Влияние постростового отжига на характеристики детекторов излучения CdZnTe:In различной толщины

  • Главная
  • Новости
  • Влияние постростового отжига на характеристики детекторов излучения CdZnTe:In различной толщины

Влияние постростового отжига на характеристики детекторов излучения CdZnTe:In различной толщины

Влияние постростового отжига на характеристики детекторов излучения CdZnTe:In различной толщины
Для улучшения характеристик был использован эффективный метод отжига после роста.CdZnTe:In (CZT:In) детекторы излучения. Результаты показали, что включения Te в кристаллах CZT:In различной толщины полностью исчезли после отжига. Как удельное сопротивление, так и ИК-пропускание отожженных кристаллов CZT:In разной толщины очевидно увеличились, что свидетельствует об улучшении качества кристаллов. Для детектора, изготовленного из отожженного CZT: в срезах толщиной 2 мм энергетическое разрешение и (мкмτ)eСтоимость увеличилась примерно на 63% и 115% соответственно. И для того, что изготовлено из отожженного CZT: в срезах толщиной 5 мм энергетическое разрешение и (мкмτ)eЗначение увеличилось примерно на 300% и 88% соответственно.
Рис. 1. ИК-изображения выращенных и отожженных кристаллов CZT:In различной толщины: а – 2 мм; (б) 5 мм. Размер каждого пикселя 504×347 мкм.2.
Источник: ScienceDirect
Если вам нужна дополнительная информация о влиянии постростового отжига на характеристики CdZnTe:In радиационные детекторы различной толщины, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com/, отправьте нам электронное письмо по адресуsales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com.
2013-11-26 , , ,

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

50.8mm (2 Inch) Silicon Wafers-3

PAM XIAMEN offers 50.8mm Si wafers. Please send us email at sales@powerwaywafer.com  if you need other specs and quantity. Item Material Orient. Diam (mm) Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment PAM2063 p-type Si:B [111] 2″ 500 P/P 0.003–0.005 Prime, 2 Flats (2nd @ 45°), hard cst PAM2064 p-type Si:B [111] 2″ 280 P/E 0.001–0.005 SEMI Prime, 1Flat, hard cst PAM2065 p-type Si:B [111] 2″ 1000 P/E 0.001–0.005 SEMI Prime, 1Flat, hard cst PAM2066 p-type Si:B [111] 2″ 1000 P/E 0.001–0.005 SEMI Prime, 1Flat, hard cst PAM2067 p-type Si:B [111] ±0.5° 2″ 500 P/P <0.01 SEMI Prime, 1Flat, [...]

2019-02-18метаавтор
4″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal oxide 20nm

PAM XIAMEN offers 4″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal oxide 20nm 4inch diameter wafer made of monocrystalline silicon with isolation oxide Diameter 101.6mm Polishing: one-sided for microelectronics  Type of conductivity and alloying: not specified  Surface orientation:  not specified  Primary and secondary flat orientation: not specified Thickness: 675 microns±20 microns Wedge (TTV): less than 15 microns TTV<15μm Distortion: less than 35 microns  Thickness of the isolation oxide: at least 20 nm  Front side: polished.  Back side: lapped-etched For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2021-03-17метаавтор
NdGaO3 Substrate

PAM XIAMEN offers NdGaO3 Substrate.   NdGaO3 Substrate (011) NdGaO3 (011) 10x10x0.4 mm, 1 SP NdGaO3 (011) 10x10x0.5 mm, 1 SP NdGaO3 (011) 2″ dia x0.5 mm, 1 SP   NdGaO3 substrates(001) NdGaO3 (001) 5x5x0.5 mm, 1 SP NdGaO3 (001) 10x10x0.5 mm, 1 SP NdGaO3 (001) 10x10x0.5 [...]

2019-05-13метаавтор
Electroluminescence Testing of GaAs LED Epitaxial Wafer

With the continuous progress of semiconductor technology, semiconductor devices such as LEDs, photovoltaic cells, semiconductor lasers, etc. have been widely used in people’s daily life and work. In order to ensure the quality and cost control in the production process of the semiconductor device, [...]

2022-09-26метаавтор
1550nm PIN Photodiode Structure

Epitaxial InGaAsP / InP photodiode wafer is offered for making InP-based optoelectronic devices. For such devices, InGaAsP quaternary material is commonly grown on InP substrate as ohmic contact layers. Quaternary InGaAsP thin film epitaxial on InP is sensitive to InP luminescence. InGaAsP / InP [...]

2022-04-15метаавтор
4″ Silicon Wafer-9

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment p-type Si:B [100] 4″ 400 P/P 0.001-0.005 SEMI Prime p-type Si:B [100] 4″ 500 P/P 0.001-0.005 SEMI Prime, Wafers with striation marks p-type Si:B [100] 4″ 525 P/P 0.001-0.005 SEMI Prime, TTV<5μm, Bow<15μm, Warp<30μm p-type Si:B [100] 4″ 525 P/E 0.001-0.002 SEMI Prime, TTV<4μm p-type Si:B [100] 4″ 525 P/E 0.001-0.005 SEMI Prime, TTV<5μm p-type Si:B [100] 4″ 525 BROKEN 0.001-0.005 Broken wafer (shattered into many pieces) p-type Si:B [100] 4″ 800 C/C 0.001-0.005 SEMI, With striation marks p-type Si:B [100] 4″ ? P/P SEMI Test p-type Si:B [100] 4″ 375 P/E <0.0015 {0.00091-0.00099} SEMI Prime, TTV<3μm p-type Si:B [111] 4″ 350 P/E 2-3 Prime, NO Flats p-type Si:B [111] 4″ 1000 P/P 1-10 SEMI Prime, Cassettes of 10 [...]

2019-03-05метаавтор