Детектор с линейной решеткой CZT для подсчета фотонов

Детектор с линейной решеткой CZT для подсчета фотонов

Детекторы серии PAM-PL01 представляют собой детекторы со структурой линейных пиксельных электродов на основе кристалла CZT, они могут считать рентгеновские лучи и визуализировать.

Детектор с линейной решеткой CZT для подсчета фотонов

1. Спецификация детектора с линейной решеткой CZT со счетчиком фотонов

Размер 16 пикселей
Детекторный кристалл CdZnTe
Кристаллическая плотность 5,8 г/см3
Объемное сопротивление >1010Ом.см
Размеры 16,5×4,4 мм2
Толщина 2,0 мм
Пиксельный массив 16 × 1
Размер пикселя 0,9×2,0 мм2
Материал электрода Au
Стандартное рабочее напряжение -450В
Макс. рабочее напряжение 600В
Ток утечки одного пикселя <0,1 нА
Макс. скорость счета >0,7 Мкпс/мм2
Рабочая Температура 25℃~35℃
Температура хранения 10℃~40℃
Влажность хранения 20% -80%

2. Спектр детектора со структурированным линейным пиксельным электродом CZT

3. Особенности детектора подсчета фотонов CZT

Долговременная стабильность
Высокая чувствительность счета
Комнатная температура рабочая
Линейность при высокой дозе
Низкое время релаксации

4. Приложения на основе детектора с линейной решеткой CZT для подсчета фотонов

Обнаружение дефектов
Общественная безопасность
ДРА
Обнаружение безопасности пищевых продуктов

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

2019-04-24

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

SiC Ingots

PAM-XIAMEN offers n type SiC ingots with 4H or 6H polytype in on axis or 4deg.off axis in different quality grades for researcher and industry manufacturers, size from 2” to 4”, thickness from5-10mm to >15mm.    1. Specifications of SiC Ingots 4″ 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness Grade Micropipe Density Surface Usable area             N-Type  S4H-100-N-SIC-C0510-AC-D 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-100-N-SIC-C1015-AC-C 4″ [...]

2018-08-07мета-автор
Homoepitaxial growth of GaN crystals by Na-flux dipping method

The realization of low-dislocation-density bulk GaN crystals is necessary for use in the fabrication of future high-power devices with low power consumption. In this study, we attempted the regrowth of low-dislocation-density (104–105 cm−2) GaN substrates to fabricate thick and low-dislocation-density GaN crystals using the dipping [...]

2019-11-18мета-автор
Si+SiO2+Ti( or TiO2)+Pt Thin Film

PAM XIAMEN offers Si+SiO2+Ti(TiO2)+Pt (Poly or single crystalline)Thin Film, specifications are as follows: 1. Specifications of Coated Silicon Wafer Si+SiO2 +Ti( or TiO2)+Pt (111) Highly Oriented Polycrystal SiO2+Ti+Pt (111) thin film on Si substrate, 5x5x0.525mm, 1sp, P-type, B-doped, (SiO2=300nm, Ti=10nm, Pt(111)=150nm) SiO2+Ti+Pt(111) thin film on Si substrate [...]

2019-04-29мета-автор
(100) Oriented Silicon Wafers-1

PAM XIAMEN offers (100) orientation Silicon Substrates. Below is just a small selection. Let us know if you can use or if we can quote you on another spec. Item Material Orient. Diam (mm) Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment PAM2797 p-type Si:B [100] 4″ 220 ±10 P/E FZ >10,000 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst PAM2798 p-type Si:B [100] 4″ 230 ±10 P/E FZ >10,000 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst PAM2799 p-type Si:B [100-4° towards[110]] ±0.5° 4″ 525 P/E FZ [...]

2019-02-22мета-автор
Linearity enhancement design of a 16-channel low-noise front-end readout ASIC for CdZnTe detectors

Abstract A 16-channel front-end readout application-specific integrated circuit (ASIC) with linearity enhancement design for cadmium zinc telluride (CdZnTe) detectors is presented in this paper. The resistors in the slow shaper are realized using a high-Z circuit to obtain constant resistance value instead of using only [...]

2017-10-30мета-автор
Welcome to our Semiconductor Wafer Maker Member – Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd

Welcome to our Semiconductor Wafer Maker Member – Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd Powerway wafer develops and manufactures wafers with Gallium Arsenide (GaAs), Gallium Nitride (GaN) technologies advanced high-performance RF solutions  for customers worldwide. We are a leading semiconductor wafer in market serving customers in mobile devices,3G and 4G base station,WLAN,WiMAX,GPS,defense and aerospace markets. We have GaAs [...]

2012-06-20мета-автор