Алмазный радиатор

Алмазный радиатор

PAM-СЯМЫНЬможем предложить алмазный радиатор. Благодаря своей высокой теплопроводности (1500 Вт/м·К) алмаз является хорошим выбором в качестве материала для микроканального теплоотвода. Алмазный радиатор выдерживает тепловую нагрузку высокой плотности до 267 Вт/см.2, обеспечивая высокую эффективность охлаждения и продлевая срок службы электронных устройств. Мы предлагаем следующие технические характеристики:

Алмазный радиатор

Алмазный радиатор

1. Технические характеристики алмазного радиатора

Продукт Алмазный радиатор
Метод роста MPVCD
Коэффициент теплового расширения 1,3 (10-6К-1)
Метод определения TDTR по теплопроводности 1500 ± 200 Вт / мК
Размер 1 * 1 см, 2 * 2 см, нестандартные размеры
Толщина может быть настроена Алмаз 0 ~ 500 мкм
Допуск толщины ± 20 мкм
Шероховатость поверхности роста <30 нм Ra
FWHM (D111) 0.446

2. Что такое алмазный радиатор?

Алмазный радиатор - это материал, используемый в качестве радиатора для электронных устройств. Алмазные радиаторы бывают трех видов:

* В электронной упаковке алмазные радиаторы относятся к миниатюрному радиатору, устройству, используемому для охлаждения электронных микросхем;

* В аэрокосмической технике это относится к устройству, которое использует черную краску на внутренней поверхности сайдинга из жидкого азота для имитации холодной темной среды Вселенной;

* Что касается светодиодного осветительного комплекта, поскольку при испускании света светодиодом выделяется большое количество тепла, используется медная колонна с высокой теплопроводностью для отвода тепла наружу корпуса. Этот светодиодный медный столб еще называют радиатором. LD (лазерный диод) также выделяет больше тепла. Таким образом, он должен быть установлен на радиаторе с алмазным CVD-покрытием, чтобы помочь рассеивать тепло и стабилизировать рабочую температуру.

3. Как определить теплопроводность поликристаллического алмазного радиатора?

Для испытаний радиаторов из синтетических алмазов во всем мире обычно применяется более научный и точный метод TDTR. Система обнаружения TDTR (временной области теплового отражения) используется для измерения поперечной теплопроводности образец алмаза. TDTR - это более точный метод обнаружения оптической накачки. Этот метод можно использовать для описания характеристик теплопередачи различных материалов, включая объемные, тонкие пленки и даже жидкости.

Перед измерением чувствительный слой наносится на образец алмаза магнетронным распылением. Оптическая отражательная способность алюминиевого слоя линейно зависит от температуры. Исходя из этого, характеристики теплопередачи могут быть оценены на основе ослабления температуры нагретого образца. Во время теста генерируются лазерные импульсы, а затем лазерный луч разделяется на луч накачки и зондирующий луч. В качестве источника тепла луч накачки используется для нагрева образца, а затем зондирующий луч используется для обнаружения изменений температуры. Временная задержка между импульсами накачки и зонда создается фазой задержки. Кремниевый фотодетектор используется для определения отраженного зондирующего луча, а синхронизирующий РЧ-усилитель извлекает выходные сигналы. Для сбора и анализа синфазных (Vin) и противофазных (Vout) сигналов используется модель диффузионного теплообмена. на Vin / Vout времени задержки, чтобы получить характеристики теплопередачи радиатора в алмазе.

powerwaywafer

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

2021-04-29

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

Near-band-edge luminescence in heavily doped gallium arsenide

Near-band-edge luminescence in heavily doped gallium arsenide The near-band-edge photoluminescence at 80K of heavily tellurium-doped degenerate liquid-phase-epitaxial gallium arsenide layers (n=2*1018 cm-3) is investigated. The layers are compensated with shallow germanium acceptors (the values of the degree of compensation are K=0.05-0.7) during the epitaxial growth process. [...]

2018-08-28мета-автор
GaAs PN Diodes with Heavily Carbon-Doped P-Type GaAs Grown by MOMBE

GaAs pn diodes with heavily carbon-doped p-type GaAs grown by MOMBE were fabricated. The I-V and C-V characteristics were not significantly affected by the hole concentration of the p-GaAs although a lattice mismatch at the junction generates misfit dislocations. A good I-V characteristic with [...]

2019-01-14мета-автор
Silicon Crystal Orientation

The Silicon crystal orientations that we often hear are <100>, <110> and <111>(shown as Fig. 1), respectively indicating a crystallographic family. The single crystal silicon structure belongs to cubic crystals, and the <100> crystal orientation family represents six crystal orientations: [100], [010], [001], [100], [0-10], and [...]

2024-02-23мета-автор
2″ FZ Intrinsic Silicon Wafer

PAM XIAMEN offers 2″ FZ Intrinsic Silicon Wafer Silicon, 2″ Intrinsic Orientation <100>, Resistivity >10,000Ωcm, Thickness 280±10um, DSP, TTV<5um, Bow/Warp<30um, 2 SEMI Flats, Prime Grade, Particle @0.3µm, <20 count Good surface quality for Thermal Oxide growth For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2021-03-17мета-автор
3-дюймовая кремниевая пластина-4

PAM XIAMEN offers 3″ Silicon Wafer. Diameter Type Dopant Growth method Orientation Resistivity  Thickness Surface Grade 76.2 SI. Undoped VGF -100 >1E7 600-650 P/E PRIME 76.2 SI. Undoped VGF -100 >1E7 610-660 P/P EPI 76.2 N Si VGF -100   600-650 P/E PRIME 76.2 P Zn VGF -100   600-650 P/E PRIME 76.2   Undoped CZ -100 >30 300-350 P/P EPI 76.2   Undoped CZ -100 >30 350-400 P/E EPI 76.2 N Sb CZ (100)-6 .01-.04 100-200 P/E TEST 76.2 N Sb CZ -100 .005-.02 300-350 P/P EPI 76.2 N Sb CZ -100 .005-.02 350-400 P/E EPI 76.2 P Ga CZ -100 .01-.04 300-350 P/P EPI 76.2 P Ga CZ -100 .01-.04 350-400 P/E EPI 76.2 N Si VGF -100   600-650 P/E PRIME 76.2 P Zn VGF -100   600-650 P/E PRIME 76.2 Si Fe VGF -100 5000000 600-650 P/E PRIME 76.2   Single Wafer Shipper ePak Lid/Base/Spring   Holds1Wafer   Clean Room 76.2   Shipping Cassette ePak     Holds25Wafers   Clean Room   In addition, we can offer substrate used as Alpha Spectrometer Consumables: Silicon substrate (PAM210610 – SI） Main technical characteristics: Material: silicon (can be replaced with quartz). Diameter – (74.0 ± 0.5) mm. Thickness – (0.5 ± 0.05) mm. Grinding [...]

2019-03-04мета-автор
4″ Silicon EPI Wafer-1

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon EPI Wafers. Substrate EPI Comment Size Type Res Ωcm Surf. Thick μm Type Res Ωcm 4″Øx400μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 21 n- Si:P 0.15 n/n+ 4″Øx360μm n- Si:Sb[111] 0.005-0.020 P/E 20 n- Si:P 360 – 440 n/n+ 4″Øx400μm p- Si:B[111] 0.01-0.10 P/E 6.5 p- Si:B 3.6±10% P/P/P+ 4″Øx400μm p- Si:B[111] 0.01-0.10 P/E 22±1.5 p- Si:B 300±50 P/P/P+ 4″Øx525μm p- Si:B[111] 0.01-0.02 P/E 8.1±1 p- Si:B 4.5±10% P/P/P+ 4″Øx525μm p- Si:B[111] 0.01-0.02 P/E 6.85±0.75 p- Si:B 0.75±0.15 P/P/P+ 4″Øx380μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/EOx 10.5 p- Si:B 570±10% p/p+ 4″Øx440μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/E 20 p- Si:B 0.25±10% P/P+ 4″Øx525μm p- Si:B[111] 0.001-0.005 P/E 20 p- Si:B 175±10% P/P+ 4″Øx440μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/E 21 p- Si:B 150 ±10% P/P+ 4″Øx380μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/EOx 23 p- Si:B 80±10% P/P+ 4″Øx380μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/EOx 23 p- Si:B 200±10% P/P+ 4″Øx440μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/E 32 p- Si:B 600 ±10% P/P+ 4″Øx440μm p- Si:B[111] 0.01-0.02 P/E 32.5 p- Si:B 100±10% P/P+ 4″Øx380μm p- Si:B[111] 0.008-0.020 P/EOx 40 p- Si:B 550 ±10% P/P+ 4″Øx525μm n- Si:As[111] 0.0010-0.0035 P/E 20 p- Si:B 10±1.5 P/N/N+ 4″Øx525μm n- [...]

2019-03-08мета-автор