Máscara de fotolitografía

Máscara de fotolitografía

Se venden máscaras de fotolitografía de cromo. Según los diferentes materiales del sustrato, se puede dividir en mascarilla de cuarzo, mascarilla de soda y otros (incluyendo placa de relieve, película), etc. Entre ellos, el fotomáscara sobre sustrato de cuarzo y cal sodada son máscaras litográficas de uso común en universidades e institutos de investigación. Para obtener más información sobre las especificaciones de PAM-XIAMEN, consulte lo siguiente:

Máscara de fotolitografía

Máscara de cromo n. ° 1 en blanco PAM191218-MASKS

Especificaciones del sustrato de la mascarilla

Materiales refresco de limón
Dimensión 3 ″ x3 ″
Espesor 0,060 "± 0,004"
Llanura ≤ 15u
Defectos Ninguno
Especificaciones de metalización de cromo
Espesor de la película de cromo 1100A ± 10%
Densidad óptica a 530 nm 2,8 ± 0,2
Grado de placa de mascarilla Impresión
Agujerito > 5um ninguno, 1-5u 0,3 / pulgada cuadrada
Resistir especificaciones
Resistir AZ1500
Resistir el espesor 5300A ± 150A
Defectos Ninguno

 

Marcos:
Las placas de máscara de cromo están recubiertas con fotorresistencia. Estas placas de máscara se utilizan para hacer patrones que tienen características mínimas de hasta 0,5 micrones utilizando litografía LÁSER y, por lo tanto, grabado en húmedo / seco.

Máscara de fotolitografía n.o 2 PAM190702-MASKL

Materiales Máscara de litografía de 5 pulgadas
Requisitos Photomask for stepper ( model: 5009)

Model of the lithography machine: ASML PA5000/50

Scale: 5:1

Graphic quality index requirements
Graphic accuracy 100%
CD 2um
CD Tolerance <0.5um
Defect Density ≤1 pc
Engraving Tolerance <0.5um

 

No. 3 Photolithography Mask Patterned with Chrome PAM190621-MASKL

No. 3-1 Photolithography Mask Design and Printing 4”
Mask size: 4” x 4” square
Mask material: Quartz
Pattern material: Chrome

Service to include pattern design for high-electron mobility transistor (HEMT) fabrication process (6 patterns), and transmission line measurement (TLM) for specific contact resistance analysis (2 patterns)

4 pattern design on 1 mask (each at 1/4 area of the mask) – total 8 designs

No. 3-2 Photolithography Mask Design and Printing 5”
Mask size: 5” x 5” square
Mask material: Quartz
Pattern material: Chrome

Service to include pattern design for patterned-sapphire substrate (PSS)

4 pattern designs on 1 mask (each at 1/4 area of the mask)

Please note: Technical parameters of the above 2 items meet the following requirements:

Mask Sizes (mm) Minimum Seam & Line Width Seam Accuracy Mark
101.6*101.6*2.3 3um≤W≤5um ±0.3um Quartz material
127.0*127.0*2.3 3um≤W≤5um ±0.3um Quartz material
101.6*101.6*3.0 3um≤W≤5um ±0.3um Quartz material
127.0*127.0*3.0 3um≤W≤5um ±0.3um Quartz material

 

No. 4 Phase Mask PAM190717-MASKQ
Pitch: 1095.8nm
Size: 25mm x 3mm
Illumination wavelength 248nm
Substrate Size:35*17.2mm
Thickness of Phase Mask: 1/4 inch (6.35mm)

No. 5 Uniform Phase Mask PAM190821-MASKJ
Máscara de fase uniforme para rejilla de Bragg de 1575 nm
Período de rejilla: 1088 nm
Precisión y uniformidad del período de rejilla: +/- 0.01 nm
Tamaño de rejilla: 10 mm x 10 mm
Tamaño del sustrato: 30 mm x 25 mm
Optimizado para iluminación no polarizada de 248 nm
0. orden: <3%

Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a [email protected] y [email protected].

Compartir esta publicacion