PAM-XIAMEN propose des plaquettes InGaAs APD de haute performance. Les photodiodes à avalanche InGaAs (InGaAs APD) sont très appréciées pour leur faible bruit, leur bande passante plus élevée et leur réponse spectrale étendue à 1700 nm. Il est disponible pour une longueur d'onde de 1550 nm après optimisation et convient parfaitement à une utilisation dans des systèmes de télémétrie laser sans danger pour les yeux. Les spécifications et paramètres des wafers InGaAs APD sont les suivants:
PAM-210331-INGAAS-APD
Objet 1:
| Couche | Matériel | Épaisseur (μm) | Déviation | concentration (cm-3) | Déviation | Test | Remarque |
| 9 | U-1,05 μm InGaAsP | – | ± 10% | – | ± 20% | ||
| 8 | N-InP | 2.5 | – | 5E + 15 | ± 20% | CV | Sur la plaquette de test |
| 7 | N-InP | – | ±0.01 | – | – | CV | Sur la plaquette de test |
| 6 | N-1,05 μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 5 | N-1,25 μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45 μm InGaAsP | – | ± 10% | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD et C-V | Sur l'épiwafer et la plaquette de test | |
| 1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | Sur la plaquette de test |
| 0 | Substrat N-InP | 350 ± 25 | – | Dopé S> 3E + 18 | – | – | Gaufrette de 2 po |
| # | Non-concordance de treillis | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test au centre de l'épiwafer |
Point 2:
| Couche | Matériel | Épaisseur (μm) | Déviation | concentration (cm-3) | Déviation | Test | Remarque |
| 9 | U-1,05 μm InGaAsP | 0.1 | ± 10% | – | ± 20% | – | – |
| 8 | N-InP | – | ±0.12 | – | ± 20% | CV | Sur la plaquette de test |
| 7 | N-InP | 0.2 | – | – | – | CV | Sur la plaquette de test |
| 6 | N-1,05 μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 5 | N-1,25 μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45 μm InGaAsP | 0.03 | ± 10% | – | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | 0.1 | – | 1E + 16 | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | – | ± 10% | – | – | DCXD et C-V | Sur l'épiwafer et la plaquette de test |
| 1 | N-InP | 0.5 | – | – | ± 20% | CV | Sur la plaquette de test |
| 0 | Substrat N-InP | 350 ± 25 | – | Dopé S> 3E + 18 | – | – | Gaufrette de 2 po |
| # | Non-concordance de treillis | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test au centre de l'épiwafer |
Point 3:
| Couche | Matériel | Épaisseur (μm) | Déviation | concentration (cm-3) | Déviation | Test | Remarque |
| 9 | U-1,05 μm InGaAsP | 0.1 | – | 5E + 15 | ± 20% | – | – |
| 8 | N-InP | – | – | – | ± 20% | CV | Sur la plaquette de test |
| 7 | N-InP | 0.2 | ±0.01 | – | – | CV | Sur la plaquette de test |
| 6 | N-1,05 μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 5 | N-1,25 μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45 μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD et C-V | Sur l'épiwafer et la plaquette de test | |
| 1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | Sur la plaquette de test |
| 0 | Substrat N-InP | 350 ± 25 | – | Dopé S> 3E + 18 | – | – | Gaufrette de 2 po |
| # | Non-concordance de treillis | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test au centre de l'épiwafer |
Item 4:
PAM221226-1550-APD
| Couche | Matériel | Thickness(um) | Doping(cm3) |
| 7 | InP | – | undoped(N<1E15) |
| 6 | InP | 0.2 | – |
| 5 | GaInAsP | – | – |
| 4 | GaInAsP | – | – |
| 3 | GaInAsP | – | – |
| 2 | Ga0.467In0.5333As | 2 | – |
| 1 | InP | – | Si doped, n type, 1.3E17 |
| N+ InP Substrate |
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