Мы эксперт полупроводниковых пластин в полупроводниковой промышленности, а также мы предлагаем техническую поддержку и вафель, продающих тысячи univerisities и промышленных потребителей по нашему опыту десятилетий, в том числе Корнельского университета, Стэнфордского Univeristy, Пекинский университет, Шаньдун Univerity, Университет Южной Каролины, Калифорнийский технологический институт Фараон лаборатория (США）, Калифорнийский университет в Ирвине (США), Сингапуре MIT Альянс по научным исследованиям и технологического центра (SMART), West Virginia University, Purdue Univerity, Калифорнийский университет, Лос-Анджелес, короля Абдаллы университета науки и технологии, Массачусетский технологический институт, Университет Хьюстона, университет штата Висконсин, университет науки и техники Китая и т.д.
А теперь мы покажем один пример статьи следующим образом, которые купили наши вафли или услугу:
Название статьи:
Ag Наноструктуры на GaN (0001)Морфология Эволюция Контролируется твердого осушки тонких пленок и соответствующих оптических свойств
Опубликовано:
Сундар Kunwar1, Мао Sui1, Quanzhen Zhang1, Puran Pandey1, Мин-Ю Li1 и Jihoon Lee1,2 * 1College электроники и информации, Kwangwoon университет, Nowon-гу Сеул 01897, Южная Корея 2Институт наноразмерной науки и инженерии Университета штата Арканзас, Fayetteville AR 72701, США.
Изображение GaN пластин:
Абстрактный
Silver (Ag) nanostructures have demonstrated the feasibility of being utilized in various optoelectronic, catalytic, biomedical, and sensor devices due to their excellent surface plasmon resonance characteristics. The geometrical structure, spacing, and spatial arrangement of nanostructures are crucial for controlling the properties and device performance. Herein, we demonstrate the fabrication of various configurations of self-assembled Ag nanostructures on GaN (0001) by the systematic control of deposition thickness and annealing duration. The surface morphology evolution is thoroughly investigated, and the corresponding influence on optical properties is probed. The evolution of Ag nanostructures in response to thermal annealing is described based on the dewetting of thin films, Volmer–Weber growth model, coalescence growth, and surface energy minimization mechanism. For the deposition amount variation between 1 and 100 nm, the Ag nanostructures show gradual morphological transitions such as small nanoparticles (NPs) to enlarged NPs between 1 and 7 nm, elongated nanostructures to cluster networks between 10 and 30 nm, and void evolution with layered nanostructures between 40 and 100 nm. In addition, the annealing duration effect has been studied between 0 and 3600 s, where the Ag nanostructures exhibit the evolution of network-like, elongated and isolated irregular shapes, ascribed to Ostwald’s ripening along with Ag sublimation. Furthermore, corresponding Raman, photoluminescence, and reflectance spectra reveal the morphology-dependent behaviors and are discussed based on the phonon, emission band, scattering, absorption, and surface plasmon effect.
Статья аннотация по использованию вафли из Xiamen POWERWAY Advanced Material Co., Ltd. (PAM-СЯМЫНЬ) или POWERWAY вафельных Co., Limited
«2.1 Подготовка основания GaN. Первоначально, п-типа мкм толщиной шаблоны 5 GaN были выращены эпитаксиально на мкм толщиной сапфирами 650 с внеосевым ± 0,1 ° в Сямынь POWERWAY Advanced Material Co., Ltd. (PAM-Сямынь, Китай) ...»
Источник:
https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.cgd.6b01185
О Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd
Найдено в 1990 году, Сямэнь Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-СЯМЫНЬ) является ведущим производителем сложного полупроводникового материала в Китае. РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и эпитаксию технологии, производственные процессы, спроектированные подложки и полупроводниковые приборы. технологии PAM-СЯМЫНЬ позволяют более высокую производительность и низкую стоимость изготовления полупроводниковой пластины.
Теперь РАМ-СЯМЫНЬ предложение GaN, материал, включающий подложку GaN, GaN на сапфире, InGaN, InN, AlN и эпитаксиальных полупроводниковых пластин с широким диапазоном скоростей осаждения, различных уровней легирования, широких пределах состава и низкой плотностью дефектов. А также на основе GaN LED пластин и AlGaN / GaN HEMT пластины.
РАМ-СЯМЫНЬ также предлагает SiC и GaAs / InP материал из пластин подложки до эпитаксиального роста.
Powerway вафельные Co., Limited является суб компания Xiamen POWERWAY Advanced Material Co., Ltd специализируется на работе с зарубежными заказами.
Вы ищете для полупроводниковой пластины?
PAM-СЯМЫНЬ рада предложить полупроводник вафельного inlcuidng SiC / GaN / GaAs / InP пластина с пластиной или эпитаксиальными пластины для всех различных видов проектов. Если вы ищете полупроводниковую пластину, отправьте нам запрос сегодня более узнать о том, как мы можем работать с вами, чтобы вы Подложкой пластины, необходимую для вашего следующего проекта. Наша группа команда рассчитывает на предоставление как качество продукции и отличный сервис для Вас! Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:www.powerwaywafer.comОтправьте нам письмо по адресуtech@powerwaywafer.comили жеpowerwaymaterial@gmail.com.