PAM-XIAMEN peut proposer un substrat SiC et une plaquette d'épitaxie pour la fabrication de dispositifs IGBT. L'émergence du semi-conducteur à large bande interdite de troisième générationplaquette SiCa montré une plus grande compétitivité dans les domaines de la haute tension, de la haute température et de la forte puissance. Le n-IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) est développé en développant n^–et P⁺Film mince SiC sur le substrat SiC de type n comme couche de dérive et collecteur. Et la structure détaillée de la plaquette SiC IGBT de PAM-XIAMEN est illustrée comme suit :

1. Structure SiC multicouche pour la fabrication d'IGBT à canal N

2. Opportunités des dispositifs IGBT basés sur le substrat SiC

L'IGBT est le dispositif central de la conversion de puissance, qui contribue efficacement à la neutralisation du carbone. Dans le domaine de la production et de l'utilisation d'énergie propre, l'IGBT est le dispositif central des onduleurs photovoltaïques et éoliens, et est largement utilisé dans les systèmes d'entraînement électrique des véhicules à énergie nouvelle et des piles de charge. Le module SiC IGBT réduit efficacement la consommation d'énergie et contribue à la conservation de l'énergie et à la réduction des émissions. Ainsi, la demande de dispositifs SiC IGBT basés sur la technologie des tranches minces IGBT va se développer rapidement.

La demande de neutralité carbone entraîne le développement rapide de la production d'énergie propre et l'augmentation rapide de la pénétration des véhicules électriques. Du côté de la consommation, la neutralité carbone met en avant des exigences plus strictes pour la consommation d'électricité industrielle, ce qui élargit encore la vulgarisation des équipements économes en énergie tels que les convertisseurs de fréquence. En tant que cœur de la conversion de puissance, par rapport à Si IGBT, la fabrication de plaquettes IGBT sur un matériau SiC présente de grands avantages dans les véhicules à énergie nouvelle. Par conséquent, l'espace de marché est énorme.

3. Applications des dispositifs sur SiC IGBT Wafer

À l'heure actuelle, la tranche épitaxiale de SiC est principalement utilisée dans les onduleurs principaux, les OBC, les DC/DC, les compresseurs et les IGBT. Parmi eux, l'epi IGBT est toujours le principal dispositif d'alimentation utilisé dans le domaine automobile. Les portefeuilles de produits SiC IGBT dans le domaine automobile sont principalement basés sur des puces nues, des tubes simples, des modules de puissance et des composants. Les solutions basées sur la technologie IGBT à tranche mince peuvent couvrir les applications des véhicules énergétiques, y compris les onduleurs principaux, les chargeurs embarqués, les réchauffeurs PTC, les compresseurs, les pompes à eau et les pompes à huile.

Dans le domaine de la production d'énergie photovoltaïque et éolienne, le carbure de silicium IGBT est principalement utilisé dans les onduleurs, de sorte que l'électricité grossière générée par le photovoltaïque ou l'énergie éolienne peut être transformée par les IGBT en électricité fine qui peut être connectée en douceur à Internet.

Dans le domaine du contrôle industriel et de l'alimentation électrique, les IGBT basés sur la structure 4H-SiC IGBT sont largement utilisés dans les onduleurs, les servomachines, les machines de soudage à onduleur et les alimentations UPS.

De plus, dans le domaine des appareils électroménagers, les accessoires électroniques fabriqués sur plaquette épi SiC IGBT sont utilisés dans les produits blancs tels que les climatiseurs à onduleur et les machines à laver à onduleur pour aider à réaliser des économies d'énergie et à réduire les émissions.

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.