Тонкие пленки HgCdTeбыли нанесены на подложки CdZnTe/Si(1 1 1) методом импульсного лазерного осаждения (PLD). В качестве лазерного источника использовался импульсный Nd:YAG-лазер с длиной волны 1064 нм. Проанализировано влияние толщины буферного слоя CdZnTe, меняющейся в зависимости от времени осаждения в диапазоне от 3 до 15 мин, на кристаллические, морфологические и другие свойства тонких пленок HgCdTe. Результаты показывают, что кристаллическое качество и состав эпитаксиального слоя HgCdTe изменяются с увеличением времени осаждения буферного слоя. Буферный слой CdZnTe с правильным временем осаждения может улучшить качество пленок HgCdTe, а пленки HgCdTe, осажденные на буферный слой CdZnTe со временем осаждения 5 минут, демонстрируют лучшее кристаллическое качество и гладкую поверхность в нашем эксперименте.

Мелирование

► Мы подготовили тонкую пленку HgCdTe на подложках CdZnTe/Si(1 1 1) методом импульсного лазерного осаждения (PLD).

► Проанализировано влияние толщины буферного слоя CdZnTe, меняющейся в зависимости от времени осаждения, на кристаллические, морфологические и другие свойства тонких пленок HgCdTe.

► Проанализированы причины изменения качества кристаллов и состава эпитаксиального слоя HgCdTe при увеличении времени нанесения буферного слоя.

 

Рис. 1. СЭМ-изображения различных тонких пленок КРТ, осажденных на буферный слой CZT с различным временем осаждения: (а) 0 минут, (б) 3 минуты, (в) 5 минут, (г) 10 минут и (д) 15 мин.

Источник: Прикладная наука о поверхности.

Если вам нужна дополнительная информация о влиянии толщины буферного слоя CdZnTe на свойства тонкой пленки HgCdTe, выращенной методом импульсного лазерного осаждения, посетите наш сайт:https://www.powerwaywafer.com/, отправьте нам электронное письмо по адресу sales@powerwaywafer.comилиpowerwaymaterial@gmail.com.