Si (Голый Прайм, Тепловое оксид, Pt с покрытием и солнечные батареи Ранг) -8

  • Домой
  • Новости
  • Si (Голый Прайм, Тепловое оксид, Pt с покрытием и солнечные батареи Ранг) -8

Si (Голый Прайм, Тепловое оксид, Pt с покрытием и солнечные батареи Ранг) -8

РАМ СЯМЫНЬ предлагает Si (Bare Prime, Термальный оксид, Pt с покрытием и солнечных батарей Ранг).

РАМ СЯМЫНЬ поставляет все виды кремниевой пластины от 1 "~ 8" в диаметре. В частности, специализирующиеся на изготовлении Si пластины с различными специальными размерами и ориентацией.

6 "Диаметр Вафли

Кремниевая пластина (100), 6»диаметр х 0,65 - 0,7 мм, 1SP Н-тип (Р-легированный) с удельным сопротивлением: 1-20 Ом · см

Кремниевая пластина (111), 6»диаметр х 0,65 - 0,7 мм, тип 1SP Р (В легированном) с сопротивлениями: 5-10 Ом · см

Кремниевая пластина (111), 6»диаметр х 0,65 - 0,7 мм, тип 1SP Р (В легированном) с сопротивлениями: 5-10 Ом · см

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Найдено в 1990 году, Сямэнь Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-СЯМЫНЬ) является ведущим производителем полупроводникового материала в Китае.РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и эпитаксию технологию, производственные процессы, спроектированные подложки и полупроводниковые приборы.технологии PAM-СЯМЫНЬ позволяют более высокую производительность и низкую стоимость изготовления полупроводниковой пластины.

РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и эпитаксии технологии, диапазон от первого поколения Германий пластин, второго поколения на основе арсенида галлия с ростом подложки и эпитаксии на III-V кремния, легированного полупроводниковых материалов п-типа на основе Ga, Al, In, As и P выращенный метод МЛЭ или MOCVD, к третьему поколению: карбид кремния и нитрид галлия для светодиодов и применения устройства питания.

2019-05-15

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

FTO Coated on Conventional Glass

PAM XIAMEN offers FTO Coated on Conventional Glass. FTO Glass Substrate (TEC 7) 1″ x 1″ x 1.1 mm, R: 7-10 ohm/sq 25pcs FTO Glass Substrate (TEC 7) 100 x 100 x 1.1 mm, R: 7-10 ohm/sq 5 pcs FTO Glass Substrate (TEC 7) [...]

2019-04-28мета-автор
Gallium Oxide(Ga2O3) Wafer

PAM-XIAMEN can offer EFG grown Gallium Oxide (chemical formula: Ga2O3) wafer. Currently, the third-generation semiconductors represented by silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) have received widespread attention. High hopes are placed on the application of SiC and GaN in the high power, high temperature, high pressure occasions(like new energy [...]

2021-04-19мета-автор
MoS2 crystal

PAM XIAMEN offers MoS2 crystal. As a transition metal dichalcogenide, MoS2 is composed of two-dimensional layers stacked in the vertical direction. It possesses some of graphene’s desirable qualities (such as mechanical strength and electrical conductivity), and can emit light, opening possible applications such as [...]

2019-05-13мета-автор
GaAs (100) crystal-3

PAM XIAMEN offers GaAs(100) Si- doped crystal . GaAs – Growing Method: VGF (100) Si doped, N-type, 2″ dia x 0.35mm, 2sp,cc: (1.07-3.89) x 10^18 /cm^3 GaAs – Growing Method: VGF (100) Si doped, N-type, 2″ dia x 0.35mm, 1sp,cc: (1.65-3.59) x 10^18 /cm^3 [...]

2019-04-22мета-автор
InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes grown on free-standing GaN substrates

InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes grown on free-standing GaN substrates The InGaN multi-quantum-well (MQW)-structure laser diode (LD) was grown on an epitaxially laterally overgrown GaN on sapphire. The lowest threshold current densities between 1.2 and 2.8 kA cm−2 were obtained when the number of InGaN well layer was [...]

2014-04-11мета-автор
Silicon Ingots -1

Silicon Ingots -1 PAM XIAMEN offers Silicon Ingots. Below is just a short list. Contac us if you need other specs!       All diameters! Note: Material – CZ unless noted Kg in Properties of Silicon Stock Silicon Ingots Material Description 2.7 FZ 6″Ø ingot p-type Si:B[100] ±2.0°, Ro: 1-2 Ohmcm, MCC Lifetime>1777μs, NO Flats 1.15 FZ 6″Ø×25mm [...]

2019-02-15мета-автор