Другие Вафли

ZnO вафли
Количество	Материал	Ориентация.	Размер	Толщина	Польский	удельное сопротивление	Тип легирующей примеси	Премьер квартира	EPD	Ra
PCS	Материал	Ориентация.	(Мм)	(мкм)	Польский	Ом·см		Ориентация	/ см2	нм
1-100	ZnO	(0001)	10 × 10	1000	SSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	10 × 10	1000	DSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	10 × 10	500	SSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	10 × 10	500	DSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(10-10)	10 × 10	500	DSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	10 × 10	500	SSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	10х15	300	SSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	N / A	14X14	1000	SSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	15х15	300	SSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	25,4×25,4	1000	DSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	25,4×25,4	3000	DSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	25,4×25,4	3000	Как вырезать	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	25,4×25,4	3000	DSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	25,4×25,4	2000	DSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	5×5	500	SSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	5х5	500	DSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(0001)	5х5	500	SSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
1-100	ZnO	(11-20)	5х5	500	SSP	N / A	нелегированный	ни один	N / A	<0.5
As a ZnO semiconductor wafer supplier, we offer ZnO semiconductor wafer list for your reference, if you need price detail, please contact our sales team Примечание: * Как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователей или литейщиков. * Время доставки: зависит от наличия на складе, если у нас есть на складе, мы можем отправить вам в ближайшее время.
Вафли MgO
Количество	Материал	Ориентация.	Размер	Толщина	Польский	удельное сопротивление	Тип легирующей примеси	Премьер квартира	EPD	Ra
PCS	Материал	Ориентация.	(Мм)	(мкм)	Польский	Ом·см		Ориентация	/ см2	нм
1-100	MgO	(100)	50.8	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	MgO	(111)	10 × 10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	MgO	(111)	10 × 10	1000	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	MgO	(100)	10 × 10	1000	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	MgO	(100)	10 × 10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	MgO	(100)	10 × 10	500	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5

Как поставщик полупроводниковых пластин MgO, мы предлагаем список полупроводниковых пластин MgO для справки. Если вам нужна информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж. Примечание: * Как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного производства. * Время доставки: зависит от наличия на складе, если у нас есть на складе, мы можем отправить вам в ближайшее время.
Вафля YSZ
Количество	Материал	Ориентация.	Размер	Толщина	Польский	удельное сопротивление	Тип легирующей примеси	Премьер квартира	EPD	Ra
PCS	Материал	Ориентация.	(Мм)	(мкм)	Польский	Ом·см		Ориентация	/ см2	нм
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	500	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	400	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	300	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	200	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	500	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	400	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	300	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	500	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	400	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	400	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	300	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	300	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	25.4	200	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	50.8	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	10 × 10	500	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(111)	10 × 10	500	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	10 × 10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	20×20	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	ЯСЗ	(100)	30×30	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5

Как поставщик вафель YSZ, мы предлагаем список вафель YSZ для справки. Если вам нужна информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж. Примечание: * Как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного производства. * Время доставки: зависит от наличия на складе, если у нас есть на складе, мы можем отправить вам в ближайшее время.
СТО Вафли
Количество	Материал	Ориентация.	Размер	Толщина	Польский	удельное сопротивление	Тип легирующей примеси	Премьер квартира	EPD	Ra
PCS	Материал	Ориентация.	(Мм)	(мкм)	Польский	Ом·см		Ориентация	/ см2	нм
1-100	STO	(100)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	STO	(110)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	STO	(111)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
Как поставщик вафель STO, мы предлагаем список вафель STO для справки, если вам нужна информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж. Примечание: * Как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного производства. * Время доставки: зависит от наличия на складе, если у нас есть на складе, мы можем отправить вам в ближайшее время.

Вафля LSAT
Количество	Материал	Ориентация.	Размер	Толщина	Польский	удельное сопротивление	Тип легирующей примеси	Премьер квартира	EPD	Ra
PCS	Материал	Ориентация.	(Мм)	(мкм)	Польский	Ом·см		Ориентация	/ см2	нм
1-100	LSAT	(100)	50.8	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	LSAT	(100)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	LSAT	(110)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	LSAT	(111)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	LSAT	(100)	10х10	2000	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
Как поставщик пластин LSAT, мы предлагаем список пластин LSAT для справки. Если вам нужна подробная информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж. Примечание: * Как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного производства. * Время доставки: зависит от наличия на складе, если у нас есть на складе, мы можем отправить вам в ближайшее время.

Пластина TiO2
Количество	Материал	Ориентация.	Размер	Толщина	Польский	удельное сопротивление	Тип легирующей примеси	Премьер квартира	EPD	Ra
PCS	Материал	Ориентация.	(Мм)	(мкм)	Польский	Ом·см		Ориентация	/ см2	нм
1-100	TiO2	(110)	5×5	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	TiO2	(011)	5×5	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	TiO2	(001)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	TiO2	(110)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	TiO2	(011)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
Как поставщик пластин TiO2, мы предлагаем список пластин TiO2 для справки. Если вам нужна информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж. Примечание: * Как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного производства. * Время доставки: зависит от наличия на складе, если у нас есть на складе, мы можем отправить вам в ближайшее время.
ЛАО Вафли
Количество	Материал	Ориентация.	Размер	Толщина	Польский	удельное сопротивление	Тип легирующей примеси	Премьер квартира	EPD	Ra
PCS	Материал	Ориентация.	(Мм)	(мкм)	Польский	Ом·см		Ориентация	/ см2	нм
1-100	ЛАО	(100)	50.8	500±50	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
Как поставщик вафель LAO, мы предлагаем список вафель LAO для справки. Если вам нужна информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж. Примечание: * Как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного производства. * Время доставки: зависит от наличия на складе, если у нас есть на складе, мы можем отправить вам в ближайшее время.
Вафли Al2O3
Количество	Материал	Ориентация.	Размер	Толщина	Польский	удельное сопротивление	Тип легирующей примеси	Премьер квартира	EPD	Ra
PCS	Материал	Ориентация.	(Мм)	(мкм)	Польский	Ом·см		Ориентация	/ см2	нм
1-100	Al2O3,	(0001)	10х10	500	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	Al2O3,	(0001)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	Al2O3,	(0001)	20х20	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	Al2O3,	(0001)	30х30	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
Как поставщик пластин Al2O3, мы предлагаем список пластин Al2O3 для справки. Если вам нужна подробная информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж. Примечание: * Как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного производства. * Время доставки: зависит от наличия на складе, если у нас есть на складе, мы можем отправить вам в ближайшее время.
Пластина SrTiO3
Количество	Материал	Ориентация.	Размер	Толщина	Польский	удельное сопротивление	Тип легирующей примеси	Премьер квартира	EPD	Ra
PCS	Материал	Ориентация.	(Мм)	(мкм)	Польский	Ом·см		Ориентация	/ см2	нм
1-100	SrTiO3	(100)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	SrTiO3	(110)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	SrTiO3	(111)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	SrTiO3	(100)	10х10	500	DSP	N / A	нелегированный	N / A	N / A	<0.5
1-100	SrTiO3	(100)	10х10	500	DSP	N / A	Nb	N / A	N / A	<0.5

Как поставщик пластин SrTiO3, мы предлагаем список пластин SrTiO3 для справки. Если вам нужна информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж. Примечание: * Как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного производства. * Время доставки: зависит от наличия на складе, если у нас есть на складе, мы можем отправить вам в ближайшее время.
Вафля LaAalO3
Количество	Материал	Ориентация.	Размер	Толщина	Польский	удельное сопротивление	Тип легирующей примеси	Премьер квартира	EPD	Ra
PCS	Материал	Ориентация.	(Мм)	(мкм)	Польский	Ом·см		Ориентация	/ см2	нм
1-100	LaAlO3	(100)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	LaAlO3	(110)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5
1-100	LaAlO3	(111)	10х10	500	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	<0.5

Как поставщик пластин LaAlO3, мы предлагаем список пластин LaAlO3 для справки. Если вам нужна подробная информация о цене, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж. Примечание: * Как производитель, мы также принимаем небольшое количество для исследователя или литейного производства. * Время доставки: зависит от наличия на складе, если у нас есть на складе, мы можем отправить вам в ближайшее время.

Алмазная вафля.

2017-05-23 другие вафель

Связанный Сообщений

Ultra Flat Wafer Ultra Thin Wafer

Ultra Flat Wafer Ultra Thin Wafer We improve wafer thickness uniformity (TTV) through wafer thinning services and chemical mechanical polishing (CMP) services, which transfer wafers (such as LN, LT, silicon and quartz) to ultra-flat or ultra-thin wafers. We can produce ultra-flat silicon wafers, ultra-flat quartz wafers, ultra-thin LN wafers, ultra-thin [...]

2018-08-22мета-автор

Индий Semiconductor вафельные

PAM-XIAMEN offers Indium Semiconductor Wafer:InAs,InP, InSb InAs wafer Substrate- Indium Arsenide Quantity Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type Dopant Nc Mobility EPD PCS (mm) (μm) Ω·cm a/cm3 cm2/Vs /cm2 1-100 InAs (110) 40.0 500 SSP N/A P (1-9)E17 N/A N/A 1-100 InAs (100) 50.8 450 SSP N/A P 1E17/cc N/A < 20000 1-100 InAs (100) 50.8 400 SSP N/A N/S 5E18-2E19 >6,000 <1E4 1-100 InAs (100) 50.8 400 DSP N/A N/S 5E18-2E19 >6,000 <1E4 1-100 InAs (111)B 50.8 N/A SSP N/A N/S (1-3)E18 N/A N/A 1-100 InAs (100) 50.8 N/A SSP N/A N/Te 1E16/cc N/A N/A 1-100 InAs (100) 50.8 400 DSP N/A P (1-9)E18/cc N/A N/A 1-100 InAs (100) 3x3x5 N/A N/A N/A N/A 3E16/cc N/A N/A As a InAs wafer supplier,we offer InAs wafer list for your reference, if you need price detail, please contact our sales team 3)2”InAs Type/Dopant:N Un-doped Orientation : <111>A ±0.5° Thickness：500um±25um epi-ready Ra<=0.5nm Carrier Concentration(cm-3):1E16~3E16 Mobility(cm -2 ):>20000 EPD（cm -2 ）:<15000 SSP 5)2”InAs Type/Dopant:N/P Orientation ：(100), Carrier Concentration(cm-3)：(5-10)E17, Thickness：500 [...]

2018-05-23мета-автор Индий Semiconductor вафельные

Graphene Chemical Vapor Deposition System

We provide series of grapheme 2D systems for grapheme,CNT and other 2D material growth. and offer the most efficient Chemical Vapor Deposition (CVD) system for graphene growth (is compatible for both LPCVD and APCVD growth). We also can adjust each of these standard systems [...]

2012-03-06мета-автор

Кремний вафельные

Silicon Wafer Si wafer Substrate -Silicon Quantity Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type Dopant Nc Mobility EPD PCS (mm) (μm) Ω·cm 　 a/cm3 cm2/Vs /cm2 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b (1-200)E16 N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525 N/A <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si with Oxide layer (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 350-500 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si with electrodes (100) 50.8 400 N/A <0.05 N/p 1E14-1E15 N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275±25 SSP 1~10 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 350±15 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 430±15 SSP 5000-8000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 410±15 SSP 1~20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 400-500 SSP >5000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 525±25 SSP 1~50 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 SSP 1~10 N P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 P/P >700 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 76.2 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 SSP N/A N/P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 320 SSP >2500ohm·cm P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 N/A SSP 10~30 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 505±25 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 381 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si [...]

2012-03-06мета-автор Кремний вафельные

Glass Wafer, Including Bf33, Quartz, Ito Glass, Alkali free glass substrate

Glass Wafer, Including Bf33, Quartz, Ito Glass, Alkali free glass substrate In Stock, But Not Limited To The Following. Wafer No. Size Polish Orientation Thickness(um) Quantity(Pcs) PAM-XIAMEN-WAFER-#B1 4″BF33 Glass DSP — 500um 27 PAM-XIAMEN-WAFER-#B2 4″BF33 Glass DSP — 1000um 8 PAM-XIAMEN-WAFER-#B3 4″ Sapphire — — 500um 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#B4 6″BF33 Glass DSP — 500um 15 PAM-XIAMEN-WAFER-#B5 Glass 90*90 DSP — 700um 3 PAM-XIAMEN-WAFER-#B6 ITOConductive Glass 20*20 — 1.1mm 15 PAM-XIAMEN-WAFER-#B7 2″Quartz DSP — 1.2mm 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#B8 4″ Sapphire SSP C 650um 16 PAM-XIAMEN-WAFER-#B9 4″ Sapphire SSP C 650±30um 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#B10 2″ Sapphire SSP R 430um 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#B11 8″Glass DSP — 700um 109 PAM-XIAMEN-WAFER-#B12 6″Sapphire SSP — 600um 31 PAM-XIAMEN-WAFER-#B13 4″BF33 Glass DSP — 1mm 35 PAM-XIAMEN-WAFER-#B14 2″ Sapphire DSP — 100um 12 PAM-XIAMEN-WAFER-#B15 4″BF33 Glass DSP — 200um 18 PAM-XIAMEN-WAFER-#B16 4″ Sapphire DSP — 500um 20 PAM-XIAMEN-WAFER-#B17 4″Quartz DSP — 1mm 8 PAM-XIAMEN-WAFER-#B18 2″Quartz DSP — 1mm 10 PAM-XIAMEN-WAFER-#B19 2″ Sapphire DSP — 1mm 74 PAM-XIAMEN-WAFER-#B20 2″ Sapphire SSP M 430±15um 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#B21 2″ Sapphire SSP C 430um 850 PAM-XIAMEN-WAFER-#B22 2″ Sapphire DSP — 300um 425 PAM-XIAMEN-WAFER-#B23 6″BF33 Glass DSP — 675um 17 Moreover, we can supply Alkali free glass substrate, [...]

2019-11-27мета-автор

Silicon Ingot

You can buy P-type or N-type silicon ingot crystal from PAM-XIAMEN, which is a silicon ingot manufacturing company. To get monocrystalline silicon ingot, the silicon material is melted in a single crystal furnace and then undergoes a series of processes to grow into single [...]

2019-11-27мета-автор

Подробнее

Float-Zone монокристаллического кремния

PAM-XIAMEN может предложить кремниевые пластины с плавающей зоной, полученные методом Float Zone. Монокристаллические кремниевые стержни получают путем выращивания в зоне плавания, а затем перерабатывают монокристаллические кремниевые стержни в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами зоны плавания. Поскольку кремниевая пластина зонного расплава не контактирует с кварцевым тиглем во время процесса плавления кремния в зоне, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе зонной плавки кремния. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, а удельное сопротивление выше. Он подходит для изготовления силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.
Подробнее

Тест Вафли Вафли монитор пустышки вафельные

Как производитель фиктивных пластин, PAM-XIAMEN предлагает силиконовые фиктивные пластины / тестовые пластины / контрольные пластины, которые используются в производственном устройстве для повышения безопасности в начале производственного процесса и используются для проверки доставки и оценки формы процесса. Так как макеты кремниевых пластин часто используются для экспериментов и испытаний, их размер и толщина являются важными факторами в большинстве случаев. Доступны макетные пластины диаметром 100 мм, 150 мм, 200 мм или 300 мм.
Подробнее

Нанофабрикация Фоторезист

PAM-XIAMEN предлагает пластину фоторезиста с фоторезистом
Подробнее

Фото Маска

PAM-СЯМЫНЬ ПредложенияPhotomasks

Фотомаска представляет собой тонкое покрытие из маскирующего материала, поддерживаемое более толстой подложкой, а маскирующий материал поглощает свет в различной степени и может иметь узор с индивидуальным дизайном. Шаблон используется для модуляции света и передачи рисунка в процессе фотолитографии, который является фундаментальным процессом, используемым для создания почти всех современных цифровых устройств.
Подробнее

CdZnTe (CZT) Вафли

Теллурид кадмия-цинка (CdZnTe или CZT) - это новый полупроводник, который позволяет эффективно преобразовывать излучение в электроны, он в основном используется в тонкопленочных инфракрасных подложках для эпитаксии, детекторах рентгеновского излучения и детекторах гамма-излучения CdZnTe.
Подробнее

Ge (германий) монокристаллы и Вафли

PAM-XIAMEN предлагает германиевые пластины размером 2, 3, 4 и 6 дюймов, что является сокращением от Ge, выращенного VGF / LEC. Слабо легированные германиевые пластины P и N типов также могут быть использованы для эксперимента с эффектом Холла. При комнатной температуре кристаллический германий хрупок и малопластичен. Германий обладает полупроводниковыми свойствами. Германий высокой чистоты легируют трехвалентными элементами (например, индием, галлием, бором) для получения германиевых полупроводников Р-типа; и пятивалентные элементы (такие как сурьма, мышьяк и фосфор) легируются для получения германиевых полупроводников N-типа. Германий обладает хорошими полупроводниковыми свойствами, такими как высокая подвижность электронов и высокая подвижность дырок.

печенье	Продолжительность	Описание
cookielawinfo-checkbox-analytics	11 месяцев	Этот файл cookie устанавливается плагином GDPR Cookie Consent. Файл cookie используется для хранения согласия пользователя на использование файлов cookie в категории «Аналитика».
cookielawinfo-флажок-функционал	11 месяцев	Файл cookie устанавливается согласием на использование файлов cookie GDPR для записи согласия пользователя на использование файлов cookie в категории «Функциональные».
cookielawinfo-checkbox-necessary	11 месяцев	Этот файл cookie устанавливается плагином GDPR Cookie Consent. Файлы cookie используются для хранения согласия пользователя на использование файлов cookie в категории «Необходимые».
cookielawinfo-флажок-другие	11 месяцев	Этот файл cookie устанавливается плагином GDPR Cookie Consent. Файл cookie используется для хранения согласия пользователя на использование файлов cookie в категории «Другое».
cookielawinfo-флажок-производительность	11 месяцев	Этот файл cookie устанавливается плагином GDPR Cookie Consent. Файл cookie используется для хранения согласия пользователя на использование файлов cookie в категории «Производительность».
viewed_cookie_policy	11 месяцев	Файл cookie устанавливается плагином GDPR Cookie Consent и используется для определения того, дал ли пользователь согласие на использование файлов cookie. Он не хранит никаких личных данных.

Другие Вафли

Другие Вафли