Для эпиляции синей пластины на плоской подложке было бы важно опустить / исключить слой u-GaN, поскольку мы хотим, чтобы LLO и задняя сторона соприкасались. Это возможно?

  • Главная
  • Вопросы и ответы, эпитаксии
  • Для эпиляции синей пластины на плоской подложке было бы важно опустить / исключить слой u-GaN, поскольку мы хотим, чтобы LLO и задняя сторона соприкасались. Это возможно?

Для эпиляции синей пластины на плоской подложке было бы важно опустить / исключить слой u-GaN, поскольку мы хотим, чтобы LLO и задняя сторона соприкасались. Это возможно?

В: Для синей пластины на плоской подложке было бы важно опустить / исключить слой u-GaN, поскольку мы хотим, чтобы LLO и задняя сторона соприкасались. Это возможно?

О: Да, это не проблема, некоторые клиенты купили наши пластины для LLO.

2018-06-19

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

Q:In the test report of blue LED wafers,it shows Vf and IV (mcd). How is this mcd being measured without actually processing the wafer into devices?

Q:In the test report of blue LED wafers,it shows Vf and IV (mcd). How is this mcd being measured without actually processing the wafer into devices? A:We use prober equipment and contact positive and negative pole, connect current, and then get the voltage and IV.

2018-06-19метаавтор
I am not sure whether practically LLO can be done on the PSS given it is not a flat surface

Q: I am not sure whether practically LLO can be done on the PSS given it is not a flat surface A: “laser lift-off” actually is according to “NL layer” as below image. If the NL layer is GaN layer, when it is heating to constant high [...]

2018-06-19метаавтор
Q We actually want to check our reflectance (mirror type) measurement method on an LED structure on a PSS wafer. Would it be possible to get the same LED structure on both a PSS wafer and a single-side polished wafer so we can compare the two directly?

Q We actually want to check our reflectance (mirror type) measurement method on an LED structure on a PSS wafer.  Would it be possible to get the same LED structure on both a PSS wafer and a single-side polished wafer so we can compare [...]

2018-06-19метаавтор
В: Что касается GaN на сапфире, не могли бы вы сообщить нам, какая сторона готова к эпиляции?

В: Что касается GaN на сапфире, не могли бы вы сообщить нам, какая сторона готова к эпиляции? A: Ga-face, epi-ready и N face подключается к сапфиру.

2018-06-19метаавтор
The epitaxial wafer on pss substrate is attractive to me, so I want to know the overall efficiency it can deliver. Could you please tell me an efficiency number (lm/w or cd/A or EQE) of the device based on a structure similar to the picture in your email?

Q: The epitaxial wafer on pss substrate is attractive to me, so I want to know the overall efficiency it can deliver. Could you please tell me an efficiency number (lm/w or cd/A or EQE) of the device based on a structure similar to [...]

2018-06-06метаавтор
EPD for GaAs Substrate

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI c doped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, [...]

2018-09-06метаавтор