CZ単結晶シリコン

単結晶バルクシリコン製造業者であるPAM-XIAMENは、CZ法で成長させた76.2〜200 mmのN&Pドーパントを含む<100>、<110>、および<111>単結晶シリコンウェーハを提供できます。 チョクラルスキー法は、CZ法と呼ばれる結晶成長法です。 直管熱システムに組み込まれ、グラファイト抵抗によって加熱され、高純度石英るつぼに含まれるポリシリコンを溶融し、溶接のために種結晶を溶融物の表面に挿入します。 その後、回転する種結晶を下げて溶かします。 身体は浸透し、触れられ、徐々に持ち上げられ、ネッキング、ネッキング、ショルダー、等径制御、および仕上げのステップを経て仕上げまたは引っ張られます。

  • 説明

製品の説明

単結晶バルクシリコン製造業者であるPAM-XIAMENは、CZ法で成長させた76.2〜200 mmのN&Pドーパントを含む<100>、<110>、および<111>単結晶シリコンウェーハを提供できます。 チョクラルスキー法は、CZ法と呼ばれる結晶成長法です。 直管熱システムに組み込まれ、グラファイト抵抗によって加熱され、高純度石英るつぼに含まれるポリシリコンを溶融し、溶接のために種結晶を溶融物の表面に挿入します。 その後、回転する種結晶を下げて溶かします。 身体は浸透し、触れられ、徐々に持ち上げられ、ネッキング、ネッキング、ショルダー、等径制御、および仕上げのステップを経て仕上げまたは引っ張られます。

1. Specifications for CZ Monocrystalline Silicon Wafers

タイプ 伝導型 方向付け 直径(mm) 導電率(Ω。•CM)
CZ N&P <100>、<110>および<111> 76.2-200 1-300
MCZ N&P <100>、<110>および<111> 76.2-200 1-300
ヘビードーピング N&P <100>、<110>および<111> 76.2-200 0.001-1
  直径(mm) 厚さ(UM)
ウエハ 76.2-200 ≥160

 

2. Classification of CZ Monocrystalline Silicon Wafer

2.1 CZ-シリコン

重く/低濃度CZ単結晶シリコン is suitable for fabrication of various integrated circuits (IC), diodes, triodes, green-energy solar panel. During the monocrystalline silicon production, the special elements (such as Ga, Ge) can be added to produce the high-efficiency, radiation-resistant and anti-degenerating solar cell materials for special components.

CZ高濃度にドープされた結晶

Adopting the special doping device and CZ monocrystalline silicon wafer technology, the heavily-doped (P, Sb, As) CZ monocrystalline silicon thin film with very low resistivity can be produced, is mainly used as the lining material for epitaxial wafers, and is used to produce the special electronic devices for LSI switch power supplies, Schottky diodes and field-control high-frequency power electronic devices.

<110> Special orientation CZ-silicon

ザ・<110>単結晶シリコン has the original orientation <110>, the further processing for orientation adjustment is unnecessary; the <110>monocrystalline silicon crystal structure has the perfect characteristics, and low oxygen & carbon contents, is a new solar cell material and can be used the new generation cell material.

2.2 MCZ-Monocrystalline Silicon

The magnetic-field is used in the czochralski process to produce the CZ mono-crystalline silicon wafers with the characteristics of low oxygen content and high resistivity uniformity; the MCZシリコン各種IC、ディスクリートデバイス及び低酸素太陽電池用シリコン材料を製造するのに適しています。

一目で私たちの利点

1.Advancedエピタキシャル成長装置および試験装置。

低欠陥密度と良好な表面粗さを持つ最高品質2.Offer。

当社の顧客のための研究チームのサポートと技術サポートを3.Strong

 

4インチCZプライムシリコンウェーハの厚さ= 200±25µm-1

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness = 200 ± 25 µm-2

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness = 200 ± 25 µm-3

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525±25µm

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm-2

4″CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm-3

4″CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm-4

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 1500±25μm

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 200um.

8″CZ Prime Silicon Wafer

8″CZ Prime Silicon Wafer-1

8″CZ Prime Silicon Wafer-2

6″CZ Prime Silicon Wafer

6「CZプライムシリコンウェハ-1

6″CZ Prime Silicon Wafer-2

6″CZ Prime Silicon Wafer-3

6″ CZ Si Wafer

6″ CZ Silicon Wafer

4「CZプライムシリコンウェハ

4″CZ Prime Silicon Wafer-2

4″CZ Prime Silicon Wafer-3

4「CZプライムシリコンウェハ

4″CZ Prime Silicon Wafer-2

4″CZ Prime Silicon Wafer-6

4″CZプライムシリコンウェーハ-7

4″CZ Prime Silicon Wafer-8

4″CZ Prime Silicon Wafer-9

4″CZ Prime Silicon Wafer-10

4″CZ Prime Silicon Wafer-11

4″CZ Prime Silicon Wafer-12

4″CZ Prime Silicon Wafer-13

4″CZ Prime Silicon wafer-14

4″CZ Prime Silicon wafer-15

4″CZ Prime Silicon wafer-16

2″CZ Prime Silicon Wafer

2″ CZ Primeシリコンウェーハ-1

2″ CZプライムシリコンウェーハ-2

2″CZ Prime Silicon Wafer-3

2″CZプライムシリコンウェーハ-4

3″CZ Prime Silicon Wafer

3″CZ Prime Silicon Wafer-1

6「CZプライムウエハー1

12インチシリコンウェーハ300mmTOX(Si熱酸化ウェーハ)

12「プライムグレードシリコンウェハ

4″ CZ Epitaxial Prime Silicon Wafer-3

2″ Silicon Oxide Wafer

3″ Silicon Oxide Wafer

4″ Silicon Oxide Wafer

3″ CZ Si Lapped Wafer

8″ CZ Silicon Wafer SSP

COPフリーウェーハ

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