GaN 계 LED 에피 택셜 웨이퍼
PAM-XIAMEN의 질화 갈륨 (질화 갈륨) LED 에피 택셜 웨이퍼는 초 고휘도 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 기반 애플리케이션이다.
- 기술
제품 설명
LED 에피택셜 웨이퍼는 적절한 온도로 가열된 기판입니다. LED 웨이퍼 소재는 반도체 조명 산업 기술 개발의 초석입니다. 서로 다른 기판 재료는 서로 다른 LED 에피택셜 웨이퍼 성장 기술, 칩 처리 기술 및 장치 패키징 기술을 필요로 합니다. LED 에피웨이퍼용 기판은 반도체 조명기술의 발전경로를 결정짓는다. 발광 효율을 달성하기 위해 에피택셜 웨이퍼 공급업체는 에피택셜 웨이퍼 가격이 저렴하고 에피 웨이퍼 결함 밀도가 작기 때문에 GaN 기반 LED 에피택셜 웨이퍼에 더 많은 관심을 기울입니다. GaN 기판에서 LED 에피 웨이퍼의 장점은 고효율, 대면적, 단일 램프 및 고전력을 구현하여 공정 기술을 단순화하고 큰 수율을 향상시키는 것입니다. LED 에피 웨이퍼 시장의 발전 전망은 낙관적이다.
1. LED 웨이퍼 목록
| LED 에피택셜 웨이퍼 | ||||||||
| 크기 | 정위 | 방사 | 파장 | 두께 | 기판 | 표면 | 사용 가능한 영역 | |
| PAM-50-LED-BLUE-F | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | 425um+/-25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED-BLUE-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | 425um+/-25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-BLUE-F | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-BLUE-PSS | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-150-LED-블루 | 150mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-BLUE-SIL | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-BLUE-SIL | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-150-LED-BLUE-SIL | 150mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-200-LED-BLUE-SIL | 200mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED-녹색-F | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | 425um+/-25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED-녹색-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | 425um+/-25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-그린-F | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-녹색-PSS | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-150-LED-녹색 | 150mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-RED-GAAS-620 | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | 빨간불 | 610 ~ 630nm | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM210527-LED-660 | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | 빨간불 | 660 | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-210414-850nm-LED | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | IR | 850NM | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAMP21138-940LED | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | IR | 940nm | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UVA | 365nm | 425um+/-25um | 사파이어 | ||
| PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UVA | 405nm | 425um+/-25um | 사파이어 | ||
| PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UVC | 275nm | 425um+/-25um | 사파이어 | ||
| PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UV | 405nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LD-BLUE-450-SIL | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 450nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.
2. InGaN/질화 갈륨(질화갈륨) 기반 LED 에피택셜 웨이퍼
GaN으로 Al2O3-2에 "에피 웨이퍼 사양 (LED 에피 택셜 웨이퍼)
| 흰색: 445~460nm |
| 청색：465～475nm |
| 녹색: 510~530nm |
1. 성장 기술 - MOCVD
2.Wafer 직경 :이 50.8mm
3. 웨이퍼 기판 재료: 패턴 사파이어 기판(Al2O3) 또는 플랫 사파이어
4.Wafer 패턴의 크기 : 3X2X1.5μm
3. 웨이퍼 구조:
| 구조 층 | 두께(μm) |
| p 형 질화 갈륨 | 0.2 |
| P-AlGaN으로 | 0.03 |
| 된 InGaN / GaN으로 (활성 영역) | 0.2 |
| n 형 GaN으로 | 2.5 |
| U-의 GaN | 3.5 |
| Al2O3를 (기판) | 430 |
4. 칩을 만들기 위한 웨이퍼 파라미터:
| 여자 이름 | 색 | 칩 크기 | 형질 | 외관 | |
| PAM1023A01 | 블루 | 10 밀 X 23mil |  | 조명 | |
| VF = 2.8 ~ 3.4V | LCD 백라이트 | ||||
| 포 = 18 ~ 25MW | 모바일 기기 | ||||
| WD = 450 ~ 460 ㎚ | 소비자 전자 | ||||
| PAM454501 | 블루 | X 45mil 45mil | VF = 2.8 ~ 3.4V |  | 일반 조명 |
| 포 = 250 ~는 300mW | LCD 백라이트 | ||||
| WD = 450 ~ 460 ㎚ | 야외 디스플레이 |
5. LED 에피택셜 웨이퍼의 적용:
*Blue LED Epitaxial Wafer에 대한 자세한 정보를 알고 싶으시면 당사 영업 부서에 문의하십시오.
조명
LCD 백라이트
모바일 기기
소비자 전자
6. 예를 들어 LED Epi 웨이퍼의 사양:
사양 PAM190730-LED
– 사이즈 : 4인치
– WD : 455 ± 10nm
– 밝기 : > 90mcd
– VF : < 3.3V
– n-GaN 두께 : <4.1㎛
– u-GaN 두께 : <2.2㎛
– 기판 : 패턴 사파이어 기판(PSS)
7.GaAs(갈륨 비소) 기반 LED 웨이퍼 재료:
LED의 GaAs 웨이퍼에 관해서는, 이들이 MOCVD에 의해 성장되고, GaAs로 파장 LED 웨이퍼 아래 참조 :
레드 : 585nm 정격, 615nm, 620 ~ ~ 630㎚
노란색:587 ~ 592nm
노란색/녹색: 568 ~ 573nm
8. LED 에피택셜 웨이퍼의 정의:
우리가 제공하는 것은 베어 LED 에피 웨이퍼 또는 리소그래피 공정, n- 및 금속 접촉 등이 없는 처리되지 않은 웨이퍼입니다. 그리고 나노 광전자 공학 연구와 같은 다양한 응용 분야를 위해 제조 장비를 사용하여 LED 칩을 제조할 수 있습니다.
주목:
중국 정부는 갈륨 재료(GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, GaSb 등)와 반도체 칩 제조에 사용되는 게르마늄 재료의 수출에 대한 새로운 제한을 발표했습니다. 2023년 8월 1일부터 이러한 자재의 수출은 중국 상무부로부터 허가를 받은 경우에만 허용됩니다. 여러분의 이해와 협력을 바랍니다!
웨이퍼 사양을 LED 이러한 세부 갈륨 비소를 참조하시기 바랍니다 :LED에 대한 갈륨 비소 에피 웨이퍼
UV는 웨이퍼 사양을 LED를 참조하시기 바랍니다 :UV LED 에피 웨이퍼
실리콘 사양에 LED 웨이퍼를 참조하시기 바랍니다 :실리콘에 LED 웨이퍼
블루의 GaN LD 웨이퍼 사양은 다음 페이지를 참조하세요 블루의 GaN LD 웨이퍼
Violet GaN LD 웨이퍼의 경우 다음을 방문하십시오.405nm GaN 레이저 다이오드 웨이퍼
850-880nm 및 890-910nm 적색 적외선 AlGaAs /GaAs LED 에피 웨이퍼
평면 또는 PSS 사파이어 기판의 GaN LED 구조 에피택시
금속 유기 화학 기상 증착에 의해 성장된 질화물 필름에서 V자형 피트의 형성
더 많은 파운드리 서비스를 보려면 다음을 방문하십시오.LED 제조를 위한 GaN 파운드리 서비스
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프리 스탠딩 GaN 기판
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InSb를 웨이퍼
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의 GaN HEMT 에피 택셜 웨이퍼
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SiC 웨이퍼 기판
이 회사는 결정 성장, 결정 처리, 웨이퍼 처리, 연마, 세척 및 테스트를 통합하는 완전한 SiC(탄화 규소) 웨이퍼 기판 생산 라인을 보유하고 있습니다. 현재 우리는 축상 또는 축외에서 반절연 및 전도성을 갖춘 상용 4H 및 6H SiC 웨이퍼를 공급하고 있으며 사용 가능한 크기는 5x5mm2,10x10mm2, 2",3",4", 6" 및 8"입니다. 결함억제, 종자결정 가공 및 급속 성장으로 탄화규소 에피택시, 소자 등에 관한 기초 연구개발을 추진합니다.
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갈륨 비소 에피 웨이퍼
PAM-XIAMEN은 MBE 또는 MOCVD로 성장한 Ga, Al, In, As 및 P를 기반으로 하는 다양한 유형의 에피 웨이퍼 III-V 실리콘 도핑 n형 반도체 재료를 제조하고 있습니다. 우리는 고객 사양을 충족하기 위해 맞춤형 GaAs 에피웨이퍼 구조를 공급합니다. 자세한 내용은 당사에 문의하십시오.
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CZ 단결정 실리콘
단결정 벌크 실리콘 생산업체인 PAM-XIAMEN은 CZ 방식으로 성장된 76.2~200mm의 N&P 도펀트가 포함된 <100>, <110> 및 <111> 단결정 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. Czochralski 방법은 CZ 방법이라고 불리는 결정 성장 방법입니다. 직선관 가열 시스템에 통합되어 흑연 저항에 의해 가열되고 고순도 석영 도가니에 포함된 폴리실리콘을 녹인 다음 용융물 표면에 종자 결정을 삽입하여 용접합니다. 그 후, 회전하는 종자 결정을 낮추고 녹입니다. 몸을 스며들게 하고 만지며 점차 들어 올려 네킹, 네킹, 숄더링, 등경제어, 마무리의 단계를 거쳐 마무리하거나 잡아당긴다.
