Ge(Germanium) Single Crystals and Wafers
- 説明
製品の説明
単結晶ゲルマニウムウェーハ
PAM-XIAMEN は、2 インチ、3 インチ、4 インチ、および 6 インチのゲルマニウム ウエハを提供しています。これは、VGF / LEC によって成長した Ge ウエハの略です。 低濃度にドープされた N 型および P 型のゲルマニウム ウエハーは、ホール効果の実験にも使用できます。 室温では、結晶ゲルマニウムはもろく、可塑性がほとんどありません。 ゲルマニウムは半導体特性を持っています。高純度ゲルマニウム3価の元素（インジウム、ガリウム、ホウ素など）をドープしてP型ゲルマニウム半導体を得る。 5価元素（アンチモン、砒素、リンなど）をドープしてN型ゲルマニウム半導体を得る。 ゲルマニウムは、高い電子移動度や高い正孔移動度など、優れた半導体特性を備えています。
1. ゲルマニウムウエハーの特性
1.1 ゲルマニウムウエハーの一般特性
| 一般プロパティの構造 | キュービック、a =5.6754Å | ||
| 密度：5.765グラム/ cm 3で | |||
| 融点：937.4 oC | |||
| 熱伝導率：640 | |||
| 結晶成長技術 | チョクラルスキー | ||
| 利用可能ドーピング | / | Sbのドーピング | ドーピングやジョージア |
| 導電型 | N | N | P |
| 抵抗率は、ohm.cm | >35 | <0.05 | 0.05から0.1まで |
| EPD | <5×103/cm2 | <5×103/cm2 | <5×103/cm2 |
| <5×102/cm2 | <5×102/cm2 | <5×102/cm2 | |
1.2 ゲルマニウムウェーハのグレードと用途
| 電子グレード | ダイオードやトランジスタに使用され、 |
| 赤外線またはopiticalグレード | IR光学ウィンドウまたはディスク、光学部品に使用 |
| セルのグレード | 太陽電池の基板に使用 |
1.3 ゲルマニウム結晶とウェーハの標準仕様
| 結晶方位 | <111>、<100>、および <110> ± 0.5o またはカスタム方向 | |||
| 成長した結晶ブール | 直径1インチ～6インチ×長さ200mm | |||
| カットのような標準的な空白 | 1 "×0.5ミリメートル | 2 "x0.6mm | 4 "x0.7mm | 5 "＆6」x0.8mm |
| 標準研磨ウェーハ（片面/両面研磨） | 1 "×0.30ミリメートル | 2 "x0.5mm | 4 "x0.5mm | 5″＆6″ x0.6mm |
- 特別なサイズと方向は、要求に応じて利用できます。
2. ゲルマニウムウェーハの仕様
2.1 2 インチ、3 インチ、4 インチ、6 インチサイズのゲルマニウムウェーハの仕様
| アイテム | 仕様書 | 備考 |
| 成長方法 | VGF | — |
| 伝導型 | n-type, p type | |
| ドーパント | ガリウムまたはアンチモン | — |
| ウェハDiamter | 2、3,4＆6 | インチ |
| 結晶方位 | （100）、（111）、（110） | — |
| 厚さ | 200〜550 | ええと |
| の | EJまたは米国 | — |
| キャリア濃度 | 顧客の要求に応じ | |
| RTでの抵抗 | （〜80 0.001） | Ohm.cm |
| エッチピット密度 | <5000 | / cm 2の |
| レーザーマーキング | 要求に応じて | — |
| 表面仕上げ | P / EまたはP / P | — |
| エピ準備 | はい | — |
| パッケージ | 枚葉式コンテナまたはカセット | — |
2.2 太陽電池用ゲルマニウムウェーハ
| 4インチのGeウェハの仕様 | 太陽電池用 | - |
| ドーピング | P | - |
| ドーピング物質 | Ge-GA | - |
| 直径 | 100±0.25ミリメートル | - |
| 方向付け | (100) <111>+/-0.5 に向かって 9° オフ | |
| オフ方位、傾斜角 | N / A | - |
| プライマリオリエンテーションフラット | N / A | - |
| プライマリフラット長 | 32±1 | ミリ |
| 二次オリエンテーションフラット | N / A | - |
| セカンダリフラット長 | N / A | ミリメートル |
| ccで | （0.26から2.24）E18 | / ccで |
| 抵抗率 | （0.74から2.81）E-2 | ohm.cm |
| 電子移動度 | 382-865 | 平方センチメートル/ VS |
| EPD | <300 | / cm 2の |
| レーザマーク | N / A | - |
| 厚さ | 175±10 | ミクロン |
| TTV | ＜15 | ミクロン |
| TIR | N / A | ミクロン |
| 弓 | <10 | ミクロン |
| ワープ | ＜10 | ミクロン |
| 前面 | ポリッシュ | - |
| バック顔 | 接地 | - |
2.3 Ge Wafer（ロングパスSWIRフィルターの光学フィルター基板として）
PAM180212-GE
| アイテム | DSP Ge Wafer |
| 直径 | 4インチ |
| 厚さ | 1.50mm +/- 0.10mm |
| 方向付け | N / A |
| 導電率 | N / A |
| 抵抗率 | N / A |
| 表面処理 | 両面研磨; 最小直径90mm 中央クリアアパーチャ |
| その他のパラメータ | 60〜40スクラッチディグ以上 |
| 2分未満の平行度 | |
| 任意の 25mm 径あたり不規則な 1 フリンジ以内に光学的に平坦な表面。 クリアアパーチャーで |
2.4 薄い FIR ウィンドウとして使用されるゲルマニウム (PAM211121-GE)
4″ Germanium wafer with low plasma frequency, 175µm+/-25um. (100), single side polished.
3.ゲルマニウムウェーハプロセス
科学と技術の進歩に伴い、ゲルマニウムウェーハメーカーの処理技術はますます成熟しています。 ゲルマニウムウェーハの製造では、残留物処理からの二酸化ゲルマニウムは、塩素化および加水分解ステップでさらに精製されます。
1)ゾーンリファイニングで高純度のゲルマニウムが得られます。
2)チョクラルスキー法によりゲルマニウム結晶を作製。
3) ゲルマニウムウエハーは、切断、研削、およびエッチングの複数のステップを経て製造されます。
4) ウェーハは洗浄され、検査されます。 このプロセス中に、ウェーハはカスタム要件に従って片面研磨または両面研磨され、エピレディウェーハが付属します。
5)薄いゲルマニウムウエハーは、窒素雰囲気下で単一のウエハー容器に詰められます。
4.ゲルマニウムの適用：
ゲルマニウム ブランクまたはウィンドウは、商用セキュリティ、消防、および産業用監視機器のナイト ビジョンおよびサーモグラフィ イメージング ソリューションで使用されます。 また、分析・計測機器のフィルター、遠隔温度測定用窓、レーザー用ミラーとしても使用されています。
薄いゲルマニウム基板は、III-V 三重接合太陽電池、集電型 PV (CPV) システム、およびロングパス SWIR フィルター アプリケーションの光学フィルター基板として使用されます。
5.ゲルマニウムウェーハのテスト：
結晶ゲルマニウムウェーハの抵抗率は四探針抵抗計で測定し、ゲルマニウムの表面粗さはプロフィロメータで測定した。
Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips on July 3, 2023. Exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
詳細については、電子メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.comとpowerwaymaterial@gmail.com。
ドープまたは非ドープのゲルマニウム (Ge) クリスタル | Ge単結晶成長
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