Hochwertige Saphirwafer sind von 2 Zoll bis 8 Zoll mit A-, C-, M- oder R-Ebene erhältlich. Einkristall-Saphirwafer ist ein sehr schwierig zu bearbeitendes Material, daher wird es häufig als Material für optoelektronische Komponenten verwendet. Gegenwärtig hängt die Qualität von ultrahellen weißen/blauen LEDs von der Materialqualität der Galliumnitrid-Epitaxie (GaN) und der Qualität von abLED-GaN-Epitaxiehängt eng mit der Oberflächenverarbeitungsqualität des Saphirsubstratwafers zusammen. Die Gitterkonstanten-Fehlanpassungsrate zwischen dem C-Ebenen-Saphir und der abgeschiedenen II-V- und II-VI-GruppeFilme ist klein und erfüllt die Anforderungen an die hohe Temperaturbeständigkeit im GaN-Epitaxieprozess, was den Saphirwafer zu einem Schlüsselmaterial für die Herstellung von weißen/blauen/grünen LEDs macht. Als einer der Saphir-Wafer-Lieferanten bietet Ihnen PAM-XIAMEN folgende Saphir-Wafer-Spezifikationen:
2 IN SAPHIRE WAFER A-PLANE 11-20 EINZELKRISTALL AL2O3
Material: Hochrein >99,996 %, Einkristall Al2O3
Abmessung: Φ50,8 mm ± 0,1 mm
Dicke: 0,50 mm Standard
Gitterparameter: a=4,785 A, c=12,991 A
Dichte: 3,98 g/cm3
Ausrichtung: A-Ebene (11-20) 0,2 ± 0,1 Grad daneben.
Primäre flache Ausrichtung: C-Ebene
Primäre flache Länge: 16,0 ± 1 mm
Gesamtdickenvariation: <10 μm
Bogen: <10 μm
Krümmung: <10 μm
Polieren: Einseitig poliert Ra < 0,5 nm (AFM), Polieren in doppelter Größe ist auf Anfrage erhältlich.
2 IN SAPHIR WAFER M-PLANE 10-10 EINZELKRISTALL AL2O3
Material: Hochrein >99,996 %, Einkristall Al2O3
Abmessung: Φ50,8 mm ± 0,1 mm
Dicke: 0,43 mm Standard
Gitterparameter: a=4,785 A, c=12,991 A
Dichte: 3,98 g/cm3
Ausrichtung: M-Ebene (10-10) 0,2 ± 0,1 Grad daneben.
Primäre flache Ausrichtung: C-Ebene [11-20] +/- 0,2°
Primäre flache Länge: 16,0 ± 1 mm
Gesamtdickenvariation: <10 μm
Bogen: <10 μm
Krümmung: <10 μm
Polieren: Einseitig poliert Ra < 0,5 nm (AFM), Polieren in doppelter Größe ist auf Anfrage erhältlich.
2 IN SAPPHIRE WAFER R-PLANE 1-102 EINZELKRISTALL AL2O3
Material: Hochrein >99,996 %, Einkristall Al2O3
Abmessung: Φ50,8 mm ± 0,1 mm
Dicke: 0,43 mm Standard
Gitterparameter: a=4,785 A, c=12,991 A
Dichte: 3,98 g/cm3
Ausrichtung: R-Ebene (1-102) 0,2 ± 0,1 Grad daneben.
Primäre flache Ausrichtung: Projizierte C-Achse 45 +/- 2 Grad
Primäre flache Länge: 16,0 ± 1 mm
Gesamtdickenvariation: <10 μm
Bogen: <10 μm
Krümmung: <10 μm
Polieren: Einseitig poliert Ra < 0,5 nm (AFM), Polieren in doppelter Größe ist auf Anfrage erhältlich.
2 ZOLL SAPHIR WAFER C-PLANE EINZEL- ODER DOPPELSEITIG POLIERTER AL2O3 EINZELKRISTALL
Material: Hochrein >99,99 %, Einkristall Al2O3
Abmessung: Φ50,8 mm ± 0,1 mm
Dicke: 430 um ± 25 um für SSP und 400 um ± 25 um für DSP (andere Dicken auf Anfrage erhältlich)
Gitterparameter: a=4,785 A, c=12,991 A
Dichte: 3,98 g/cm3
Ausrichtung: C-Ebene (0001) bis M (1-100) 0,2 ± 0,1 Grad abweichend.
Primäre flache Ausrichtung: A-Ebene [11-20] +/- 0,2°
Primäre flache Länge: 16,0 ± 1,0 mm
Gesamtdickenvariation (TTV): <5 μm
Bogen: <10 μm
Krümmung: <10 μm
Polieren: einseitig polierte (SSP) Vorder- und Epi-bereite Oberfläche Ra < 0,3 nm (AFM), Rückseite fein geschliffene Ra = 0,8 ~ 1,2 µm oder doppelseitig polierte (DSP) Vorder- und Rückseite mit epi-bereiter Oberfläche Ra < 0,3 nm (AFM)
3-ZOLL-SAPHIR-WAFER C-PLANE EINZEL- ODER DOPPELSEITIG POLIERTER AL2O3-EINZELKRISTALL
Material: Hochreiner >99,99 % Einkristall Al2O3
Durchmesser: Φ76,2 mm ± 0,1 mm
Dicke: 650 um ± 25 um (SSP), 600 oder 430 um ± 25 um (DSP)
Gitterparameter: a=4,785 A, c=12,991 A
Dichte: 3,98 g/cm3
Ausrichtung: C-Ebene (0001) ± 0,3 Grad, R-Ebene (1-102), A-Ebene (11-20), M-Ebene (10-10) sind verfügbar.
Primäre flache Ausrichtung: A-Ebene ± 0,3 Grad
Primäre flache Länge: 22,0 mm ± 1 mm
Gesamtdickenvariation (TTV): <15 μm
Bogen: <15 μm
Krümmung: <15 μm
Polieren: einseitig polierte (SSP) Vorderseite epi-ready Oberfläche Ra < 0,5 nm (AFM), Rückseite fein geschliffen Ra = 0,8 ~ 1,2 um, oder doppelseitig poliert (DSP) Vorder- und Rückseite epi-ready Oberfläche Ra < 0,5 nm (AFM)
4 ZOLL SAPHIR WAFER C-PLANE EINZEL- ODER DOPPELSEITIG POLIERTER AL2O3 EINZELKRISTALL
Material: Hochrein, >99,99 %, Einkristall Al2O3
Abmessung: Φ100,0 mm ± 0,1 mm
Dicke: 650 um ± 25 um (SSP), 600 um ± 25 um (DSP)
Gitterparameter: a=4,785 A, c=12,991 A
Dichte: 3,98 g/cm3
Ausrichtung: Saphir der C-Ebene (0001) von der M-Ebene 0,2 ± 0,1 Grad, R-Ebene (1-102), A-Ebene (11-20), M-Ebene (10-10) sind verfügbar.
Primäre flache Ausrichtung: A-Ebene ± 0,2 Grad
Primäre flache Länge: 30,0 ± 1 mm
Gesamtdickenvariation (TTV): <20 μm
Bogen: <20 μm
Krümmung: < 20 μm
Polieren: einseitig polierte (SSP) Vorderseite epi-ready Oberfläche Ra < 0,5 nm (AFM), Rückseite fein geschliffen Ra = 0,8 ~ 1,2 um, oder doppelseitig poliert (DSP) Vorder- und Rückseite epi-ready Oberfläche Ra < 0,5 nm (AFM)
6 Zoll C-Ebene (0001) Saphirsubstrat (PAM210910-S)
| Artikel | Spezifikation |
| Material | Hochreines Al2O3 |
| Growth-Methode | KY |
| Oberflächenorientierung | C-Ebene (0001) aus Winkel 0,2 ° ± 0,1 ° (M-Achse); 0 ° ± 0,1 ° (A-Achse) |
| Durchmesser | 150 ± 0,2 mm |
| Dicke | 1300 ± 25 um |
| TTV | ≤15um |
| Bogen | -20~0 um |
| Kette | ≤25um |
| Wafer-Rand | T-Typ oder R-Typ |
| R-Ebene | R9 |
| Primäre Flach Orientierung | A-Ebene ±0,2° |
| Primäre Wohnung Länge | Halbkerbe/47,5 ± 1,5 mm |
| Rauheit der Vorderseite | Ra ≤ 0,3 nm |
| Rauheit der Rückseite | 0,8 ~ 1,2 um |
| Laser-Markierung | Rückseite oder Vorderseite (Rückseite bevorzugt) |
| Paket | 25 Stück/Kassette, vakuumversiegelt, stickstoffgefüllt, Reinraumklasse 100 |
Saphir-Wafer 200 mm (PAM210910-S)
| Artikel | Spezifikation |
| Material | Hochreines Al2O3 |
| Oberflächenorientierung | C-Ebene (0001) aus Winkel 0°±0,3°(M-Achse) |
| Durchmesser | 200 ± 0,25 mm |
| Dicke | 725 ± 25 um |
| TTV | ≤20um |
| Bogen | -30~0um |
| Kette | ≤25um |
| Wafer-Rand | T-Typ oder R-Typ |
| R-Ebene | R9 oder R3 |
| Primäre Flach Orientierung | A-Ebene ±0,2° |
| Primäre Wohnung Länge | Halbkerbe/Design durch Kunden |
| Rauheit der Vorderseite | Ra ≤ 0,3 nm |
| Rauheit der Rückseite | 0,8 ~ 1,2 um |
| Laser-Markierung | Rückseite oder Vorderseite (Rückseite bevorzugt) |
| Paket | 25 Stück/Kassette, vakuumversiegelt, stickstoffgefüllt, Reinraumklasse 100 |
R-Flugzeug-Saphirsubstrat mit SSP
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