Ge (germanium) cristaux simples et Wafers

Ge (germanium) cristaux simples et Wafers

PAM-XIAMEN propose des plaquettes de germanium de 2", 3", 4" et 6", qui est l'abréviation de plaquette Ge cultivée par VGF / LEC. Une plaquette de germanium de type P et N légèrement dopée peut également être utilisée pour l'expérience à effet Hall. À température ambiante, le germanium cristallin est fragile et peu plasticisé. Le germanium a des propriétés semi-conductrices. Le germanium de haute pureté est dopé avec des éléments trivalents (tels que l'indium, le gallium, le bore) pour obtenir des semi-conducteurs en germanium de type P ; et des éléments pentavalents (tels que l'antimoine, l'arsenic et le phosphore) sont dopés pour obtenir des semi-conducteurs en germanium de type N. Le germanium possède de bonnes propriétés semi-conductrices, telles qu'une mobilité élevée des électrons et une mobilité élevée des trous.
  • La description

Description du produit

Single Crystal Germanium Wafer

PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.

1. Properties of Germanium Wafer

1.1 General Properties of Germanium Wafer

Structure Propriétés générales Cubic, a = 5.6754 Å
Densité: 5,765 g / cm3
Melting   Point: 937.4 oC
La conductivité thermique: 640
Crystal Technology Growth Czochralski
dopage disponible / Sb dopage Dopage ou Ga
type de Conductive N N P
Résistivité, ohm.cm >35 <0,05 De 0,05 à 0,1
EPD < 5×103/cm2 < 5×103/cm2 < 5×103/cm2
< 5×102/cm2 < 5×102/cm2 < 5×102/cm2

 

1.2 Grades and Application of Germanium wafer

Niveau électronique Utilisé pour des diodes et des transistors,
Niveau infrarouge ou opitical Utilisé pour la fenêtre optique IR ou disques, composants opitical
Niveau cellulaire Used for substrates of solar cell

 

1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

cristal Orientation <111>,<100> and <110> ± 0.5o or custom orientation
Cristal Grown Boulé 1 diamètre "~ 6" x 200 mm Longueur
blanc standard coupe 1 "x 0,5 mm 2 "x0.6mm 4 "x0.7mm 5 "et 6" x0.8mm
plaquette polie standard (un / deux faces polies) 1 "x 0,30 mm 2 "x0.5mm 4 "x0.5mm  5″&6″x0.6mm
  • Special size and orientation are available upon requested Wafers

2. Specification of Germanium Wafer

2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size

Article Caractéristiques Remarques
Procédé de croissance VGF
Type de Conduction n-type, p type  
dopant Gallium ou Antimoine
wafer Diamter 2, 3,4 et 6 pouce
cristal Orientation (100), (111), (110)
Épaisseur 200 ~ 550 um
DE EJ ou US
Concentration porteuse demande sur les clients  
Résistivité à la température ambiante (0,001 ~ 80) Ohm.cm
Etch Densité Pit <5000 / cm2
Marquage laser à la demande
Finition de surface P / E ou P / P
Epi prêt Oui
Paquet récipient de plaquettes à l'unité ou de la cassette

 

2.2 Germanium Wafer for Solar Cell

plaquette 4 pouces Ge Spécification pour les cellules solaires  —
Se doper P  —
Les substances dopantes Ge-Ga  —
Diamètre 100 ± 0,25 mm  —
Orientation (100) 9 ° au loin vers <111> +/- 0,5
angle d'inclinaison hors orientation N / A  —
Orientation Plat principal N / A  —
Plat Longueur primaire 32 ± 1 mm
Orientation Plat secondaire N / A  —
Plat Longueur secondaire N / A mm
cc (0,26 à 2,24) E18 / cc
Résistivité (0,74 à 2,81) E-2 ohm.cm
Mobilité électronique 382-865 cm2 / vs
EPD <300 / cm2
laser Mark N / A  —
Épaisseur 175 ± 10 um
TTV <15 um
TIR N / A um
ARC <10 um
Chaîne <10 um
Face avant Brillant  —
Face arrière Sol  —

 

2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)

PAM180212-GE

Article DSP Ge Wafer
Dia 4”
Épaisseur 1.50mm +/- 0.10mm
Orientation N / A
Conductivity N / A
Résistivité N / A
Surface Process Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture
Other Parameters 60-40 scratch-dig or better
Less than 2 arc minutes parallelism
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture

 

2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)

4″ Germanium wafer with low plasma frequency, 175µm+/-25um. (100), single side polished.

3. Germanium Wafer Process

With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) le germanium de haute pureté est obtenu au cours du raffinage de la zone.
2) On réalise un cristal de germanium par le procédé de Czochralski.
3) La plaquette de germanium est fabriquée par plusieurs coupe, le meulage, et les étapes de gravure.
4) Les plaquettes sont nettoyées et l'inspection. Au cours de ce processus, les plaquettes sont polies côté ou double côté lustrés selon l'exigence personnalisée, plaquette epi prêt vient.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

4. Application of Germanium:

Germanium blanc ou fenêtre sont utilisés dans la vision nocturne et des solutions d'imagerie thermographiques pour la sécurité commerciale, lutte contre l'incendie et de l'équipement de surveillance industrielle. Ils sont également utilisés en tant que filtres pour appareils d'analyse et de mesure, des fenêtres de mesure de température à distance et un miroir pour laser.

Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.

5. Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips on July 3, 2023. Exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

 

 

 

 

For more information, please contact us email at victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com.

 

Ge Wafer Supplier

P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell

Germanium Substrate for Optics and Epi-growth

As-cut Germanium (Ge) Window

Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth

Germanium (Ge) Ingot

Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward<111>

Test Method for Dislocation Density of Monocrystal Germanium

8Inch Single Crystal Germanium Material

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