PAM-XIAMENは、高性能のInGaAsAPDウェーハを提供します。 InGaAsアバランシェフォトダイオード（InGaAs APD）は、低ノイズ、高帯域幅、1700nmまでのスペクトル応答で高く評価されています。 最適化後の1550nm波長で利用可能であり、アイセーフレーザー測距システムでの使用に非常に適しています。 InGaAsAPDウェーハの仕様とパラメータは次のとおりです。
PAM-210331-INGAAS-APD
項目1：
| 層 | 材料 | 厚さ（μm） | 偏差 | 濃度（cm-3) | 偏差 | テスト | 注意 |
| 9 | U-1.05μmInGaAsP | – | ±10％ | – | ±20％ | ||
| 8 | N-InP | 2.5 | – | 5E + 15 | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 7 | N-InP | – | ±0.01 | – | – | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 6 | N-1.05μmInGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 5 | N-1.25μmInGaAsP | – | ±10％ | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μmInGaAsP | – | ±10％ | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ±10％ | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD＆C-V | エピウェーハとテストウェーハについて | |
| 1 | N-InP | – | ±10％ | – | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 0 | N-InP基板 | 350±25 | – | Sドープ> 3E + 18 | – | – | 2インチウェーハ |
| # | 格子不一致 | <±100ppm | – | – | – | DCXD | エピウエハーの中心でテスト |
項目2：
| 層 | 材料 | 厚さ（μm） | 偏差 | 濃度（cm-3) | 偏差 | テスト | 注意 |
| 9 | U-1.05μmInGaAsP | 0.1 | ±10％ | – | ±20％ | – | – |
| 8 | N-InP | – | ±0.12 | – | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 7 | N-InP | 0.2 | – | – | – | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 6 | N-1.05μmInGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 5 | N-1.25μmInGaAsP | – | ±10％ | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μmInGaAsP | 0.03 | ±10％ | – | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | 0.1 | – | 1E + 16 | ±10％ | – | – |
| 2 | U-InGaAs | – | ±10％ | – | – | DCXD＆C-V | エピウェーハとテストウェーハについて |
| 1 | N-InP | 0.5 | – | – | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 0 | N-InP基板 | 350±25 | – | Sドープ> 3E + 18 | – | – | 2インチウェーハ |
| # | 格子不一致 | <±100ppm | – | – | – | DCXD | エピウエハーの中心でテスト |
項目3：
| 層 | 材料 | 厚さ（μm） | 偏差 | 濃度（cm-3) | 偏差 | テスト | 注意 |
| 9 | U-1.05μmInGaAsP | 0.1 | – | 5E + 15 | ±20％ | – | – |
| 8 | N-InP | – | – | – | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 7 | N-InP | 0.2 | ±0.01 | – | – | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 6 | N-1.05μmInGaAsP | – | ±10％ | – | – | – | – |
| 5 | N-1.25μmInGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μmInGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ±10％ | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD＆C-V | エピウェーハとテストウェーハについて | |
| 1 | N-InP | – | ±10％ | – | ±20％ | 履歴書 | テストウェーハ上 |
| 0 | N-InP基板 | 350±25 | – | Sドープ> 3E + 18 | – | – | 2インチウェーハ |
| # | 格子不一致 | <±100ppm | – | – | – | DCXD | エピウエハーの中心でテスト |
Item 4:
PAM221226-1550-APD
| 層 | 材料 | Thickness(um) | Doping(cm3) |
| 7 | InP | – | undoped(N<1E15) |
| 6 | InP | 0.2 | – |
| 5 | GaInAsP | – | – |
| 4 | GaInAsP | – | – |
| 3 | GaInAsP | – | – |
| 2 | Ga0.467In0.5333As | 2 | – |
| 1 | InP | – | Si doped, n type, 1.3E17 |
| N+ InP Substrate |
詳細については、メールでお問い合わせください。 victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.