Mit dem kontinuierlichen Fortschritt der Halbleitertechnologie wurden Halbleiterbauelemente wie LEDs, Photovoltaikzellen, Halbleiterlaser usw. in großem Umfang im täglichen Leben und bei der Arbeit der Menschen verwendet. Um die Qualitäts- und Kostenkontrolle im Produktionsprozess der Halbleitervorrichtung sicherzustellen, ist es im Allgemeinen notwendig, verschiedene Online-Leistungstests an der Halbleitervorrichtung im Produktionsprozess durchzuführen. Am Beispiel von LEDs ist es im LED-Herstellungsprozess normalerweise erforderlich, Elektrolumineszenz (EL)-Tests auf dem LED-Epitaxie-Wafer durchzuführen.
Um die Leistung der von uns angebotenen LED-Wafer zu gewährleisten (weitere Wafer-Spezifikationen finden Sie unter:https://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/epitaxial-wafer.html), testen wir die Waferleistung nach der Herstellung. Nachfolgend beschreiben wir die Elektrolumineszenz-Testtechniken, die an unseren GaAs-LED-Wafern durchgeführt werden:
1. GaAs-basierter roter LED-Wafer für EL-Tests
| Struktur | Dicke (nm) |
| C-GaP | – |
| Mg-GaP | – |
| Mg-AlGaInP (Übergangsschicht) | – |
| Mg-AlInP | – |
| AlInP | – |
| MQW: AlGaInP | – |
| Si-AlInP | – |
| Si-Al0.6GaInP | – |
| Si-GaInP | 8.8 |
| Si-GaAs (Ohm-Kontaktschicht) | – |
| Si-GaInP (geätzte Schicht) | – |
| Si-GaAs (Pufferschicht) | – |
| GaAs-Substrat |
2. Was ist Elektrolumineszenz?
Elektrolumineszenz wird auch als Feldlumineszenz bezeichnet. Gegenwärtig wird die Elektrolumineszenz-Bildgebungstechnologie von vielen Herstellern von Solarzellen und -modulen verwendet, um potenzielle Defekte von Produkten zu erkennen und die Produktqualität zu kontrollieren.
Bei LED-Elektrolumineszenzfilmen ist die Elektrolumineszenz-Spektroskopie eine wichtige Technik zur Charakterisierung neuer LEDs und zur Erleichterung ihrer Entwicklung. Die Leistung von lichtemittierenden Vorrichtungen kann durch Elektrolumineszenz und zeitaufgelöste Spektroskopie untersucht werden. Anhand des Emissionsspektrums lassen sich Farbort und Farbwiedergabeindex der LED sowie grundlegende Eigenschaften wie die Bandlücke des Halbleiters berechnen.
3. How to Do the Electroluminescence Testing?
EL-Messungen werden normalerweise an fertigen Geräten (z. B. LEDs) durchgeführt, da eine Gerätestruktur zum Einspeisen von Strom erforderlich ist. Das Elektrolumineszenz-Testgerät legt einen Vorwärtsstrom von 1–40 mA an die Zelle an, der auf beide Seiten des Diffusionsübergangs wirkt, und die elektrische Energie regt die Atome im Grundzustand an, wodurch sie in den angeregten Zustand und die Atome in den angeregten Zustand versetzt werden Zustand sind instabil und führen spontane Strahlung aus. Durch die Funktion des Filters und den Belichtungsgrad des Films versteht man den intrinsischen Übergang in die spontane Emission; durch die Beziehung zwischen Minoritätsträgerlebensdauer, Dichte und Lichtintensität, aus dem Belichtungsgrad des Films, um zu beurteilen, ob es einen Defekt auf dem GaAs-LED-Epi-Wafer gibt.
Wenn der EL-Test für den obigen LED-Wafer durchgeführt wird, testen wir in der Mitte des Wafers, wählen mehrere Punkte aus und testen dann bei 20 mA Strom. Die von uns getesteten Elektrolumineszenzdaten sind in der folgenden Abbildung dargestellt:
4. FAQ for GaAs LED Wafer
Q: How do you typically make contact to the GaP:C p-contact layer of GaAs LED wafer? For example, ITO or Ti/Pt/Au?
A: Usually we make ITO as contact for GaAs LED epitaxy.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.