PAM-XIAMEN kann SiC-Substrate und Epitaxie-Wafer für die Herstellung von IGBT-Geräten anbieten. Die Entstehung des Wide-Bandgap-Halbleiters der dritten GenerationSiC-Waferhat eine stärkere Wettbewerbsfähigkeit in den Bereichen Hochspannung, Hochtemperatur und Hochleistung gezeigt. Der n-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) wird durch Aufwachsen von n weiterentwickelt–und P+SiC-Dünnfilm auf dem n-leitenden SiC-Substrat als Driftschicht und Kollektor. Und die detaillierte Struktur des SiC-IGBT-Wafers von PAM-XIAMEN ist wie folgt dargestellt:
1. Mehrschichtige SiC-Struktur für die N-Kanal-IGBT-Herstellung
| Epi-Schicht | Dicke | Dopingkonzentration |
| n–Driftschicht | – | 2 × 1014cm-3 |
| n Pufferschicht | 3 ähm | – |
| p+Minoritätsträgerinjektionsschicht | – | – |
| SiC-Substrat, n-Typ |
2. Möglichkeiten von IGBT-Bauelementen auf Basis von SiC-Substraten
IGBT ist das Kernelement der Leistungsumwandlung, das effektiv zur CO2-Neutralisierung beiträgt. Im Bereich der sauberen Energieerzeugung und -nutzung ist IGBT das Kernstück von Photovoltaik- und Windkraftwechselrichtern und wird häufig in elektrischen Antriebssystemen von Fahrzeugen mit neuer Energie und Ladesäulen eingesetzt. Das SiC-IGBT-Modul reduziert effektiv den Stromverbrauch und trägt zur Energieeinsparung und Emissionsreduzierung bei. Die Nachfrage nach SiC-IGBT-Bauelementen auf Basis der IGBT-Dünnwafer-Technologie wird sich also rasant entwickeln.
Die Forderung nach CO2-Neutralität treibt die rasante Entwicklung der Stromerzeugung aus sauberer Energie und die rasche Zunahme der Verbreitung von Elektrofahrzeugen voran. Auf der Verbrauchsseite stellt die CO2-Neutralität strengere Anforderungen an den industriellen Stromverbrauch, was die Verbreitung energiesparender Geräte wie Frequenzumrichter weiter vorantreibt. Als Kern der Leistungsumwandlung hat die IGBT-Waferherstellung auf SiC-Material im Vergleich zu Si-IGBT große Vorteile in Fahrzeugen mit neuer Energie. Daher ist der Marktraum riesig.
3. Anwendungen von Bauelementen auf SiC-IGBT-Wafern
Gegenwärtig wird SiC-Epitaxialwafer hauptsächlich in Hauptwechselrichtern, OBCs, DC/DCs und Kompressoren und IGBTs verwendet. Unter ihnen ist Epi-IGBT immer noch das Mainstream-Leistungsbauelement, das im Automobilbereich verwendet wird. SiC-IGBT-Produktportfolios im Automobilbereich basieren hauptsächlich auf Bare-Chips, Einzelröhren, Leistungsmodulen und Komponenten. Die auf der Dünnwafer-IGBT-Technologie basierenden Lösungen können Energiefahrzeuganwendungen abdecken, darunter Hauptwechselrichter, Bordladegeräte, PTC-Heizungen, Kompressoren, Wasserpumpen und Ölpumpen.
Im Bereich der Photovoltaik- und Windkrafterzeugung wird IGBT-Siliziumkarbid hauptsächlich in Wechselrichtern eingesetzt, damit der durch Photovoltaik oder Windkraft erzeugte grobe Strom durch IGBTs zu feinem Strom verarbeitet werden kann, der reibungslos an das Internet angeschlossen werden kann.
Auf dem Gebiet der industriellen Steuerung und Stromversorgung werden IGBTs auf Basis der 4H-SiC-IGBT-Struktur häufig in Wechselrichtern, Servomaschinen, Wechselrichter-Schweißmaschinen und USV-Stromversorgungen eingesetzt.
Darüber hinaus wird im Bereich der Haushaltsgeräte elektronisches Zubehör, das auf SiC-IGBT-Epi-Wafern hergestellt wird, in Haushaltsgeräten wie Inverter-Klimaanlagen und Inverter-Waschmaschinen verwendet, um Energieeinsparungen und Emissionsreduzierungen zu erzielen.
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