Тег - Тонкие пленки HgCdTe

Влияние толщины буферного слоя CdZnTe на свойства тонкой пленки HgCdTe, выращенной методом импульсного лазерного осаждения

Тонкие пленки HgCdTe нанесены на подложки CdZnTe/Si(1 1 1) методом импульсного лазерного осаждения (PLD). В качестве лазерного источника использовался импульсный Nd:YAG-лазер с длиной волны 1064 нм. Влияние толщины буферного слоя CdZnTe, меняющейся в зависимости от времени осаждения в диапазоне от 3 до 15 минут, на [...]