Cosa influenzerà la qualità dell'affettatura di wafer SiC?

Cosa influenzerà la qualità dell'affettatura di wafer SiC?

Sono disponibili wafer di carburo di silicio (SiC), per ulteriori informazioni sui wafer fare clichttps://www.powerwaywafer.com/sic-wafer. Le prestazioni dell'affettatura dei wafer SiC determinano il livello di lavorazione della successiva diluizione e lucidatura. L'affettatura è soggetta a crepe sulla superficie e sotto la superficie del wafer SiC, aumentando il tasso di frammentazione e il costo di produzione del wafer. Pertanto, il controllo del danno da cricca sulla superficie del wafer SiC è di grande importanza per promuovere lo sviluppo della tecnologia di produzione dei dispositivi al carburo di silicio.

1. Fattori che influiscono sulla qualità dell'affettatura dei wafer SiC

La qualità dell'affettatura del carburo di silicio è influenzata dai seguenti fattori:

1) I parametri del processo di taglio;

2) La dimensione delle particelle abrasive consolidate;

3) Il movimento di avanzamento del pezzo;

4) Il controllo improprio della velocità del filo della sega.

All the factors may cause surface crack damage to the SiC slice during the wafer slicing process. And surface crack damage is closely related to slice quality. 4H-SiC ingot slicing may produce surface crack damage, which is mainly divided into subsurface lateral crack damage and median crack damage, as shown in Figure below. While the crack damage increases the cost in subsequent processing, it is easy to further expand and cause the SiC wafer to break.

surface crack damage of sawing SiC wafer slicing

Fig. Surface Crack Damage of Sawing SiC Wafers

Epitaxial growth on silicon carbide substrate, device fabrication process and device performance are all related to crystal orientation. In order to avoid brittle cracks in wafers caused by orientation sensitivity during ingot slicing, crystal orientation detection needs to be performed before slicing silicon carbide ingots.

2. Solutions to Ensure Quality of SiC Wafer Slicing

To ensure the quality of SiC slices, we recommend you the following solutions:

Firstly, SiC ingots are generally grown on the SiC{0001} plane, and cutting along the SiC crystal plane parallel to the growth direction of the ingot can effectively reduce the density of threading screw dislocations on the slice surface and improve the slice quality.

Quindi, anche il controllo dei parametri del processo di segatura durante l'affettatura è fondamentale per la qualità dell'affettatura. Ridurre la velocità di avanzamento e la forza di avanzamento può ridurre la normale sollecitazione di compressione dei grani abrasivi, aumentare la velocità del filo della sega può ridurre la sollecitazione di compressione tangenziale dei grani abrasivi e ridurre l'usura del filo della sega e del rivestimento e lo spargimento dei grani abrasivi in ​​un piccolo intervallo. Tuttavia, è necessario considerare in modo completo il grado di danneggiamento del filo della sega e l'efficienza di taglio.

Inoltre, è necessario mantenere un refrigerante sufficiente e uniforme per ridurre lo stress termico residuo, ridurre le vibrazioni del filo della sega ed evitare l'instabilità del campo di stress abrasivo.

Per ulteriori informazioni, contattaci tramite e-mail all'indirizzo [email protected] e [email protected].

Condividi questo post