PAM-XIAMEN offers C-Plane Sapphire Substrate, single side polished or double side polished, please see below spec:

1. Specifications of C-Plane Sapphire Substrate

2-дюймовая сапфировая подложка C-plane SSP:

Нет	Пункт	Спецификация
1	Материал	Al2O3 высокой чистоты
2	Диаметр	50,8+0,1 мм
3	Толщина	430 土 15 мкм
4	TTV	≤10 мкм
5	LTV	≤1,5 мкм
6	Лук	-10~0 мкм
7	деформироваться	≤10 мкм
8	Первичная плоская Длина	16,0×1,0 мм
9	Шероховатость передней поверхности (Ra) |	Ra≤0,2 нм
	Шероховатость задней поверхности (Ra)	0,7~1,2 мкм
11	Первичная плоская Ориентация	А-плоскость土0,2°
12	Поверхность Ориентация	C-плоскость (0001) от угла 0,2o+0,1″(ось M);0°+0,1″(ось A)
13	Лазерная Марка	задняя сторона или передняя сторона
14	Пакет	25шт/кассета, вакуумная, азот- заполненный, чистое помещение класса 100

Примечание: C-плоскость 0/0,1/0,3/0,5 град. к плоскости М, +/-0,1 град. на А-плоскость все доступно.

 

3-дюймовая C-плоскость SSP Sapphire Подложка: PAM200221-SAPPHIRE

Нет	Пункт	Спецификация
1	Материал	Al2O3 высокой чистоты
2	Диаметр	76,2×0,4 мм
3	Поверхность Ориентация	C-плоскость (0001) угол 0,2°+0,1*(ось М);0*+0,1*(ось А)
4	Основная плоская ориентация	А-плоскость土0,5°
5	Первичная плоская Длина	220×1,0 мм
6	Толщина	500×25 мкм
7	TTV	≤10 мкм
8	Лук	-10~0 мкм
9	деформация	≤15 мкм
10	Шероховатость передней поверхности (Ra)	Ra≤0,3 нм
11	Шероховатость задней поверхности (Ra)	0,7~1,2 мкм
12	Лазерная Марка	Задняя или передняя сторона (предпочтительнее задняя сторона)
13	Пакет	25шт/кассета, вакуумная, азот- заполненный, чистое помещение класса 100

 

4-дюймовая сапфировая подложка C-plane DSP: PAM20-02-SAPPHIRE

Нет	Пункт	Спецификация
1	Материал	Al2O3 высокой чистоты
2	Диаметр	100,0×0,2 мм
3	Толщина	650×20 мкм
4	Поверхностная ориентация	C-плоскость (0001) Off Angle0.2*+0.1*(ось M);O*t0.1″(ось A)
5	Первичная плоская Ориентация	А-плоскость 士0,2°
6	Первичная плоская Длина	30,0×1,0 мм
7	TTV	≤10 мкм
8	LTV	≤1,5 мкм (5 мм * 5 мм)
9	Лук	-15~0 мкм
10	деформироваться	≤30μm
11	Шероховатость передней поверхности (Ra)	Ra≤0,3 нм
12	Шероховатость задней поверхности (Ra)	Ra≤0,3 нм
14	ЛазерМарк	Задняя или передняя сторона (предпочтительнее задняя сторона)
15	Пакет	25 шт/кассета, вакуумная упаковка, азот- |illed, Чистая комната класса 100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2. Sapphire Wafer Applications

Because of its unique characteristics of high sound speed, high temperature resistance, high transparency and etc., sapphire wafers can be widely used. The customers bought them for some applications:

1) LED Fabrication: Sapphire substrate is widely used in growing GaN thin films to fabricate the LEDs since it can withstand the high temperature during epitaxial growth.

2) RF and Microwave Integrated Circuits: Low dielectric loss of sapphire makes it ideal for RF and microwave ICs, and high frequency devices, such as resonator and filter.

3) Optoelectronics: The properties of optical transparency and hardness make sapphire wafer is able to produce lenses, windows, and other optical components.

4) High Temperature Electronics: Sapphire wafers of high melting point and ability to withstand harsh environments can be used for fabricating electronics, which operate under harsh conditions.

5) Biomedical Usage: Due to its chemical inertness, bio-compatibility and radio-resistance, sapphire is ideal for biomedical usages, like surgical tools, medical implants.

6) R&D: Researchers and companies also buy sapphire substrates for research and development to developing new materials and technologies.

7) Silicon-On-Sapphire Circuits: The sapphire substrates can be used to grow silicon thin film, that is silicon-on-sapphire technology. In this technology, sapphire substrate plays as an insulator, reducing parasitic capacitance, and is widely used in producing faster and more efficient integrated circuits.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.