Биполярный транзистор с гетеропереходом InGaP/GaAs (HBT) стал одним из высококонкурентных и многообещающих высокоскоростных твердотельных устройств в современной области микроволнового и миллиметрового диапазона благодаря своей высокой надежности, низкой стоимости и относительно зрелой технологии.PAM-СЯМЫНЬпредоставить пластины InGaP / GaAs HBT. И мы выращиваем InGaP в качестве материала эмиттера в структуре GaAs HBT. Выход HBT-устройств может быть повышен, поскольку между InGaP и GaAs может быть достигнута хорошая селективная коррозия. Подробные характеристики пластины устройства HBT см. в таблице ниже:

1. InGaP/GaAs HBT Epi пластина

PAM210709 - ХБТ

2. Что такое биполярный транзистор с гетеропереходом?

Биполярный транзистор с гетеропереходом (HBT) представляет собой разновидность биполярного транзистора, в эмиссионной области и базовой области которого используются разные полупроводниковые материалы. Таким образом, эмиссионный переход (т.е. PN-переход между эмиссионной областью и базовой областью) образует гетеропереход. HBT имеет лучшие характеристики высокочастотного сигнала и эффективность излучения базы, чем обычный биполярный транзистор, и может работать с сигналами до сотен ГГц. Он широко используется в современных высокоскоростных цепях, радиочастотных системах и мобильных телефонах.

Гетеропереходы в полупроводниках представляют собой особый тип PN-перехода, образованный осаждением двух или более тонких пленок из разных полупроводниковых материалов на одну и ту же подложку. Эти материалы имеют разную ширину запрещенной зоны и могут быть такими соединениями, как GaAs, или полупроводниковыми сплавами, такими как кремний-германий. Среди многочисленных гетерогенных систем материалов эпитаксиальный рост материала InGaP/GaAs может улучшить коэффициент усиления по току, надежность, стабильность и выход HBT-устройств, что делает его по-прежнему наиболее конкурентоспособной системой материалов среди микроволновых устройств в настоящее время.

3. Влияние степени порядка в материалах InGaP на пластине GaAs HBT.

Степень упорядочения материалов InGaP в основном влияет на их свойства в следующих аспектах:
а) Ширина запрещенной зоны упорядоченной структуры GaInP меньше, чем у неупорядоченной структуры.
б) Противофазные границы в упорядоченных материалах InGaP могут стать композиционным центром, чего не будет в неупорядоченном InGaP.
c) В системе материалов InGaP/GaAs HBT разрыв зоны проводимости △Ec между упорядоченными материалами InGaP и GaAs очень мал, в то время как полуупорядоченные InGaP и GaAs имеют относительно большое △Ec. Таким образом, для процесса GaAs HBT мы склонны выращивать полуупорядоченный InGaP. По сравнению с упорядоченными эпитаксиальными слоями InGaP полуупорядоченные эпитаксиальные слои InGaP имеют меньше центров рекомбинации.
г) Степень упорядоченности в структуре ГБТ будет влиять на распределение △Ec и △Ev на гетеропереходе. Сообщаемое в литературе значение △Ec колеблется от 0,03 до 0,39 эВ, что может быть связано с различиями в упорядочении.

Примечание:
Правительство Китая объявило о новых ограничениях на экспорт галлиевых материалов (таких как GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs и GaSb) и германиевых материалов, используемых для изготовления полупроводниковых микросхем. С 1 августа 2023 года экспорт этих материалов разрешен только при наличии лицензии Министерства торговли Китая. Надеемся на ваше понимание и сотрудничество!

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.