Cz Mono-Crystalline Silicon
単結晶バルクシリコン生産者であるPam-Xiamenは、<100>、<110>、<111>の単結晶シリコンウェーファーを76.2〜200 mmのN＆Pドーパントとともに提供します。 Czochralskiメソッドは、CZメソッドと呼ばれる結晶成長法です。グラファイト抵抗で加熱されたストレートチューブの熱システムに統合され、高純度の石英るつぼに含まれるポリシリコンを溶かし、溶接のために溶融の表面に種子結晶を挿入します。その後、回転する種子の結晶が下げられ、溶けます。体は浸透し、触れられ、徐々に隆起し、ネッキング、ネッキング、肩、等しい直径のコントロール、仕上げの階段を介して仕上げまたは引っ張られます。
- Description
説明
単結晶バルクシリコン生産者であるPam-Xiamenは、<100>、<110>、<111>の単結晶シリコンウェーファーを76.2〜200 mmのN＆Pドーパントとともに提供します。 Czochralskiメソッドは、CZメソッドと呼ばれる結晶成長法です。グラファイト抵抗で加熱されたストレートチューブの熱システムに統合され、高純度の石英るつぼに含まれるポリシリコンを溶かし、溶接のために溶融の表面に種子結晶を挿入します。その後、回転する種子の結晶が下げられ、溶けます。体は浸透し、触れられ、徐々に隆起し、ネッキング、ネッキング、肩、等しい直径のコントロール、仕上げの階段を介して仕上げまたは引っ張られます。
1。CZ単結晶シリコンウェーハの仕様
| タイプ | 伝導型 | オリエンテーション | 直径(mm) | 導電率（ω•cm） |
| CZ | N＆P | <100> <110>＆<111> | 76.2-200 | 1-300 |
| MCZ | N＆P | <100> <110>＆<111> | 76.2-200 | 1-300 |
| ヘビードーピング | N＆P | <100> <110>＆<111> | 76.2-200 | 0.001-1 |
| 直径(mm) | 厚さ(ええと) | |
| ウエハ | 76.2-200 | ≥160 |
2。CZ単結晶シリコンウェーハの分類
2.1CZ-シリコン
重く/軽くドープされていますCZモノ結晶シリコンさまざまな統合回路（IC）、ダイオード、トリオード、グリーンエネルギーソーラーパネルの製造に適しています。単結晶シリコン生産中に、特別な要素（GA、GEなど）を追加して、特別な成分のための高効率、放射耐性、および防止太陽電池材料を生成できます。
CZ重くドープされたクリスタル
特別なドーピングデバイスとCZ単結晶シリコンウェーハテクノロジーを採用すると、非常に低い抵抗率を備えた重度のドープ（P、SB、AS）CZ単結晶シリコン薄膜を生成できます。デバイス。
<110>特別方向CZ-Silicon
ザ・<110>単結晶シリコン元の方向<110>があり、方向調整のためのさらなる処理は不要です。 <110>単結晶シリコン結晶構造には完全な特性があり、低酸素と炭素含有量は新しい太陽電池材料であり、新しい世代の細胞材料を使用できます。
2.2MCZ-単結晶シリコン
磁場は、Czochralskiプロセスで使用され、低酸素含有量と抵抗率の均一性の特性を備えたCZモノ結晶シリコンウェーハを生成します。MCZシリコンさまざまなICS、離散デバイス、低酸素太陽電池用のシリコン材料を生産するのに適しています。
当社の利点の概要
1.高度なエピタキシー成長装置とテスト機器。
2.欠陥密度が低く、表面粗さが良好な最高品質を増やします。
3.顧客への強力な研究チームのサポートとテクノロジーサポート
4インチCZプライムシリコンウェーハの厚さ= 200±25 µm-1
4インチCZプライムシリコンウェーハの厚さ= 200±25 µm-2
4インチCZプライムシリコンウェーハの厚さ= 200±25 µm-3
4インチCZプライムシリコンウェーハの厚さ525±25 µm
4インチCZプライムシリコンウェーハの厚さ525±25 µm-2
4インチCZプライムシリコンウェーハの厚さ525±25 µm-3
4インチCZプライムシリコンウェーハの厚さ525±25 µm-4
