4.Silicon 카바이드 (SiC) 정의

Nothing Found

It seems we can’t find what you’re looking for. Perhaps searching can help.

자세히보기

플로트 존 단결정 실리콘

PAM-XIAMEN은 Float Zone 방식으로 얻은 Float Zone 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. 단결정 실리콘 막대는 플로트 영역 성장을 통해 얻은 다음 단결정 실리콘 막대를 플로트 영역 실리콘 웨이퍼라고하는 실리콘 웨이퍼로 처리합니다. 존 용융된 실리콘 웨이퍼는 플로팅 존 실리콘 공정 동안 석영 도가니와 접촉하지 않기 때문에, 실리콘 재료는 부유 상태에 있다. 따라서 실리콘의 플로팅 존 용융 과정에서 오염이 적습니다. 탄소 함량과 산소 함량이 낮고 불순물이 적고 저항이 높습니다. 전원 장치 및 특정 고전압 전자 장치의 제조에 적합합니다.
자세히보기

테스트 웨이퍼 모니터 웨이퍼 더미 웨이퍼

PAM-XIAMEN은 더미 웨이퍼 제조사로서 실리콘 더미 웨이퍼/테스트 웨이퍼/모니터 웨이퍼를 제공하며, 이는 생산 공정 초기에 안전성을 향상시키기 위해 생산 장치에 사용되며 납기 확인 및 공정 형태 평가에 사용됩니다. 더미 실리콘 웨이퍼는 실험 및 테스트에 자주 사용되기 때문에 크기와 두께가 대부분의 경우 중요한 요소입니다. 100mm, 150mm, 200mm 또는 300mm 더미 웨이퍼를 사용할 수 있습니다.
자세히보기

나노 제조 포토 레지스트

PAM-하문은 포토 레지스트와 포토 레지스트 판을 제공
자세히보기

포토 마스크

PAM-하문 행사포토 마스크

포토 마스크는 기판에 의해지지 두꺼운 마스킹 재료의 얇은 코팅하고, 상기 마스킹 물질은 다양한 각도로 빛을 흡수 및 맞춤 설계를 패터닝 할 수있다. 패턴은 빛을 조절하고 거의 모든 오늘날의 디지털 기기를 구축하는 데 사용되는 기본 과정 포토 리소그래피의 과정을 통해 패턴을 전송하는 데 사용됩니다.
자세히보기

CdZnTe (CZT) 웨이퍼

카드뮴 아연 텔루 라이드 (CdZnTe 또는 CZT)을 효과적으로 일렉트론 방사선을 변환 할 수있는 새로운 반도체이며, 그것은 주로 적외선 박막 에피 택셜 기판, X 선 검출기 및 감마선 CdZnTe 검출기에 사용된다.
자세히보기

창 (게르마늄) 싱글 수정 및 웨이퍼

PAM-XIAMEN은 2", 3", 4" 및 6" 게르마늄 웨이퍼를 제공합니다. 이는 VGF/LEC로 성장한 Ge 웨이퍼의 약자입니다. 약간 도핑된 P 및 N형 게르마늄 웨이퍼도 홀 효과 실험에 사용할 수 있습니다. 상온에서 결정질 게르마늄은 부서지기 쉽고 가소성이 거의 없습니다. 게르마늄은 반도체 특성을 가지고 있습니다. 고순도 게르마늄에 3가 원소(예: 인듐, 갈륨, 붕소)를 도핑하여 P형 게르마늄 반도체를 얻습니다. 5가 원소(안티몬, 비소, 인 등)를 도핑하여 N형 게르마늄 반도체를 얻는다. 게르마늄은 높은 전자 이동도 및 높은 정공 이동도와 같은 우수한 반도체 특성을 가지고 있습니다.

4.Silicon 카바이드 (SiC) 정의

Nothing Found

플로트 존 단결정 실리콘

테스트 웨이퍼 모니터 웨이퍼 더미 웨이퍼

나노 제조 포토 레지스트

포토 마스크

CdZnTe (CZT) 웨이퍼

창 (게르마늄) 싱글 수정 및 웨이퍼

플로트 존 단결정 실리콘

테스트 웨이퍼 모니터 웨이퍼 더미 웨이퍼

나노 제조 포토 레지스트

포토 마스크

CdZnTe (CZT) 웨이퍼

창 (게르마늄) 싱글 수정 및 웨이퍼