PAM XIAMEN offers InP Wafer. Detailed wafer information, please refer to below:

1. InP Wafer Specifications

ВП(100)

InP (100) легированный оловом
InP-(VGF-выращенный) (100) легированный оловом, пластина 2″x0,35 мм, 1 шт.

InP (100)нелегированный
InP (100) нелегированный, пластина 10×10 x 0,5 мм, 1 шт.
VGF InP (100) нелегированный, пластина 2″ x 0,35 мм, 1 шт.
VGF InP (100) нелегированный, пластина 2″ x 0,35 мм, 2 шт.

InP(100) легированный цинком
InP, метод выращивания: VGF(100) легированный цинком, 3 дюйма x 0,625 мм, пластина, 1 шт.
VGF InP (100) легированный цинком, 2″ x 0,35 мм, пластина, 1 шт.

InP(100) легированный Fe
VGF InP (100) легированный Fe, пластина 2″x0,35 мм, 1 шт.

InP(100) s-легированный
InP-(VGF-выращенный) (100) легированный S, пластина 2″x0,5 мм, 1 шт.
InP-VGF- (100) S легированный, пластина 10x10x0,5 мм, 2 шт.

ВП(110)

InP-VGF Grown (110) нелегированный, N-тип, пластина 2″x0,5 мм, 2 шт.
VGF InP (110) легированный Fe, пластина 2″x0,5 мм, 2 шт.

ВП(111)

InP-(VGF-выращенный) (111)AS легированный, пластина 2″x0,5 мм, 1 шт.
InP-(VGF-выращенный) (111)A Zn-легированный, P-тип, пластина 2″x (0,3-0,35) мм, 1 шт.
InP-(VGF-Grown) (111)легированная BS, пластина 2″x0,35 мм, 1 шт.
InP-VGF Grown (110) нелегированный, N-тип, пластина 2″x0,5 мм, 2 шт.
InP-VGF Grown (111) Нелегированная пластина 2″ x 0,35 мм, 1 шт.
InP-VGF Grown (111)A нелегированный, пластина 5x5x0,5 мм, 1 шт.
InP-VGF Grown (111)A, легированный Fe, пластина 2″ x 0,35 мм, 1 шт., полуизолирующая
InP-VGF Grown (111)A, легированный Fe, пластина 2″ x 0,35 мм, 2 шт., полуизолирующая
InP-VGF Grown (111)B нелегированный, пластина 2″x0,35 мм, 1 шт.
InP-VGF Grown (111)B Fe doped, 2″x0.35 mm wafer, 1sp, Semi-insulating

2. FAQ for InP Wafers

Q1: As I am aware off, on III/V wafers, always one side is considered as In and the other side P side of the InP wafer.
At least our last purchase of InSb wafers was lie this. We have to define for customer, which side is the In side and which side the Sb side. Or call IT Side A and Side B.
If the spider side is the backside, eventual this is the B-Side, but we still don’t know, for InP substrate, which side typically it will be In or P?

A: Not all wafers has In side or P side(take InP wafer as an example), only when it is (111)orientation, the wafer has In side and P side. That is why it is called (111)A or (111)B.

Q2: I was also wondering how I could cut InP wafers. I would like to have them diced using a machine, but was wondering:
1) if they can be exposed to water.
2) if it be possible to cut the wafers using diamond scribes.

A: You can use a blade to cut InP wafers along the cleavage surface (parallel flats). Cutting in air is no problem. Of course, you can cut in water. The blade should be thin, and you can use ordinary blade, because Indium phosphide is very soft, so the cut surface is plane (i.e. cleavage surface).

Q3: The application of InP wafers will be in manufacturing of InGaAs sensors with integrated ASIC electronic circuitry for 1.7 –2.6 µm. Could you please recommend us some suitable specifications ?

A: In terms of InP substrate for InGaAs sensor application, we will recommend the spec as figure shown below:

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in China. PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, manufacturing processes, engineered substrates and semiconductor devices. PAM-XIAMEN’s technologies enable higher performance and lower cost manufacturing of semiconductor wafer.

PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, начиная от германиевой пластины первого поколения, арсенида галлия второго поколения с выращиванием подложек и эпитаксии до легированных кремнием III-V полупроводниковых материалов n-типа на основе Ga, Al, In, As и P. выращенные MBE или MOCVD до третьего поколения: карбид кремния и нитрид галлия для светодиодов и силовых устройств.