Фотопленка высокой печати

Фотопленка высокой печати

PAM XIAMEN предлагает высокую печать на фотопленке

Индекс точности

Точность / Оценка Точность1 Точность2
Номер строки/частота апертуры 400 точек на дюйм/50% 350 точек на дюйм/50%
Расположение точек, Форма точек 45°/60°/75°/круг 45°/60°/75°/круг
Размерная точность ±0,085 мм ±0,085 мм
Толщина подложки 1,50 мм ± 0,15 мм 1,50 мм ± 0,15 мм
Точность резки ±1 мм ±1 мм

 

Основные области применения:
Жидкий барабанный клей LCD-TN/STN/TFT, а именно перенос жидкости PI на стекло ITO. Фотопленка LCD-TN/STN/TFT Высокая печать

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Компания Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), основанная в 1990 году, является ведущим производителем полупроводниковых материалов в Китае.PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, инженерные подложки и полупроводниковые устройства.Технологии PAM-XIAMEN обеспечивают более высокую производительность и более низкую стоимость производства полупроводниковых пластин.

До 1990 года мы являлись владельцем научно-исследовательского центра физики конденсированных сред. В 1990 году центр запустил компанию Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), которая сейчас является ведущим производителем составных полупроводниковых материалов в Китае.

2019-07-04

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

Growth Facet

What is the Growth Facet? In the central region of SiC {0001} wafer, the doping concentration is usually relatively high, such as the dark color observed in the central region, which is due to the enhanced impurity doping in facet growth, as shown in Fig. [...]

2021-01-22мета-автор
Carrier Concentration and Thickness Measurements of n-Type GaAs Epitaxial Layer by Cell Voltage in Anodization

The carrier concentration and thickness of n-type GaAs epitaxial layers were obtained by cell voltage measurements in anodization, and the results are compared with those obtained by differential C-V measurements. The carrier concentrations in the epi-layer are within the order of those obtained by [...]

2019-06-13мета-автор
2″CZ Prime Silicon Wafer-1

PAM XIAMEN offers 2″CZ Prime Silicon Wafer-1 tem2, 100pcs Silicon wafer: i. Diameter: 50.8 mm ± 0.5 mm, ii. Thickness: 275 μm ±25μm, iii. Doping: N type iv. Orientation: (100) ± 0.5° v. TTV: ≤ 5 μm vi. Bow and Warp: ≤ 20 μm Growth: [...]

2020-03-25мета-автор
Study on AlN Single Crystal Grown on AlN Seed Crystal

Single crystal AlN substrate can be provided with specifications as found in https://www.powerwaywafer.com/aln-substrate.html. AlN single crystal is the direct bandgap semiconductor material with the largest bandgap width (6.2 eV), which has excellent characteristics such as extremely high breakdown field strength, excellent thermal conductivity, stable physical and [...]

2024-04-18мета-автор
4″ Monocrystalline silicon wafers with insulating oxide

PAM XIAMEN offers 4″ Monocrystalline silicon wafers with insulating oxide 4″ Monocrystalline silicon wafers with insulating oxide Polishing: one-sided for microelectronics Thickness: 675 +/- 20 microns TTV <15 μm, Warping <35 μm P type Orientation <100> The thickness of the insulating oxide layer is 300 nm Resistance of the base plate ≥ 10 [...]

2020-04-15мета-автор
BK7 Glass for Precision Lenses

PAM XIAMEN offers BK7 Glass for Precision Lenses. Below are just some of the BK7 Glass Windows. Please send us email at sales@powerwaywafer.com if you need other specs and quantity. Item Dia (mm) Thick (μm) Pol Qty in Stock PAM3334 76.2 500 DSP 100 PAM3335 100 500 DSP 100 PAM3336 150 500 DSP 100   Following image shows the transmission spectrum of BK7 glass substrate: For more information, please [...]

2019-02-27мета-автор