GaN Templates
- Descripción
Descripción del Producto
GaN Modelo (nitruro de galio plantilla)
La plantilla de GaN de PAM-XIAMEN consta de capas cristalinas de nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN), nitruro de galio y aluminio (AlGaN) y nitruro de galio indio (InGaN), que se depilan sobre zafiro y grado electrónico para la fabricación a base de MOS dispositivos. Los productos de plantilla de nitruro de galio de PAM-XIAMEN permiten tiempos de ciclo de epitaxia un 20-50% más cortos y capas de dispositivos epitaxiales de mayor calidad, con una mejor calidad estructural y una conductividad térmica más alta, lo que puede mejorar el costo, el rendimiento y el rendimiento de los dispositivos.
2 ″ (50,8 mm)Plantillas de GaNEpitaxia sobre sustratos de zafiro
| Artículo | PAM-2 pulgadas-GaNT-N | PAM-2 pulgadas-GaNT-SI |
| Tipo de conducción | N-tipo | Semiaislante |
| dopante | Si doped or low doped | Fe dopado |
| Tamaño | 2 ″ (50 mm) de diámetro | |
| Espesor | 4um, 20um, 30um, 50um, 100um | 30um, 90um |
| Orientación | Eje C (0001) +/- 1 ° | |
| Resistividad (300K) | <0.05Ω · cm | > 1 × 106Ω · cm |
| densidad de dislocaciones | <1x108cm-2 | |
| Estructura del sustrato | GaN en zafiro (0001) | |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras, listo para epi | |
| Superficie útil | ≥ 90% | |
Epitaxia de plantillas de GaN de 2 ″ (50,8 mm) sobre sustratos de zafiro
| Artículo | PAM-GaNT-P | |
| Tipo de conducción | Tipo P | |
| dopante | Dopado con magnesio | |
| Tamaño | 2 ″ (50 mm) de diámetro | |
| Espesor | 5um, 20um, 30um, 50um, 100um | |
| Orientación | Eje C (0001) +/- 1 ° | |
| Resistividad (300K) | <1Ω · cm o personalizado | |
| Concentración de dopantes | 1E17 (cm-3) o personalizado | |
| Estructura del sustrato | GaN en zafiro (0001) | |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras, listo para epi | |
| Superficie útil | ≥ 90% | |
Epitaxia de plantillas de GaN de 3 ″ (76,2 mm) sobre sustratos de zafiro
| Artículo | PAM-3 pulgadas-GaNT-N |
| Tipo de conducción | N-tipo |
| dopante | Si doped |
| Zona de exclusión: | 5 mm desde el diámetro exterior |
| Espesor: | 20um, 30um |
| Densidad de dislocaciones | <1x108cm-2 |
| Resistencia de la hoja (300K): | <0.05Ω · cm |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientacion: | Plano C |
| Espesor del zafiro: | 430um |
| Pulido: | Una cara Pulido, epi-ready, con peldaños atómicos. |
| Revestimiento de la parte trasera: | Recubrimiento de titanio (personalizado) de alta calidad, espesor> 0,4 μm |
| Embalaje: | Envasado individualmente bajo argón |
| Atmósfera sellada al vacío en sala blanca de clase 100. |
Epitaxia de plantillas de GaN de 3 ″ (76,2 mm) sobre sustratos de zafiro
| Artículo | PAM-3 pulgadas-GaNT-SI |
| Tipo de conducción | Semiaislante |
| dopante | Fe dopado |
| Zona de exclusión: | 5 mm desde el diámetro exterior |
| Espesor: | 20um, 30um, 90um (20um es el mejor) |
| Densidad de dislocaciones | <1x108cm-2 |
| Resistencia de la hoja (300K): | > 106 ohm.cm |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientacion: | Plano C |
| Espesor del zafiro: | 430um |
| Pulido: | Una cara Pulido, epi-ready, con peldaños atómicos. |
| Revestimiento de la parte trasera: | Recubrimiento de titanio (personalizado) de alta calidad, espesor> 0,4 μm |
| Embalaje: | Envasado individualmente bajo atmósfera de argón sellado al vacío en sala blanca de clase 100. |
Plantillas de GaN de 4 ″ (100 mm) epitaxiales sobre sustratos de zafiro
| Artículo | PAM-4 pulgadas-GaNT-N |
| Tipo de conducción | N-tipo |
| dopante | low doped |
| Espesor: | 4um |
| Densidad de dislocaciones | <1x108cm-2 |
| Resistencia de la hoja (300K): | <0.05Ω · cm |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientacion: | Plano C |
| Espesor del zafiro: | – |
| Pulido: | Una cara Pulido, epi-ready, con peldaños atómicos. |
| Embalaje: | Envasado individualmente en atmósfera de argón |
| sellado al vacío en sala blanca clase 100. |
2 ″ (50,8 mm) AlGaN, InGaN, AlN Epitaxy en plantillas de zafiro: personalizado
Epitaxia de AlN de 2 ”(50,8 mm) en plantillas de zafiro
| Artículo | PAM-AlNT-SI |
| Tipo de conducción | semi-aislante |
| Diámetro | Ф 50,8 mm ± 1 mm |
| Espesor: | 1000 nm +/- 10% |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientacion: | Eje C (0001) +/- 1 ° |
| Orientación Plano | Un avion |
| XRD FWHM de (0002) | <200 segundos de arco. |
| Área de la superficie utilizable | ≥90% |
| Pulido: | Ninguno |
2 "(50,8 mm)InGaN Epitaxy en plantillas de zafiro
| Artículo | PAM-INGAN |
| Tipo de conducción | – |
| Diámetro | Ф 50,8 mm ± 1 mm |
| Espesor: | 100-200nm, personalizado |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientacion: | Eje C (0001) +/- 1O |
| dopante | En |
| Densidad de dislocación | ~ 108 cm-2 |
| Superficie útil | ≥90% |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras, listo para epi |
Epitaxia AlGaN de 2 ”(50,8 mm) en plantillas de zafiro
| Artículo | PAM-AlNT-SI |
| Tipo de conducción | semi-aislante |
| Diámetro | Ф 50,8 mm ± 1 mm |
| Espesor: | 1000 nm +/- 10% |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientacion: | Plano C |
| Orientación Plano | Un avion |
| XRD FWHM de (0002) | <200 segundos de arco. |
| Área de la superficie utilizable | ≥90% |
| Pulido: | Ninguno |
Plantilla de GaN en zafiro y silicio
2 ″ (50,8 mm) de GaN en sustrato de SiC 4H o 6H
| 1) El búfer de GaN sin dopar o el búfer de AlN están disponibles; | ||||
| 2)n-type(Si doped or low doped), p-type or semi-insulating GaN epitaxial layers available; | ||||
| 3) estructuras conductoras verticales en SiC tipo n; | ||||
| 4) AlGaN - 20-60 nm de espesor, (20% -30% Al), tampón dopado con Si; | ||||
| 5) Capa de GaN tipo n sobre oblea de 2 ”de 330 µm +/- 25um de espesor. | ||||
| 6) Cara simple o doble pulida, lista para epi, Ra <0.5um | ||||
| 7) Valor típico en XRD: | ||||
| ID de oblea | ID de sustrato | XRD (102) | XRD (002) | Espesor |
| #2153 | X-70105033 (con AlN) | 298 | 167 | 679um |
| Pulido de una o dos caras, listo para epi, Ra <0.5um | ||||
6 ″ (150 mm) n-GaN encendido pulido a doble cara zafiro plano
| Objetivo | observación | |
| Diámetro del sustrato | 150 mm | +/- 0,15 mm |
| Espesor del sustrato | 1300 um o 1000um | +/- 25 um |
| plano c (0001), ángulo de corte hacia el plano m | 0,2 grados | +/- 0,1 grados |
| Longitud plana primaria única | 47,5 milímetros | +/- 1 mm |
| Orientación plana | Un avion | +/- 0,2 grados |
| Espesor de n-GaN dopado con Si | 4 um | +/- 5% |
| Concentración de Si en n-GaN | 5e18 cm-3 | sí |
| Espesor de u-GaN | 1 um | no esta capa |
| Curva oscilante XRD (002) | <250 segundos de arco | <300 segundos de arco |
| Curva oscilante XRD (102) | <250 segundos de arco | <350 segundos de arco |
| Densidad de dislocaciones | <5e8 cm-2 | sí |
| Superficie frontal, AFM (5 × 5 um2) Ra | <0,5 nm, preparado para Epi | sí |
| Superficie del lado trasero | 0,6 - 1,2 um, molido fino | sí |
| Arco de oblea | <100 um | no estos datos |
| resistividad n-GaN (300K) | <0,01 ohmios-cm2 | sí |
| Variación de espesor total | <25 um | <10um |
| Densidad de defectos | Macrodefectos (> 100 um): <1 / oblea Microdefectos (1-100 um): <1 / cm2 | Macrodefectos (> 100 um): <10 / oblea Microdefectos (1-100 um): <10 / cm2 |
| marcado por láser | en la parte trasera de la oblea plana | sí |
| Paquete | empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en casetes de 25 piezas o contenedores de obleas individuales, bajo atmósfera de nitrógeno, con doble sellado | sí |
| Exclusión de bordes | <3 mm | sí |
| Superficie útil | > 90% | sí |
Proceso de epitaxia en fase vapor de hidruro (HVPE)
La plantilla de GaN en zafiro es grown mediante el proceso y la tecnología HVPE para la producción de semiconductores compuestos como GaN, AlN y AlGaN. Plantillas de GaN are used in a wide applications: nanowire growth, solid state lighting, short wavelength optoelectronics and RF power device.
En el proceso de HVPE, los nitruros del Grupo III (como GaN, AlN) se forman haciendo reaccionar cloruros metálicos gaseosos calientes (como GaCl o AlCl) con gas amoniaco (NH3). Los cloruros metálicos se generan pasando gas HCl caliente sobre los metales calientes del Grupo III. Todas las reacciones se realizan en un horno de cuarzo con temperatura controlada.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Ofreceremos informes de prueba, vea un ejemplo a continuación:
Informe de estructura de la plantilla de AlGaN
More products:
GaN Thin Film on Sapphire (Al2O3) Template
Sustrato y plantilla de cristal único de AlN sobre zafiro / silicio
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GaN HEMT epitaxial
Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de nitruro de galio (GaN) son la próxima generación de tecnología de transistores de potencia de RF. Gracias a la tecnología GaN, PAM-XIAMEN ahora ofrece AlGaN / GaN HEMT Epi Wafer en zafiro o silicio, y AlGaN / GaN en plantilla de zafiro.
