Cz Mono-Crystalline Silicon
PAM-XIAMEN, a monocrystalline bulk silicon producer, can offer <100>, <110> and <111> monocrystalline silicon wafers with N&P dopant in 76.2~200 mm, which are grown by CZ method. The Czochralski method is a crystal growth method, referred to as the CZ method. It is integrated in a straight-tube heat system, heated by graphite resistance, melts the polysilicon contained in a high-purity quartz crucible, and then inserts the seed crystal into the surface of the melt for welding. After that, the rotating seed crystal is lowered and melted. The body is infiltrated and touched, gradually raised, and finished or pulled through the steps of necking, necking, shouldering, equal diameter control, and finishing.
- 説明
製品の説明
PAM-XIAMEN, a monocrystalline bulk silicon producer, can offer <100>, <110> and <111> monocrystalline silicon wafers with N&P dopant in 76.2~200 mm, which are grown by CZ method. The Czochralski method is a crystal growth method, referred to as the CZ method. It is integrated in a straight-tube heat system, heated by graphite resistance, melts the polysilicon contained in a high-purity quartz crucible, and then inserts the seed crystal into the surface of the melt for welding. After that, the rotating seed crystal is lowered and melted. The body is infiltrated and touched, gradually raised, and finished or pulled through the steps of necking, necking, shouldering, equal diameter control, and finishing.
1. Specifications for CZ Monocrystalline Silicon Wafers
| タイプ | 伝導型 | 方向付け | 直径（mm） | 導電率（Ω。•CM） |
| CZ | N＆P | <100>、<110>および<111> | 76.2-200 | 1-300 |
| MCZ | N＆P | <100>、<110>および<111> | 76.2-200 | 1-300 |
| ヘビードーピング | N＆P | <100>、<110>および<111> | 76.2-200 | 0.001-1 |
| 直径（mm） | 厚さ（UM） | |
| ウエハ | 76.2-200 | ≥160 |
2. Classification of CZ Monocrystalline Silicon Wafer
2.1CZ-シリコン
重く/低濃度CZ単結晶シリコン is suitable for fabrication of various integrated circuits (IC), diodes, triodes, green-energy solar panel. During the monocrystalline silicon production, the special elements (such as Ga, Ge) can be added to produce the high-efficiency, radiation-resistant and anti-degenerating solar cell materials for special components.
CZ高濃度にドープされた結晶
Adopting the special doping device and CZ monocrystalline silicon wafer technology, the heavily-doped (P, Sb, As) CZ monocrystalline silicon thin film with very low resistivity can be produced, is mainly used as the lining material for epitaxial wafers, and is used to produce the special electronic devices for LSI switch power supplies, Schottky diodes and field-control high-frequency power electronic devices.
<110> Special orientation CZ-silicon
ザ・<110>単結晶シリコン has the original orientation <110>, the further processing for orientation adjustment is unnecessary; the <110>monocrystalline silicon crystal structure has the perfect characteristics, and low oxygen & carbon contents, is a new solar cell material and can be used the new generation cell material.
2.2MCZ-Monocrystalline Silicon
The magnetic-field is used in the czochralski process to produce the CZ mono-crystalline silicon wafers with the characteristics of low oxygen content and high resistivity uniformity; the MCZシリコン各種IC、ディスクリートデバイス及び低酸素太陽電池用シリコン材料を製造するのに適しています。
一目で私たちの利点
1.Advancedエピタキシャル成長装置および試験装置。
低欠陥密度と良好な表面粗さを持つ最高品質2.Offer。
当社の顧客のための研究チームのサポートと技術サポートを3.Strong
4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness = 200 ± 25 µm-1
4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness = 200 ± 25 µm-2
4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness = 200 ± 25 µm-3
4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm
4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525±25µm
4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm-2
4″CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm-3
4″CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm-4
4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 1500±25μm
4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 200um.
12インチシリコンウェーハ300mmTOX（Si熱酸化ウェーハ）
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テストウェーハモニターウェーハダミーウェハ
PAM-XIAMENは、ダミーウェーハメーカーとして、シリコーンダミーウェーハ/テストウェーハ/モニターウェーハを提供しています。これは、製造プロセスの開始時の安全性を向上させるために製造装置で使用され、プロセスフォームの納品チェックと評価に使用されます。 ダミーのシリコンウェーハは実験やテストによく使用されるため、ほとんどの場合、そのサイズと厚さが重要な要素になります。 100mm、150mm、200mm、または300mmのダミーウェーハが利用可能です。
エッチングウェハ
The etching silicon wafers offered by PAM-XIAMEN are N type or P type etching wafers, which have low roughness, low reflectivity and high reflectivity. The etching wafer has the characteristics of low roughness, good glossiness and relatively low cost, and directly substitutes the polished wafer or epitaxial wafer which has relatively high cost to produce the electronic elements in some fields, reducing the costs.
GaAs（ガリウム砒素）ウエハース
PAM-XIAMENは、GaAs基板の大手サプライヤーとして、半導体n型、半導体アンドープ、プライムグレードとダミーグレードのp型を含むエピレディGaAs（ガリウムヒ素）ウェーハ基板を製造しています。 GaAs基板の抵抗率はドーパントに依存し、SiドープまたはZnドープは（0.001〜0.009）ohm.cm、ドープされていないものは> = 1E7ohm.cmです。 GaAsウェーハの結晶方位は（100）と（111）でなければなりません。 （100）方向の場合、2°/ 6°/ 15°オフにすることができます。 GaAsウェーハのEPDは通常、LEDの場合は<5000 / cm2、LDまたはマイクロエレクトロニクスの場合は<500 / cm2です。
ポリッシュウェーハ
PAM-XIAMEN can offer polished wafer, n type or p type with orientation at <100>, <110> or <111>. FZ polished wafers, mainly for the production of silicon rectifier (SR), silicon controlled rectifier (SCR), Giant Transistor (GTR), thyristor (GRO)
エピタキシャルシリコンウェーハ
Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer) is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.
自立GaN基板
PAM-アモイUHB-LEDおよびLDのためのものである（窒化ガリウム）GaN基板ウエハを、自立するための製造技術を確立しました。 ハイドライド気相エピタキシー（HVPE）技術によって成長させ、我々のGaN基板は、低欠陥密度を有します。
フロートゾーン単結晶シリコン
PAM-XIAMENは、フロートゾーン法で得られるフロートゾーンシリコンウェーハを提供できます。 単結晶シリコンロッドはフロートゾーン成長を経て、単結晶シリコンロッドをフロートゾーンシリコンウェーハと呼ばれるシリコンウェーハに加工します。 フローティングゾーンシリコンプロセス中、ゾーン溶融シリコンウェーハは石英るつぼと接触していないため、シリコン材料は浮遊状態にあります。 これにより、シリコンのフローティングゾーンメルト法のプロセス中の汚染が少なくなります。 炭素含有量と酸素含有量が低く、不純物が少なく、抵抗率が高くなっています。 パワーデバイスや特定の高電圧電子デバイスの製造に適しています。
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同社は、結晶成長、結晶処理、ウェーハ処理、研磨、洗浄、テストを統合した完全なSiC（炭化ケイ素）ウェーハ基板の生産ラインを持っています。 現在、私たちは、軸上または軸外で半絶縁性と導電性を備えた市販の4Hおよび6H SiCウェーハを供給しています。利用可能なサイズ：5x5mm2,10x10mm2、2 "、3"、4 "、および6" 、種結晶処理と急速な成長、炭化ケイ素エピタキシー、デバイスなどに関連する基礎研究開発を促進します。
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