Портативный распознаватель радионуклидов CZT

Портативный распознаватель радионуклидов CZT

Устройство распознавания радионуклидов PAM-NIS CZT компактно и портативно со следующими преимуществами:

1) Энергетическое разрешение менее 1,8% при 662 кэВ, что выше, чем у сцинтилляционных детекторов;

2) Размер детектора меньше, чем Ge-детектор, работающий при комнатной температуре без охлаждения;

3) Его можно заряжать более 10000 раз с помощью встроенного аккумулятора;

4) Длина кабеля может быть настроена

Подробную спецификацию смотрите в таблице ниже:

CZT Портативный радионуклидный идентификатор

1. Спецификация портативного распознавателя радионуклидов CZT

Размеры 227*327*104 мм3
Вес 5кг
Лаборатория нуклидов 50*55,5*90 мм3
кабель 1,5 м (стандарт); можно настроить
Срок службы батареи 12 часов
Энергетическое разрешение <1,8% при 662 кэВ или <2,5% при 662 кэВ при комнатной температуре
Энергетический диапазон 20кэВ~3МэВ
Диапазон мощности дозы 0,1 мкЗв/ч~100 мЗв/ч
Чувствительность ≈200 имп/с (мкЗв/ч)
Канал 1К, 4К
Уровень IP IP 54
Подключение для передачи данных Bluetooth
Размер детектора Доступен индивидуальный пошив
Другие функции Автоматическая стабилизация спектра

 

2. Особенности портативного распознавателя радионуклидов

Распознаватель имеет особенности:

* Высокая точность

* Квазигауссов сигнал читается

3. Применение распознавателя радионуклидов CZT

* Атомная электростанция

* Защита окружающей среды

* Национальная безопасность

Дополнительные продукты см.https://www.powerwaywafer.com/cdznte-czt-wafer/czt-detector.html

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

2023-07-07

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

M Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate

PAM-XIAMEN offers M Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate: Item PAM-FS-GAN M-N Dimension 5 x 10 mm2 or 5 x 20 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation M plane (1-100) off angle toward A-axis 0 ±0.5° M plane (1-100) off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type / Si Doped Resistivity (300K) < 0.05 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine Ground or polished. Dislocation Density ≤ 5 x 10 6cm-2 Macro Defect Density 0 cm-2 Useable Area > 90% (edge exclusion) Package each in single wafer container, under nitrogen atmosphere, packed in class 100 clean room   For more information, please contact us email at victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-08-17мета-автор
Why can LED wafer on PSS be Used in Laser Liftoff?

Some customers worry about that when they transfer LED onto other substrates using laser liftoff, these patterns of LED wafer on patterned sapphire substrate. PSS will scatter the laser. In fact, some of our customers also use 4” epi wafers on PSS for LLO, [...]

2021-03-22мета-автор
Why Does SiC Wafer Show Different Color?

Due to the wide band gap of SiC wafer, SiC does not absorb part or almost all of the visible light. The wavelength of the absorbed light depends on the band gap, the energy levels of the main impurities and the excited energy levels [...]

2021-03-05мета-автор
LD Bare Bar for 808nm@cavity 2mm

PAM XIAMEN offers LD Bare Bar for 808nm@cavity 2mm. Brand: PAM-XIAMEN Wavelength: 808nm Filling Factor: 38% Output Power: 100W Cavity Length:2mm For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., [...]

2019-05-09мета-автор
Reliability analysis of InGaN Blu-Ray laser diode

Reliability analysis of InGaN Blu-Ray laser diode The purpose of this work is an in depth reliability analysis of Blu-Ray InGaN laser diodes (LD) submitted to CW stress at different currents and temperatures. During reliability tests, LD devices exhibit a gradual threshold current increase, while [...]

2014-03-03мета-автор
In 2018, China’s semiconductor materials market is 8.5 billion US dollars

As an important part of new materials, semiconductor materials are the top priority of all countries in the world for the development of electronic information industry. It supports the development of localization of electronic information industry and is of great significance to industrial structure [...]

2019-04-02мета-автор