierung: Halbisolierend/V oder undotiert
Ausrichtung: <0001> +/- 0,5 Grad
Dicke: 500 ± 25 um
Klasse C, MPD＜15 cm-2
Klasse C, RT: ≥1E7 Ω•cm
Double face polished/Si face epi-ready with CMP, Surface Roughness : <0.5 nm

4. Anwendung von halbisolierendem 4H-SiC-Kristallsubstrat und Wafer

Silicon carbide (SiC) crytsals have unique physical and electronic properties. SiC-based devices have been used for short-wavelength photoelectricity, high-temperature, anti-radiation applications. High power and high frequency electronic devices made from semi-insulating silicon carbide substrates are superior to those based on Si and GaAs, and 4H semi-insulating SiC wafers are mainly used in Power device and RF device. Moreover, it can be used as carriers for temporary bonding. For transparent semi-insulated SiC substrate, it has a transparent rate around 70% and is suitable for heat dissipation optics. 

5. FAQ of SiC Wafer

F1: We would like 170 um thick semi-insulating SiC, would that be possible?

A: It’s no problem to grow 170um thick 4H-SiC semi-insulating at current technology.

F2: Could you please tell me the difference between the N type and the semi-insulating 4H SiC wafer?

A: The difference is that the resitivity of N type SiC wafer is <1ohm.cm, while that of semi-insulating one is >1E5ohm.cm.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.