tinh thể LiF

tinh thể LiF

PAM XIAMEN cung cấp pha lê LiF.

LiF (100) 10x10x1.0mm, 1SP

LiF (100) 10x10x1.0mm, 2SP

LiF (111) 10x10x1.0mm, 1SP

LiF (111) 10x10x1.0mm, 2SP

LiF (110) 10x10x1.0mm, 1SP

Chúng tôi cũng có thể cung cấp đa tinh thể LiF(PAM161011-LIF):

Đường kính = 15mm

Chiều dài = 25 mm

Độ tinh khiết>99,99%

Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạivictorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.

Được thành lập vào năm 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) là nhà sản xuất vật liệu bán dẫn hàng đầu tại Trung Quốc.PAM-XIAMEN phát triển các công nghệ tăng trưởng tinh thể và epitaxy tiên tiến, quy trình sản xuất, chất nền được thiết kế và thiết bị bán dẫn.Các công nghệ của PAM-XIAMEN cho phép sản xuất tấm wafer bán dẫn có hiệu suất cao hơn và chi phí thấp hơn.

PAM-XIAMEN phát triển các công nghệ tăng trưởng tinh thể và epitaxy tiên tiến, bao gồm từ wafer Germanium thế hệ thứ nhất, Gallium Arsenide thế hệ thứ hai với sự tăng trưởng cơ chất và epitaxy trên vật liệu bán dẫn loại n pha tạp silic III-V dựa trên Ga, Al, In, As và P được phát triển bởi MBE hoặc MOCVD, đến thế hệ thứ ba: Silicon carbide và Gallium Nitride cho ứng dụng thiết bị nguồn và đèn LED.

2019-05-08

Chia sẻ bài đăng này

có liên quan Bài viết

Bánh xốp silicon 3 inch-8

PAM XIAMEN offers 3″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment n-type Si:P [111-5° towards[110]] ±0.25° 3″ 1000 P/E >5 SEMI Prime, in hard cassettes of 6, 6 & 7 wafers n-type Si:P [111-5° towards[110]] ±0.25° 3″ 1300 P/E >5 SEMI Prime, hard cst n-type Si:P [111-0.5° towards[110]] ±0.25° 3″ 1400 E/E >5 SEMI, LaserMark, in opened hard cast n-type Si:P [111-2.5°] ±0.5° 3″ 380 P/E 1-3 SEMI Prime n-type Si:P [111] ±0.5° 3″ 380 P/E 1-10 SEMI Primet n-type Si:P [111-3.0°] ±1° 3″ 381 P/E 1-20 {1.7-5.7} SEMI Test n-type Si:P [111] ±0.5° 3″ 570 P/P 1-10 SEMI Primet n-type Si:Sb [111] ±0.5° 3″ 380 P/E 0.019-0.026 SEMI Prime, in Empak cassettes [...]

2019-03-06siêu tác giả
SiC Crystal and Industry Standards for Silicon Carbide Single Crystal

PAM-XIAMEN has 4H SiC crystal for sale, which is for power electronic device and microwave power device. It has been found that there are over 250 polytypes of silicon carbide single crystal, but the most common polytypes are cubic close-packed 3C-SiC and hexagonal close-packed [...]

2021-07-05siêu tác giả
Đặc tính cấu trúc và thành phần của màng mỏng MOVPE GaN được chuyển từ sapphire sang nền thủy tinh bằng cách sử dụng phương pháp nâng lớp hóa học và liên kết wafer trực tiếp ở nhiệt độ phòng và quy mô wafer GaN Tăng trưởng MOVPE trên sapphire đệm ZnO

Màng mỏng GaN được phát triển trên ZnO/c-Al2O3 với độ đồng đều tuyệt vời trên các tấm bán dẫn có đường kính 2 inch sử dụng quy trình MOVPE nhiệt độ/áp suất thấp với N2 làm chất mang và dimethylhydrazine làm nguồn N. Các phần 5 mm×5 mm của các lớp GaN tương tự được liên kết nóng chảy trực tiếp trên đế thủy tinh vôi soda […]

2013-09-11siêu tác giả
Chất nền kim cương

CVD diamond substrate film is available with a maximum working temperature at 600℃ from PAM-XIAMEN at below spec. Single crystal diamond material has the highest thermal conductivity among natural substances known at present. Diamond substrate has stable chemical properties, good electrical insulation and low dielectric constant. The [...]

2020-03-18siêu tác giả
808nm laser diode wafers

808nm laser diode wafer is offered by PAM-XIAMEN on N-type GaAs substrate. According to the material used in the active area, the LD wafer is mainly divided into two kinds with aluminum and without aluminum. More details please see below: 1. Laser Diode Wafer Specs No. 1 808nm Epi Wafer [...]

2019-03-13siêu tác giả
Tạp chất và nhiệt độ định hình lại điện trở suất của tinh thể silicon như thế nào？

Silicon wafers can be supplied with specifications as found in: https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer Silicon is a semiconductor material, and its resistivity is closely related to the doping concentration. Doping is that introducing a small amount of impurities into silicon crystals to alter their electrical properties. According to the [...]

2024-03-29siêu tác giả