SiC 재료는 높은 변위 임계값 에너지와 넓은 밴드 갭을 가지므로 검출기가 고온 및 높은 복사장에서 작동할 수 있습니다. 강한 방사선장에서의 중성자 플루언스/에너지 스펙트럼 측정, 고온 환경에서의 중성자 플루언스/에너지 스펙트럼 측정, 원자로 전력 모니터링, 사용후핵연료 저장 장소의 방사선 모니터링, DT 중성자관 빔 전류 모니터링, 펄스 중성자에 적용할 수 있습니다. SiC 에피택시 박막으로 제작된 검출기는 우라늄 광산 로깅, 핵의학 및 중성자 사진 분야, 우주의 고온 및 고방사선 환경에서 하전 입자 및 중성자 측정 분야에서도 사용할 수 있으며 다음과 같이 사용할 수 있습니다. 고에너지 물리학 실험을 위한 정점 및 트랙 감지기. 거기에,PAM-XIAMEN은 공급할 수 있습니다SiC 에피택시 구조중이온 및 하전입자 측정을 위한 얇은 SiC 에피택시 검출기 제작. SiC 에피택셜 웨이퍼에 대한 자세한 내용은 다음을 확인하십시오.
1. SiC 에피택셜 박막의 사양
4H-SiC 기판:
유형: n 유형/N 도핑
방향: 4deg.off
직경: Ø4”(±0.1mm)
두께: 350(±25) µm
도핑: N형
MPD <=1/cm3
표면: 닦는 양면
에피 폴리싱 처리된 Si 면, Ra<0.5nm
광택 처리된 C면, Ra<3.0nm
기본 평면: (10-10) ±0.5°
2차 플랫: 표면 식별을 위해 제공되는 필수 플랫
레이저 마크: c-face
사용 가능한 영역: >/= 90%
<SiC 에피>
방법: CVD
두께: 20um+/-5%um, n 유형
도펀트: N 원자 1E15cm-3+/-25%
비고 :
저저항 SiC 기판은 HF 양극 용해에 의해 제거됩니다. 이러한 이유로 에피택셜 SiC 층의 저항률은 가능한 한 높아야 하고 SiC 기판의 저항률은 가능한 한 낮아야 합니다.
따라서 이 문제를 해결하기 위해 실리콘 카바이드의 에피택셜 성장 동안 0.02ohm.cm 부근의 낮은 저항 기판과 13ohm.cm 부근의 높은 저항을 위해 낮은 농도의 에피층을 선택하려고 합니다.
2. SiC 박막의 에피택셜 성장을 위한 고성능 검출기의 요구사항
고성능 검출기를 만들려면 SiC 단결정 에피택시 박막 성장의 품질이 다음 요구 사항을 충족해야 합니다.
1) SiC 기판 및 에피택셜 층의 결함이 적고 균일성이 우수합니다.
2) 더 작은 역 누설 전류 및 더 높은 역 바이어스 전압;
3) 감지기 민감 영역의 더 큰 두께;
4) SiC의 낮은 밀도의 표면 상태.
3. SiC 에피택셜 박막 상의 검출기의 금속 전극 요건
금속 전극용 SiC 검출기의 요구 사항은 주로 다음과 같습니다.
저항 접촉: 낮은 비접촉 저항 및 높은 안정성;
쇼트키 접촉: 쇼트키 장벽 높이가 크고 장벽 분포가 균일합니다.
3.1 옴 접촉
n-type 4H-SiC 반도체 재료의 경우 ohmic contact을 형성하기 위해서는 전극 재료가 Φm<Φs의 조건을 만족하는 낮은 일함수의 금속이어야 하며, 4H-SiC는 금지대역폭(3.26eV)이 큰 금속이어야 한다. , 전자 친화력이 3.1eV에 불과하고, 대부분의 금속의 일함수가 5-6eV로 조건을 만족하는 낮은 일함수 금속을 찾기 어렵고, 금속/SiC 접촉은 일반적으로 정류 특성을 나타낸다.
n형 SiC 옴 접촉을 준비하는 현재의 방법은 금속과 고농도 도핑(>1*1018 센티미터-3) 고온(>950°C)에서 어닐링하기 위한 SiC 접촉. 고온에서 계면 실리사이드의 형성은 접촉 특성에 대한 SiC 에피택셜 박막 표면 특성의 영향을 극복할 수 있습니다.
3.2 쇼트키 접촉
쇼트키 접촉은 SiC 에피택셜 층에 금속을 증착하여 제조됩니다. 우수한 쇼트키 접촉을 위해서는 쇼트키 장벽 높이가 높아야 합니다. n형 SiC 에피택셜 박막 공정의 경우 쇼트키 접점은 일반적으로 약하게 도핑된 더 낮은 도핑 농도(<1015).
4. FAQ of SiC Epitaxial Thin Film
Q1: We would like to know the metal contamination level and the elements inside of the SiC epitaxial thin film wafer we bought below. If possible, could you provide it?
PAMP19056-SIC
기판
Poly Type: 4H-SiC, 4”size
Dopant: N atom, E17-E18cm-3
SiC epi
방법: CVD
Thickness: 10um
Dopant: N atom 1E16cm-3
A: Please see attached table below.
Contact our sales team: victorchan@powerwaywafer.com for complete data of the metal contamination level and the elements of SiC epitaxial wafer.
| Element | E10Atoms/cm2 |
| Na | – |
| Mg | 0.03 |
| Al | – |
| K | – |
| Ca | – |
| Ti | – |
| V | – |
| Cr | 0.00 |
| Mn | – |
| Fe | – |
| Co | – |
| Ni | – |
| Cu | – |
| Zn | – |
| Mo | – |
| W | – |
| Pb | 0.01 |
Q2: Could you let me confirm if the metal element data was measured on the SiC wafer surface or inside?
A: The data of the metal contamination level and the elements was measured inside of SiC epitaxy.
Q3: According to your data, the measurement method for determining the metal contamination level and the elements on SiC epitaxial thin film wafer is ICP-MS, isn’t it. Does “inside” mean that the measurement was done by the dissolution of the surface to a specific depth? Is this understanding correct?
A: Yes, we use ICP-MS to measure the metal contamination level and the elements on SiC epi wafer, and it’s done by dissolute the surface to a specific depth inside the SiC wafer.
자세한 내용은 이메일로 문의하십시오.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.