12 "실리콘 웨이퍼 300mm TOX (열 산화 실리콘 웨이퍼)

12 "실리콘 웨이퍼 300mm TOX (열 산화 실리콘 웨이퍼)

PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

  • 기술

제품 설명

PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

 

1. Parameters of Silicon Oxide Wafer

매개 변수
잉곳의 종류 초크 랄 스키 법에 의해 성장한
Diametr, mm 300 ± 0.2
웨이퍼 생활 시간, 월 12
도전 형 P
도펀트 B (붕소)
Oxigen 최대, OLD-PPMA 40
탄소, PPMA 1
에지 영역 mm의 배제 3
결정 방위 <100>
특정 결정면의면 방위의 편차도 0,5
볼륨 저항, 옴 · cm 10-40
전위의 수는 2 cm- 0
에칭 점 결함의 수 cm-2 0
산화 포인트 결함의 수 cm -2 500
볼륨, E10AT / CC의 최대 철 함유량 10
차 노치
노치 위치 110
노치 크기, mm 2,3
노치 양식 V
웨이퍼 두께, 마이크론 775 ± 25
마킹의 종류 레이저
표시 위치 후면
에지 프로필 SEMI 바이 T / 4
전면 스크래치 결석
전체 웨이퍼 두께 변화 (TTV), 마이크론 5
처짐, 마이크론 60
웨이퍼는 두께 미크론 산화 0,1-1
표면에 입자의 수보다 큰 0.09 미크론 50
이면 측의 오염 결석
알루미늄 표면 콘텐츠 E10AT / CM2 1
칼슘의 표면 내용, E10AT / CM2 1
크롬의 표면 내용, E10AT / CM2 1
구리의 표면 내용, E10AT / CM2 1
철의 표면 내용, E10AT / CM2 1
칼륨의 표면 내용, E10AT / CM2 1
나트륨의 표면 내용, E10AT / CM2 1
니켈 표면 콘텐츠 E10AT / CM2 1
아연, E10AT / CM2의 표면 내용 1
평탄도, 마이크론의 정확성에 대한 요구 사항 0,3
엣지 배제 구역의 평탄성을 측정 mm 3

 

요구 사항을 포장 :

매개 변수  
포장의 종류 MW300GT-A
내부 용기 재질 폴리에틸렌
외부 포장 재료 알루미늄
하나 개의 패키지에서 조각의 수 25
재사용 성

 

2. Oxidation Methods

Dry oxidation and wet oxidation are the most important methods for growing silicon on oxide wafer.

2.1 Dry oxidation silicon wafer

Dry oxygen oxidation silicon reacts with oxygen at the temperature of 850-1200 ℃, the rate of thermal oxide growth silicon wafers is low but the quality is good, so it can be used for MOS insulated gate growth. Silicon wafer oxide thickness is 10nm~300nm.

2.2 Wet oxygen oxidation wafer 

At high temperature, water vapor is used to enter the furnace tube and form oxide layer on the surface of silicon wafer. The density of wet oxygen oxidation is slightly worse than that of dry oxygen oxidation, but the advantage of wet oxygen oxidation is that it has a higher growth rate, which is suitable for the film growth above 500 nm. Wet oxidation capacity: 100nm~6um.

During the silicon wafer oxidation process, the thermal silicon oxide wafer is an excellent dielectric layer as an insulator. In many silicon-based devices, the thermal oxide layer plays an important role as a doping prevention layer and a surface dielectric.

 

3. FAQ: 

첨부 된 그림과 같이 포장 MW300GT-A에 동의하면 당신은 확인시겠습니까?

— Yes, please go ahead.

위한 MW300GT-A 포장 300mm 실리콘 웨이퍼 300mm TOX (열 산화 실리콘 웨이퍼)

위한 MW300GT-A 포장 300mm 실리콘 웨이퍼 300mm TOX (열 산화 실리콘 웨이퍼)

 

 

 

 

 

 

 

 

위한 MW300GT-A 포장 300mm 실리콘 웨이퍼 300mm TOX (열 산화 실리콘 웨이퍼)

위한 MW300GT-A 포장 300mm 실리콘 웨이퍼 300mm TOX (열 산화 실리콘 웨이퍼)

 

 

 

 

 

 

 

 

PAM-하문 당신에게 기술 및 웨이퍼 지원을 제공 할 수 있습니다.

자세한 내용은 저희 웹 사이트를 방문하십시오 :https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,

에서 우리에게 이메일을 보내[email protected][email protected]

 

2″ Monocrystalline silicon wafers with insulating oxide

2″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal Oxide 20nm

4″ Monocrystalline silicon wafers with insulating oxide

4″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal oxide 20nm

6″ Monocrystalline silicon wafers with insulating oxide

6″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal Oxide 20nm

2″ Silicon Oxide Wafer

3 인치 실리콘 산화물 웨이퍼

4″ Silicon Oxide Wafer